材料名称:In2Te5晶体
性质分类:拓扑材料+热电材料+红外材料
禁带宽度:~1 eV
尺寸:10平方毫米
25平方毫米
合成方法:CVT
剥离难易程度:难
材料名称:In3SbTe2晶体
性质分类:相变材料,金属性层状材料
合成方法:CVT
尺寸:10平方毫米
25平方毫米
剥离难易程度:易
保存注意事项:晶体稳定,不需要特殊保存
材料名称:InBi晶体
性质分类:拓扑绝缘体
合成方法:CVT
尺寸:10平方毫米
25平方毫米
100平方毫米
剥离难易程度:中
材料名称:InSb晶体
性质分类:拓扑绝缘体
合成方法:CVT
尺寸:10平方毫米
25平方毫米
100平方毫米
剥离难易程度:难
材料名称:InSiTe3晶体
性质分类:半导体,热电材料
禁带宽度:0.8 eV
合成方法:CVT
尺寸:10平方毫米
25平方毫米
100平方毫米
剥离难易程度:易
保存注意事项:晶体稳定性一般,需要避开水氧保存
研磨成粉末测试XRD
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用途:仅用于科研,不能用于人体