拓扑材料、相变材料、金属性层状材料、半导体/In2Te5晶体；In3SbTe2晶体；InBi晶体；InSb晶体；InSiTe3晶体

材料名称：In2Te5晶体

性质分类：拓扑材料+热电材料+红外材料

禁带宽度：~1 eV

尺寸：10平方毫米

           25平方毫米 

合成方法：CVT

剥离难易程度：难

材料名称：In3SbTe2晶体

性质分类：相变材料，金属性层状材料

合成方法：CVT

尺寸：10平方毫米

           25平方毫米 

剥离难易程度：易

保存注意事项：晶体稳定，不需要特殊保存

材料名称：InBi晶体

性质分类：拓扑绝缘体

合成方法：CVT

尺寸：10平方毫米

           25平方毫米 

         100平方毫米 

剥离难易程度：中

材料名称：InSb晶体

性质分类：拓扑绝缘体

合成方法：CVT

尺寸：10平方毫米

           25平方毫米 

         100平方毫米 

剥离难易程度：难

材料名称：InSiTe3晶体

性质分类：半导体，热电材料

禁带宽度：0.8 eV

合成方法：CVT

尺寸：10平方毫米

           25平方毫米 

         100平方毫米 

剥离难易程度：易

保存注意事项：晶体稳定性一般，需要避开水氧保存

研磨成粉末测试XRD

相关产品：

FePSe3晶体

MnBi2Se4晶体

MnSb2Te4晶体

NiCoSe2晶体

VI3晶体

AgInP2S6晶体

Cu3Se2晶体

用途：仅用于科研，不能用于人体