4H-SiC晶体（六方晶系）、6H-SiC晶体（六方晶系）和15R-SiC晶体

六方晶系是晶体学中的一种晶系，也称为三斜晶系。它是七种晶系之一，具有较低的对称性。六方晶系的晶胞形状是一个六面棱柱。在六方晶系中，一个晶格点沿着晶体的轴方向排列，而在轴的两侧则分别有一些附加的晶格点。最典型的例子是自然中的石英和氧化锌。

4H-SiC晶体【六方晶系】

SiC单晶具有宽的带隙，常被称为第三代宽禁带半导体材料，它具有高的热导率，是蓝宝石的20倍，高的载流子饱和漂移速度，低的介电常数，可用来制备高温、高频大功率器件，同时还可用作基于GaN的发光二极管的衬底材料，在光电子等方面具有巨大的应用潜力。SiC单晶具有200多种同质多型体，最为常见且生长技术较为成熟的是6H-SiC（点群6mm，空间群P63mc）和4H-SiC（点群6mm，空间群P63mc）。

6H-SiC晶体【六方晶系】

不同的多型体具有不同的物理性能，尤其在半导体特性方面表现出各自的特性。4H-SiC同6H-SiC相比，具有更大的禁带宽度和数值较高、各向异性较弱的电子迁移率,被认为是制备高频大功率器件最有应用前途的材料。由于不同多型的SiC单晶的堆垛层错能非常接近，因此在籽晶升华法生长4H-SiC单晶过程中极易出现其它寄生多型体同4H-SiC的竞争生长，使晶体的电学性质及光学性质出现非均匀性，从而限制晶片的应用。

15R-SiC晶体

所以，从器件制造的角度讲，需要对生长的单晶的晶型进行简单快速的鉴定；从生长的角度讲，在进行完多型鉴别后，可以根据结果优化生长参数，实现单一多型的SiC单晶的稳定生长。由于Raman光谱对具有共价键结构的材料的散射效率高，易于获取信号，不需要对样品进行特殊制样，因此使测量过程简单、便捷，是非破坏性表征碳化硅晶体结构的强有力的工具。

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以上资料来自西安昊然生物小编JMY 2024.1.15.         

以上文中提到的产品仅用于科研，不能用于人体及其他用途。