中文名称:硫化铟铊晶体
铊掺杂硫化硒晶体
英文名称:TlInS2
性质分类:半导体
合成方法:CVT
用途:仅用于科研,不能用于人体
带隙:~2.1 eV
纯度:99%
应用:半导体电子器件,传感器-探测器,光学器件等研究
硫化铟铊(TlInS2)是由铟、铊和硫元素组成的化合物,通常以晶体的形式存在。这种化合物在固态下具有晶体结构和性质,在材料科学领域中引起了一些关注。
晶体结构对硫化铟铊的性质产生重要影响。它的晶体结构通常属于层状结构,其中铟、铊和硫原子以一定的方式排列形成层状结构。这种结构赋予了它一些物理和化学性质。
硫化铟铊在一些应用领域可能具有潜在价值,但其具体的应用还在研究阶段。由于其晶体结构,它可能在半导体器件、光电子学或其他电子学领域中具有应用潜力。然而,它的实际应用和性能优化仍需要更深入的研究和探索。
尽管硫化铟铊在应用方面仍处于探索阶段,但其晶体结构和组成成分使得科学家对其性质和潜在应用充满兴趣,并可能在未来的材料科学和电子学领域中发挥重要作用。
中文名称:硫化镓铊晶体
铊掺杂硫化镓单晶
英文名称:TlGaS2
性质分类:半导体
合成方法:CVT
尺寸:~1cm
带隙:~2.45eV
纯度:99%
应用:半导体电子器件,传感器-探测器,光学器件等研究
保存条件:真空密封保存
硫化镓铊晶体(TlGaS2)是一种由镓、铊和硫元素组成的化合物,通常以晶体的形式存在。这种化合物在固态下拥有晶体结构和性质,对于一些电子学和光学应用具有潜在的重要性。
硫化镓铊的晶体结构属于非线性光学晶体,并且具有一定的光学性能。这种晶体结构通常由三元素(镓、铊、硫)组成,以一定的方式排列形成晶格结构。由于其非线性光学性质,它在光学通信和光学器件中有一定的应用潜力。
硫化镓铊晶体在激光技术、光学传感器、光电子器件等领域中可能有一些应用。其光学性质使得它成为一种具有潜在用途的材料。然而,其应用仍在研究和探索阶段,科学家们持续研究其性质和潜在应用,以确定其在实际应用中的效能和适用性。
硫化镓铊晶体因其光学性质,在光学和光电子学领域中具有潜在的应用前景。然而,其实际应用和性能优化仍需进一步研究和开发。
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以上资料来自西安昊然生物小编JMY 2023.12.13.
以上文中提到的产品仅用于科研,不能用于人体及其他用途。