化学镀铜硅基底生长碳纳米管薄膜(Si/Cu-CNTs)

Si/Cu-CNTs的制备方法结合了化学镀铜和碳纳米管生长两个步骤。在硅基底上沉积一层铜薄膜，然后通过化学气相沉积(CVD)技术在铜薄膜上生长CNTs。

这种方法不仅可以在大面积上制备出连续的CNTs薄膜，而且可以通过调整铜薄膜的厚度和CVD参数，来控制CNTs的直径、长度和密度。

中文名称：化学镀铜硅基底生长碳纳米管薄膜

英文名称：Si/Cu-CNTs

纯度：95+%

存储：-20℃冷藏、密封、避光

保存时间：1年

规格：mg

包装：瓶装/袋装

相关产品：

单羟基苯基卟啉修饰碳纳米管电极

氨基嫁接碳纳米管(CNT-NH2)

碳纳米管改性碳/碳复合材料

三乙烯四胺分子基团嫁接多壁碳纳米管

碳纳米管表面嫁接官能团羧基(-COOH)     

以上文中提到的产品仅用于科研，不能用于人体及其他用途。