ROM存储器 | 说明 |
---|---|
掩膜ROM | 早期ROM,一次性烧录,无法进行重复烧录 |
PROM | 存储单元多采用熔丝-低熔点金属或多晶硅。写入时设法在熔丝上通入较大的电流将熔丝烧断。产品出厂时存的全是1,用户可一次性写入,即把某些1改为0。但只能一次编程 |
EPROM | 紫外线可擦除,可以通过一定时长的光照来擦除,可重复烧录 |
EEPROM | 电可擦除,可重复烧录 |
存储器芯片领域,主要分为两类:易失性(Volatile)和非易失性(Non-Volatile)。
- 易失性:断电以后,存储器内的信息就流失了,例如 DRAM,主要用来做PC机内存(如DDR)和手机内存(如LPDDR),两者各占三成。
- 非易失性:断电以后,存储器内的信息仍然存在,如今主要是闪存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要应用于代码存储介质中,而 NAND 则用于数据存储