N76E003 ADC使用方法

主要特点：

1、12位ADC。

2、8通道单端输入模式。（一次只能测一个通道电压，值都存在ACCRH、ACCRL）

3、内部带隙电压(band-gap voltage)为1.22V，可作为内部参考电压

4、启动方式：软件启动、硬件触发方式启动

ADC模块结构图

实例

不多说了，直接贴代码，实现的功能为使用内部参考电压测VCC电压值。

void main(void)
{
    uint16_t BandGap_H, BandGap_L, AIN3_H, AIN3_L;
    uint16_t BandGap_v;
    uint32_t AIN3_v = 0;
	uint16_t voltage = 0;
	
    while(1)
    {
        Enable_ADC_BandGap;		
	    clr_ADCF;
	    set_ADCS;				// Each time ADC start trig signal
	    while(ADCF == 0);
        clr_ADCF;
	    set_ADCS;				// Each time ADC start trig signal
	    while(ADCF == 0);
        clr_ADCF;
	    set_ADCS;				// Each time ADC start trig signal
	    while(ADCF == 0);
	    BandGap_H = ADCRH;
	    BandGap_L = ADCRL;
	    BandGap_v = BandGap_H << 4 | BandGap_L;
	    //printf ("\n Value = 0x%bx",ADCRH);
	    //printf ("\n Value = 0x%bx",ADCRL);
	
	    Enable_ADC_AIN3;
	    clr_ADCF;
	    set_ADCS;				// Each         time ADC start trig signal
	    while(ADCF == 0);
	    AIN3_H = ADCRH;
	    AIN3_L = ADCRL;
	    AIN3_v = AIN3_H << 4 | AIN3_L;
	    //printf ("\n AIN3 Value = 0x%bx",ADCRH);
	    //printf ("\n AIN3 Value = 0x%bx",ADCRL);
	    voltage = (uint16_t)((uint32_t)AIN3_v * 1220 / BandGap_v );

        Timer0_Delay1ms(1000);
    }
}

注意事项:

这里多次测内部产考电压的原因是:

连续（不延时）多次读取band-gap voltage的值 与 单次读取然后延时再次读取到的值不同，而且延时时间不同，读取到的值也不同（相当无语）

例如下面两段代码：

Enable_ADC_BandGap;			//Find in "Function_define.h" - "ADC INIT"
while(1)
{
    clr_ADCF;
    set_ADCS;					// Each time ADC start trig signal
    while(ADCF == 0);
    BandGap_H = ADCRH;
    BandGap_L = ADCRL;
    Timer0_Delay1ms(1000);
}

Enable_ADC_BandGap;						//Find in "Function_define.h" - "ADC INIT"
while(1)
{
    clr_ADCF;
    set_ADCS;							// Each time ADC start trig signal
    while(ADCF == 0);
    BandGap_H = ADCRH;
    BandGap_L = ADCRL;
    //Timer0_Delay1ms(1000);
}

加延时和不加延时读出来的值是不一样的，实测不加延时读出来的比较准确。所以实例中使用的小技巧是连续读3次内部参考电压后再测vcc，当然具体多少次自己定义。

实验结果

vcc万用表测得的电压为3.3v，adc测得的电压为3.27v左右，误差30mv左右。

最后说一句，假如vcc不固定的，想用内部参考电压，但要求精度高的方案，慎用这款mcu

 

也许有错误，望大家指正，不胜感激！

 

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