金牌性能，极简外围：HUSB352A打造高性价比快充冠军之选

要想充电速度快，充电器快充芯片性能必须强。慧能泰新推出的PD Source协议芯片HUSB352A集成低阻抗VBUS MOSFET,外围简洁；采用ESSOP-10L封装,便于生产；外置电流采样电阻,支持高精度恒流和限流。是20-30W快充充电器的优质选择。

图1：HUSB352A封装图及Demo板

HUSB352A是专为USB Type-C PD产品设计的。它可以支持3个带有可编程电压和电流的FPDO，适用于不同应用，以及2个支持PPS选项的APDO。所有的PDO都完全符合PD3.1 Rev.1.8规范。此外，HUSB352A支持多种专有协议，包括QC2.0、QC3.0、AFC、FCP、SCP以及Divider 3模式，这为传统设备提供了出色的兼容性。它集成了一个N-MOSFET，控制VIN到VBUS的电源路径，以保护与VBUS相连的设备。HUSB352A仅需0.5 mA的工作电流。高静电放电（ESD）等级为系统提供了更高的可靠性。该芯片采用ESSOP-10L封装。

 产品特性：

• 集成低导通电阻N-MOSFET

• 符合USB Type-C 2.1和USB PD 3.1标准

• 支持5V、9V和12V FPDO

• 支持5V可编程和9V可编程APDO

• 支持BC1.2 DCP和HVDCP协议

-    BC 1.2 DCP模式

-    Apple 5V 2.4A模式

-    QC2.0/3.0 Class A快充协议

-    AFC、FCP和SCP

• 支持恒定电压环(CV)和恒定电流环(CC)操作

• 集成了过压保护(OVP)、欠压保护(UVP)、欠压锁定(UVLO)、过流保护(OCP)、首次过流保护(FOCP)和热关断(TSD)保护

• 采用ESSOP-10L封装

• USB IO引脚具有±2kV人体模型(ESD)静电放电评级

HUSB352A内置了低阻抗的VBUS MOSFET，这使得整个电路设计更为紧凑，减少了外部元件的数量。这种设计不仅实现了外围电路的极致简洁，还有效降低了系统的整体成本。更重要的是，低阻抗特性有助于减少功率损耗，提高转换效率，为用户带来更长的电池续航时间和更低的工作温度。

图2：HUSB352A典型应用电路图

安全，是充电技术不可忽视的重要方面。HUSB352A通过外置电流采样电阻的设计，实现了对充电电流的高精度控制。意味着您可以根据具体的应用需求调整电流阈值，实现更精细的电流管理和保护功能。这一设计不仅支持高精度恒流充电，确保设备在充电过程中获得稳定的电流供应；还具备限流保护功能，能够在检测到异常电流时迅速响应，有效避免过流、短路等安全隐患。这样的设计不仅保障了设备的安全，也让用户在使用过程中更加安心。