针对紫外/臭氧表面处理增加了SU-8光刻胶聚合物的亲水性的研究

引言

SU-8是一种具有低杨氏模量(沿纵向的弹性模量)以及热稳定性优良的负光敏聚合物,其广泛应用于坚固的微结构制造中。SU-8由于其优秀的光学特性(360nm以上的透明度,相对较低的折射率),使其成为光波导和无标记生物传感器发展的理想材料。

然而,SU-8的表面是高度疏水的,因此与生物技术中的许多应用不相容。因此修饰SU-8的表面,以增强其润湿性,并允许控制固定化(生物)分子的方法目前已经被开发出来。

实验与讨论

为了获得SU-8表面上的交联密度范围,英思特研究了UVO暴露后的三种硬焙条件: 90℃5小时,120℃3小时和180℃2小时。SU-8网状结构的程度,以及表面活性环氧基的数量,在很大程度上受硬烘焙步骤的影响。如图1所示,从wCA为83.5 ± 1.5开始,独立于硬烘焙条件,在UVO暴露10 min后,wCA下降到30℃以下;在UVO处理20 min后,在22℃左右达到稳定。

为了证实这一点,我们在UVO处理前后分别测量了三个SU-8样品的峰到谷和根均方(RMS)粗糙度。图2为UVO处理5 min前后,然后在120℃下硬焙处理3h 下,通过SU-8薄膜的根均方(RMS)粗糙度分析得到的 AFM图像和相应的高度轮廓。

UVO前的SU-8表面是均匀的,峰谷粗糙度为1.7 nm,均方根粗糙度为0.121 nm。在UVO下5 min后,表面保持均匀,峰谷粗糙度为1.9 nm,均方根粗糙度为0.144 nm。此外,暴露后硬焙条件对UVO处理时间前后的SU-8表面粗糙度没有显著影响(图2c)。

图1:三种不同硬焙条件下制备的SU-8薄膜的wCA随UVO暴露时间的增加而变化,每个数据点对应于5个wCA测量值的平均值。

图2:在1C20◦下硬烤3小时的SU-8表面的AFM地形图像和高度轮廓

结论

英思特表明,与传统的湿或干表面活化技术相比,UVO表面处理非常有前途,可以显著增加粗糙度。研究证明,短时间暴露于UVO可以选择性地氧化SU-8表面,并增加亲水性,从而不损害厚度或表面粗糙度。硬焙比较好的条件为120℃3h。这种UVO激活的SU-8表面随后被用来高密度共价固定尸体胺。

结合过程是特异性的,结合分子可用于进一步的抗原-抗体反应。这种与固定的尸体分子相互作用的特异性可逆反应证实了SU-8 UVO活化方法可以直接应用于SU-8表面一系列(生物)分子的控制固定化。

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### 回答1: KRF和ARF是两种常用于半导体制造中的。它们之间有以下几个主要区别: 1. 敏机理:KRF属于传统的紫外,其敏剂对紫外敏感。而ARF则是使用深紫外进行曝,其敏剂对较短波长的敏感。 2. 色差问题:由于使用不同的源和敏机理,KRF在微影过程中会出现色差问题,即在同一图案中不同区域的曝会出现颜色差异。而ARF能够更好地解决色差问题,使得微影的结果更加一致。 3. 解析度:ARF相比KRF具有更高的解析度。由于其使用的深紫外波长更短,所以ARF在曝后可以得到更高的分辨率,能够实现更细微的纳米级结构。 4. 抗损伤能力:ARF在高能量下的抗损伤能力较强。当使用高剂量的曝时,ARF的分子链断裂较少,能够更好地保持图案的形状和精度。 综上所述,KRF和ARF敏机理、色差问题、解析度和抗损伤能力等方面存在着明显的区别。选择使用哪种需要根据具体的制程需求和设备条件来决定。 ### 回答2: KRF和ARF都是在集成电路制造中常用的工艺材料。它们的主要区别在于的感波长不同。 KRF是利用紫外线(波长365纳米)进行曝的。它具有波长较长的特点,可用于制造较粗线宽的器件。KRF的分辨率较低,一般适用于传统的集成电路制造中,如DRAM(动态随机存取存储器)等。 ARF则是利用远紫外线(波长193纳米)进行曝的。相较于KRF,ARF的波长更短,因此可以提高的分辨率,制造更小线宽的器件。ARF的分辨率较高,适用于现代微纳米技术领域,如先进的半导体设备制造。 此外,由于ARF具有更短的波长,对源系统和机设备的要求也更高,因此其制造成本相对较高。而KRF则可以在传统的机设备上使用,成本较低。 综上所述,KRF和ARF主要区别在于波长不同,分别适用于不同的集成电路制造需求。ARF适用于现代微纳米技术,具有高分辨率,而KRF适用于传统制造工艺,具有较低的成本。 ### 回答3: KRF和ARF是两种不同的材料。是一种用于工艺中的涂覆材料,可以在半导体制造过程中进行图案转移。 首先,KRF是针对紫外工艺开发的,而ARF则是专门用于深紫外工艺的材料。紫外工艺一般使用波长为248nm或193nm的源,而深紫外工艺则使用波长更短的172nm或蓝宝石激。 其次,KRF和ARF在化学配方上也有所不同。ARF通常采用含有氟化物的化合物作为关键成分,以提高其抗干涉效果和提高解析度,因而可以在制造更小尺寸的芯片上实现更精细的图案。 此外,由于ARF处理的波长更短,它具有更高的吸收率和较小的衍射效应,因此具有更好的图案准确性和边缘清晰度。这使得ARF适用于制造超大规模集成电路和高密度存储器等高要求的芯片。 总的来说,KRF适用于波长较长的紫外工艺,而ARF适用于波长更短的深紫外工艺。ARF在分辨率和图案准确性方面具有更高的性能,适用于制造更小尺寸和更高密度的芯片。

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