理清海思系统“内存”相关名词

1. 易失性存储 分成 DRAM 和 SRAM
   不刷新就会丢失数据，关机就没

• DRAM：即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0。采用 DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息丢失。DRAM一般用作计算机中的主存储器。
• SRAM：特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出。SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。
• Cache：电脑中为高速缓冲存储器，是位于CPU和主存储器DRAM之间，规模较小，但速度很高的存储器，通常由SRAM组成
• DDR：DDR SDRAM，Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器，DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的

2 非易失性存储分成 ROM 和Flash ，主要用做 硬盘

• EEPROM 数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位
• Flash即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名闪存，是EEPROM的变种，能在字节水平上进行删除和重写而不是按区块擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。
• NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。
• NAND Flash 的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理和需要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多。

MMZ
海思方案说的MMZ指的是非系统物理内存，也是DRAM。
所以文档说的HI_MPI_SYS_MmzAlloc_Cached 需要搭配 HI_MPI_SYS_MmzFlushCache使用
原因就是：cpu会将mmz数据读到cache访问修改，再异步更新回mmz。而IVE是直接访问mmz内存。所以为了保持mmz内存是最新状态，需要把cpu的cache数据刷到mmz中。

datafifo
datafifo是写端把数据流的MMZ地址传给读端，读端再去读MMZ内存。实际就是共享内存。