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原创 光伏模拟器应用

为了在实验室中重现光伏系统的电流和电压特性,以便可靠、高效、快速地分析和改进光伏能量转换系统,需要考虑太阳能光伏模拟器的实现方法。连接到太阳能电池阵列的电力电子系统(如太阳能逆变器)会考虑这些变化,以表征阵列的输出并化转换的功率 [2]。这会导致太阳能电池阵列的电压和电流特性波动,主要是由于温度、辐照度和其他环境条件的变化。这源于光伏模拟器的总体架构,如图1所示。光伏仿真系统具有可重构直流电源和方便的环境条件控制,可实现稳态和瞬态响应,可作为重现不同光伏模块输出电气特性的工具,而不受外部大气条件的影响。

2024-07-24 10:00:16 197

原创 低功耗、四通道差分线路驱动器——GC26E31S/P,可应用于马达编码等产品中

GC26E31S/P 是一款低压、低功耗、高速 3.3V 或者 5V 的四通道差分线路驱动芯片,可满足ANSI TIA / EIA-422-B 和 ITUV.11 的要求。高电流能力的三态输出可驱动平衡双绞线或并行传输线,在断电模式下,输出处于高阻抗状态。 满足 ANSI TIA/EIA-422-B 和 ITU 协议要求。 5V 供电时,100 欧姆负载差分输出电压:2.6V。 总线 ESD(HBM):±15KV。 3.3V 或者 5V 单电源供电。 输出驱动:±30mA。 断电时输出高阻抗。

2024-07-23 13:47:05 92

原创 发光二极管除了用作指示灯,还能干嘛?

当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。磷砷化镓二极管发红光,磷化镓二极管发绿光,碳化硅二极管发黄光一定的电流后,电子与空穴不断流过PN结或与之类似的结构面,并进行自发复合产生辐射光的二极管半导体器件。在红外遥控器、红外无线耳机、红外报警器等电路中,红外发光二极管担任光发射管,电路如图三所示,VT为开关调制晶体管,VD为红外发光二极管。R为限流电阻,I为通过发光二极管的正向电流。

2024-07-22 14:50:34 269

原创 保护您的设备免受电气故障的影响

EMI 滤波器是一种独特的屏障,可阻止不必要的噪声进入您的设备并防止设备产生的噪声引起其他问题。缺乏适当的保护装置会增加过流长时间延长的风险,几乎肯定会导致灾难性的系统故障:火灾、控制装置故障和对操作员的伤害。当过量电流流过 PPTC 时,高温会导致聚合物从结晶变为非晶态,这种膨胀会破坏导电的路径,从而增加设备的电阻。断路器适用于不同的场景,包括具有各种负载系数的电机,因此有不同的曲线可用于确定跳闸电流和速度。更常见的是,这个问题会影响数字和模拟通信,但某些谐波可能会导致电流增加、散热,并终导致设备故障。

2024-07-19 10:16:37 339

原创 高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图

虽然这些挑战中很明显的是结构稳定性问题,但层数的增加意味着需要使用更深的通道来触及每个字线、以及更窄的狭缝沟槽以隔离连接到位线的通道(图1)。因此,泛林正在测试一种不同的方法来实现所需的刻蚀深度,即先通过设定(例如5微米)刻蚀通道孔,然后在侧壁上沉积保护性衬垫,以避免过度的横向刻蚀。在随后的步骤中,通道孔一直刻蚀到6.9微米。局部关键尺寸均匀性的改善在上游有重要影响:由于泛林的刻蚀和沉积工艺可以减少随机性引起的变化,因此EUV扫描仪可以使用更低的能量,这种光刻-刻蚀技术的协同优化可以将EUV成本降低两倍。

2024-07-18 11:17:28 387

原创 射频硅基氮化镓:两个世界的最佳选择

当世界继续努力追求更高速的连接,并要求低延迟和高可靠性时,信息通信技术的能耗继续飙升。这些市场需求不仅将5G带到许多关键应用上,还对能源效率和性能提出了限制。5G网络性能目标对基础半导体器件提出了一系列新的要求,增加了对高度可靠的射频前端解决方案的需求,提高了能源效率、更大的带宽、更高的工作频率和更小的占地面积。在大规模MIMO(mMIMO)系统的推动下,基站无线电中的半导体器件数量急剧增加,移动网络运营商在降低资本支出和运营支出方面面临的压力更加严峻。因此,限制设备成本和功耗对于高效5G网络的安装和运营至

2024-07-17 11:30:06 476

原创 1片芯片可以同时控制2个电机2.5D/3D封装的TSV技术

光刻机主要应用于倒装(Flip Chip,FC)的凸块制作、2.5D/3D封装的TSV技术,与在前道制造中用于器件成型不同,在先进封装中主要用做金属电极接触,先进封装引入湿制程基本都会使用到光刻机。当某一区域的室内照明装置全部安装完成后,应进行线路的安装技术检查、绝缘检查和通电试验等,检查线路及其装置是否符合技术要求、能否正常工作,经检查合格后才能交付使用。接收到的信号输入至单片机的PTB7端口,经过A/D转换后,送入处理器,以控制机器人的行为转换。电气元件装置的接线柱和线头的连接是否完好。

2024-07-16 14:19:01 284

原创 LDO 基础知识:噪声 - 前馈电容器如何提高系统性能

作为电压调节控制环路的一部分,LDO的误差放大器使用电阻器网络(R1和R2)来提高基准电压的增益,类似于驱动场效应晶体管栅极的同相放大器电路,以使 (VOUT= VREF?(1 R1/R2)。另外,还值得注意的是,前馈电容器仅在使用可调LDO时才可行,因为电阻器网络是外部的。当然,您必须选择CFF的值以及ZFF和PFF的对应位置,以避免导致不稳定性。由于PFF位于单位增益频率的右侧,因此其对相位裕度的影响将是zui小的。通过增加频带的增益,您还将改善该频带的环路响应,从而使特定频率范围的PSRR得到改善。

2024-07-15 10:46:49 385

原创 电动汽车“快充”,能有多快?

从直流充电桩输出300V至750V的高压直流电可直接为动力电池充电,功率可以达到数百千瓦——比如特斯拉的V3超级充电桩,就可支持高达250kW的峰值充电功率,号称充电15分钟可以让Model 3续航250公里。比如,由国际电工委员会(IEC)制定的IEC 61851电动汽车导电充电系统标准,将电动汽车充电细分为四种模式,前三种是交流充电,第四种则是可以提供600V、zui大电流400A的直流充电模式,zui大充电功率达240kW。大类划分,充电类型有交流充电和直流充电两种,它们的技术架构是不同的。

2024-07-13 14:49:47 351

原创 继电器实现直流电机正反转

3)当第2组线圈通电而第1组线圈断电时,第1组继电器常闭(normal close)触点与公共(com)触点连接连通,第2组继电器Normal Open(常开)触点与公共(com)触点连接,这时的电流回路是:VCC从第二组继电器Normal Open(常开)触点流经第二组继电器公共(com)触点到达电机B端,再从电机A端经组继电器公共(com)触点流经第1组继电器常闭(normal close)触点,到达电源GND端,形成回路,此时电机电压为B+A-,电机转动,设为反转。图4:两只继电器组成的正反转电路。

2024-07-11 09:29:08 254

原创 称重传感器有哪些种类

板环式称重传感器的结构具有明确的应力流线分布、输出灵敏度高、弹性体为一整体、结构简单、受力状态稳定、易于加工等优点。在承重台加载被测物时,板簧挠曲,两极板之间的距离发生变化,电路的振荡频率也随之变化。测出频率的变化,即可求出承重台上被测物的质量。利用光电管、转换电路和显示仪表,即可计算出移过的莫尔条纹数量,测出光栅转动角的大小,从而确定和读出被测物质量。有关称重传感器的知识,称重传感器是众多传感器产品中的一种,也是很常用的传感器之一,那么称重传感器有哪些种类,称重传感器的分类方式是什么样的,一起来了解下。

2024-07-10 11:48:36 416

原创 将直流电转换为交流电:逆变器的基本原理

对于某些应用,只要波频在适当的范围内,方波形就不会有害,但是,对于更敏感的电气设备和交流电机的运行,它们可能会出现问题。方波逆变器是简单的逆变器设计,具有低成本的特点,在某些情况下比改进的正弦波或纯正弦波逆变器具有更高的效率。波形的形状就像电网产生的电力。纯正弦波逆变器的工作原理与改进的正弦波逆变器相同,但是需要额外的电子元件来进一步将改进后的正弦波细化为与电网电源非常相似的波。根据应用的不同,方波逆变器可以创建一种简单且经济高效的方式将直流电转换为交流电,只要被供电的设备不受非正弦波形交流电的不利影响。

2024-07-09 11:02:06 777

原创 在开关稳压器中应用峰值电流模式控制以实现高性能

有两个控制回路在运行:一个快速的内部回路,将控制信号 Ve 与模拟的开关电流 Vcs 进行比较以设置脉冲宽度,以及一个较慢的外部回路,将输出电压与参考电压进行比较以生成内部控制信号环形。可以看出,如果在比较器输入端添加一个斜率,等于来自电感下降斜率的等效信号的 50%,则峰值电流检测点会调整以使平均电感电流在占空比扰动的情况下保持恒定。一种有效的解决方案是在低电压电平下进行电阻式感应,在前沿消隐的情况下,控制芯片在固定周期内忽略电流感应信号,通常在每个周期开始时为 50ns。峰值电流模式控制的好处。

2024-07-08 15:01:14 726

原创 机车自动换档系统的单片机设计方案

当机车速度下降到小于柴油机转速时,即Ua<Ub,但Ua>0.95Ub时,F1输出低电平,但由于此时F2的同相输入端U2=0. 95Ub,F2的输出端仍然为低电平,这样,由于单稳触发器的S和R端都输入低电平,所以它的输出端仍维持原来的状态而不输出换档信号。拉霍尔传感器输出的是一个脉冲信号,这个信号的频率与机车的速度成正比。本文介绍的这套机车自动换档系统能够自动检测机车的实时运行速度,并把得出的机车速度信号和柴油机的转速进行比较,再由单片机根据比较出来的结果输出控制指令,以控制相应的执行组件进行自动换档。

2024-07-05 11:18:25 1656

原创 电源设计改进稳定度和误差放大器的解决方案

提到的稳定器具有非常简单的优点,并且由很少的组件组成,但是它具有一定的不稳定性,并且由于齐纳电压会阻止输出电压的变化,因此无法改变它。因此,可以进一步改善输出电压的调节,使得输出负载,输入电压或温度的异常变化不会影响输出电压。使用功率晶体管以及电流放大器的功能,您可以创建和构建稳定器电路,以提供高工作电流,保持输出电压相当恒定,并且齐纳二极管上的电流很小。电路的输出电压不再与齐纳二极管的电压相对应,但是还必须考虑基极和发射极之间的电压降(通常等于0.7 V),这会使它降低某个值。

2024-07-04 11:31:38 850

原创 什么是上拉电阻器?上拉和下拉电阻的典型应用

上拉(或下拉)电阻的适当值受两个因素的限制。上拉电阻的实际值取决于输入引脚的阻抗,而输入引脚的阻抗与引脚的漏电流密切相关。在此类电路中,当开关闭合时,微控制器输入处于逻辑高电平,但当开关开路时,下拉电阻将输入电压拉低至地电位(逻辑零值),从而防止输入端出现未定义状态。下拉电阻的电阻必须大于逻辑电路的阻抗,否则它可能会将电压拉低太多,并且引脚上的输入电压将保持在恒定的逻辑低值,而不管开关位置如何。如果没有上拉电阻,MCU的输入将在开关打开时处于浮动状态,而只有在开关闭合时才会下拉至逻辑低电平。

2024-07-03 10:29:48 651

原创 上位机和下位机的区别

它们的区别主要体现在功能层次、计算能力、实时性、成本、用户界面、稳定性和可靠性等方面。上位机:主要负责处理较高层次的任务,如数据的收集、分析、存储和显示,以及系统的监控和管理。它通常具有较强的计算能力、丰富的数据处理功能和良好的用户界面。下位机:主要负责处理较低层次的任务,如直接控制设备、执行实时任务和处理简单的数据。上位机:通常具有较强的计算能力,以处理复杂的数据分析和图形展示。上位机:通常具有更丰富的用户界面,提供图形化的操作和展示。下位机:需要更高的稳定性和可靠性,因为它们直接控制设备。

2024-07-02 10:16:19 449

原创 为什么PCB线路板要把过孔堵上?

此方法采用36T(43T)的丝网,安装在丝印机上,采用垫板或者钉床,在完成板面的同时,将所有的导通孔塞住,其工艺流程为:前处理--丝印--预烘--曝光--显影--固化此工艺流程时间短,设备的利用率高,能保证热风整平后过孔不掉油、导通孔不上锡,但是由于采用丝印进行塞孔,在过孔内存着大量空气,在固化时,空气膨胀,冲破阻焊膜,造成空洞,不平整,热风整平会有少量导通孔藏锡。导通孔藏锡珠,为了达到客户的要求,导通孔塞孔工艺可谓五花八门,工艺流程特别长,过程控制难,时常有在热风整平及绿油耐焊锡实验时掉油;

2024-07-01 13:47:55 336

原创 开关电源设计需考虑因素

反馈参考电压及精度:反馈电压要与内部的参考电压相比较,配合外部的反馈分压电阻,输出不同电压。输出电容靠近电感,地端增加地过孔。开关频率:通常在 500 kHz 以上,关系到电感电容的选用,其它如 EMC,轻载下噪音等问题也与之有关。输入 / 输出电压:按照器件的推荐工作电压范围选用,考虑实际电压的波动范围,确保不超出器件规格。输出电流:输出电流要保留一定的余量,还需要评估电路的瞬间峰值电流和发热的情况,并满足降额要求。反馈电容:按数据手册要求取值,不同厂家芯片取值不同,输出电压不同也会有不同的要求。

2024-06-28 11:38:33 886

原创 深入解析锂电池保护电路工作原理

一个基本的经验准则是使用不间断的地平面,这一常识降低了数字电路中的dI/dt(电流随时间的变化)效应,这一效应会改变地的电势并会使噪声进入模拟电路。在这两种走线配置中,一条走线上电流随时间的变化(dI/dt),由于这条走线的感抗,会在同一条走线上产生电压;在模拟布线设计中,旁路电容通常用于旁路电源上的高频信号,如果不加旁路电容,这些高频信号可能通过电源引脚进入敏感的模拟芯片。常用的技术是根据电容的方程,改变走线之间的尺寸。由于这种电容的存在,在一条走线上的快速电压变化,可在另一条走线上产生电流信号。

2024-06-27 16:13:01 884

原创 5条DC-DC PCB layout建议

红色为输入环路,绿色为输出环路。每一个电流环都可看作是一个环路天线,会对外辐射能量,引起EMI问题,辐射的大小与环路面积呈正比。因为输出回路中电流是连续的,而输入回路中电流是跳变的,会产生较大的di/dt,会引起EMI问题的可能性更高。① 通常FB反馈网络处的分压电阻都采用K级,10K级或上百K的阻值,阻值越大,越容易受干扰,应远离各种噪声源如电感、SW、续流二极管等;② FB、COMP脚的信号地尽可能地与走大电流的功率地隔离开,然后进行单点相连,尽量不要让大电流信号的地 去干扰到小信号电流的地;

2024-06-26 10:58:32 302

原创 热电发电机越来越受到研发关注

d) 完全折叠的热电带。电化学电池的选择是行不通的,因为它们在极冷的太空中不起作用,如果没有太阳能加热效应,太空的温度约为 2.7 K。的卡尔斯鲁厄理工学院(KIT)(德国)的一个团队开发了一种使用可印刷热电聚合物和复合材料生产 TEG 的方法,采用低成本、全丝网印刷的柔性设计。他们使用独特的两步“折纸式”折叠技术,利用基于 PEDOT [聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)] 纳米线的热电油墨,将 2D 布局打印在薄的柔性基板上,从而生产出机械稳定的 3D 立方体设备和 TiS 2:己胺络合物材料,图 4。

2024-06-25 10:25:24 291

原创 SiC MOSFET的性能优势以及技术难点

当Si MOS外置回流用的快速二极管时,由于体二极管和外置二极管的Vf大小相等,为了防止朝向恢复慢的体二极管侧回流,必须在MOSFET上串联低电压阻断二极管,这样的话,既增加了器件数量,也使导通损耗进一步恶化。SiC MOS由于材料特性其击穿场强远高于硅,故不需要很厚的漂移区厚度就可以实现高耐压和低阻抗,而且SiC MOS是单极型器件,原理上不产生尾电流,所以用SiC MOSFET替代IGBT时,在IGBT不能工作的高频条件下驱动,明显地减少开关损耗,并且实现散热部件的小型化。

2024-06-24 16:35:05 848

原创 用于快速充电站的 AC/DC 转换器概述

未来的预期工作期待在 FC 中使用 MLC,以从这些转换器的各种优势中受益,同时为电动汽车提供高功率和超快速充电系统。如果没有高效的充电基础设施,电动汽车的普及可能是一个缓慢的过程。NPC 逆变器的每条支路都有四个可以控制的晶体管,总共提供 24 = 16 种可能状态,但其中只有三种状态是可行的,因为其他状态会在直流链路上造成短路。本文概述了 AC/DC 转换器、充电站类型、传统两电平 (2L) AC/DC 转换器面临的问题以及使用多电平转换器 (MLC) 的重要性。但是,这可能会因电池的能量容量而异。

2024-06-21 10:54:40 906

原创 为什么保险丝导通不导电?主要是这五点

自恢复保险丝的动作原理是一种能量的动态平衡,流过RF/WH系列元件的电流由于RF/WH系列的关系产生热量,产生的热全部或部分散发到环境中,而没有散发出去的热便会提高RF/WH系列元件的温度。用于过电流保护的保险丝就是平常说的保险丝(也叫限流保险丝)。用于过热保护的保险丝一般被称为温度保险丝。1、电网电路突发冲击高压,如雷击、附近大电机切断时的自感高电压,保险丝会熔断保护了内电路。2、内电路的大电器启动时会有大电流,如果此时已有大电器在使用,总电流超载,导致保险丝熔断。保险丝在没有损坏的情况下是导电的。

2024-06-20 10:14:20 146

原创 开关直流升压电原理分析

开关管关断时,电感中的磁能转化为电能在电感端左负右正,此电压叠加在电源正 端,经由二极管-负载形成回路,完成升压功能。3.尽可能降低控制电路的消耗,因为对于转换来说,控制电路的 消耗某种意义上是浪费掉的,不能转化为负载上的能量。当开关断开(三极管截止)时,由于电感的电流 保持特性,流经电感的电流不会马上变为0,而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。而原来的电路已断开,于是电感只能通过新电路放电,即电感开始给电容充电, 电容两端电压升高,此时电压已经高于输入电压了。充电时,电感吸收能量,放电时电感放出能量。

2024-06-19 14:11:12 398

原创 电致变色和电泳——有什么区别?

电泳显示器需要 15 V 进行切换,因此专用显示器驱动器可将标准 CMOS 系统电压 3 或 5 V 升压至切换所需的 15 V。这些显示器是通过以薄层印刷电极、聚合物和电解质的材料堆叠来制造的(图 3)。这些显示器的厚度只有几百微米,因此具有高度的灵活性。电致变色显示器可以在低至 3 V 的电压下进行切换,这意味着它们通常可以由标准 CMOS 产品直接驱动,而不需要生成更高切换电压的专用显示器驱动器。虽然电泳显示器和电致变色显示器都是反射显示器的示例,但其基础技术却截然不同。图 4. 电泳显示像素操作。

2024-06-18 11:30:58 351

原创 定位和测量 EFD 和 ESD 突发干扰源

为了确定EUT在EFT/ESD测试中失败的原因,我们首先应该定位系统中突发干扰的当前路径,并找出该路径周围存在哪些易受影响的信号线和器件(敏感点)。在完整的交替信号序列(1s)中检测到的光脉冲的计数值代表干扰阈值的位置——EUT的敏感性。注意,磁场不仅由电源线和排线的干扰电流产生,而且还由旁路电容(C)的电流路径以及内部GND和V CC的电流产生,这会扩大干扰。MS02瞬态磁场探头是无源的,如果通过光纤连接到SGZ21计数器的输入端,则可以根据计数器的读数来检测爆发电动势的相对强度。

2024-06-17 10:35:20 304

原创 小功率无变压器电源设计

与前一种情况一样,所选组件的功率值必须至少是理论功率值的两倍,这可以通过应用欧姆定律计算(对于电阻器 R 1 为 P = R × I 2 ,对于电阻器 R 1 为 P = R × I 2 ,对于电阻器 R 1 为 P = R × I ,对于电阻器 R 1 为P = R × I 2 , 对于二极管 D 1 和 D 2 )。二极管 D 1 的 功率应至少是由以下公式给出的理论值的两倍:小功率无变压器电源设计这同样适用于二极管 D 2的功率,其中现在可以使用恒压值 0.7 V 代替 V Z。

2024-06-15 14:09:35 595

原创 晶体管的高频等效模型

底XCm=l0l,ν=lw(1k)U底Xc=Xc,1k考虑在近似计算时,K取中频时的值,所以|A|=K,Xc约为X的(1+|k|)分之一,因此C′=(1k)G=(1+|K|)C,(4.2.1)be间总电容为C′=C,+C=C,+(1+|k|)C,(4.2.2)用同样的分析方法,可以得出Cr1Λ1kc(4.2.3)因为C′>c′,且一般情况下C,的容抗远大于R′,C;虽然利用β和,g=g。cb间的结电容,C.近似为C.c,的数值可通过手册给出的特征频率.和放大电路的静态工作点求解,具体分析见4.2.2节。

2024-06-14 14:20:06 781

原创 电容器连接到 PCB 电源层的过孔配置

有趣的是,图 7 中所示的电流分布的总电感将主要由过孔附近的大电感决定。因此,多个通孔可以减小通孔附近的平面的电感,并且因此减小去耦环路的电感。因此,当我们的通孔承载相反方向的电流时,增加它们之间的磁耦合将减少每个通孔表现出的有效电感。因此,当我们有承载相同方向电流的过孔时,增加它们之间的磁耦合将增加每个过孔表现出的有效电感。由于这两个过孔的电流流向相反,因此增加的互感将减小每个过孔的净电感。如果连接到同一焊盘的过孔之间没有互感,我们可以很容易地得出结论,并联过孔的等效电感将与过孔的数量成反比。

2024-06-13 11:49:27 334

原创 隔离式 AC-DC 反激电源设计原理分析

LinkSwitch-LP 的设计目的是在输出功率低于 2.5 W 时无需初级侧钳位电路,从而显着减少组件数量和总系统成本。LinkSwitch-LP 系列经过优化,当变压器上的辅助或偏置绕组提供反馈时,可提供近似的 CV/CC 输出特性。这非常适合取代工频变压器的应用,提供兼容的输出特性,但过载、短路电流和输入线电压变化较小。LinkSwitch-LP 系列旨在取代手机/无绳电话、PDA、数码相机和便携式音频播放器等应用中输出功率 < 2.5 W 的低效线频线性变压器电源。

2024-06-12 13:51:36 165

原创 电压模式 R-2R DAC 的工作原理和特性

数模转换器 (DAC) 接收以数字代码表示的数据并产生等效的模拟输出(参见下图 1)。值得一提的是,除了数字输入之外,DAC 还需要模拟参考电压或电流才能运行。该参考可以在 DAC 芯片内部生成或从外部提供。产生图 1 传递函数的基本结构如下图 2 所示。这种结构称为串 DAC 或开尔文分压器,使用八个相等的串联电阻来产生三位 DAC 的八个不同电压电平。例如,要产生等于 V REF /4 的模拟输出,我们只需打开开关 sw 4即可。

2024-06-11 14:37:48 1135

原创 正确的功能可将热晶体管风速计线性化

处理传感器电路输出信号的电路或计算公式必须生成传感器响应的反函数。例如,如果传感器响应是对数函数,则线性化部分的响应必须是指数的。在实际应用中,由于A/D转换的误差、数字大小的限制以及计算过程中的舍入误差,误差可能不会那么小;其中 N 是微控制器生成的数字,Vs 是传感器电路的输出电压。A 到 D 四个系数的存在提供了很大的灵活性来拟合所需的点集。图 1该计算方法在显示的数字和气流速率之间提供了高度线性的 1:1 关系。测试了几个不同复杂度的函数。图 2仔细观察揭示了整体响应的非常小的非线性。

2024-06-07 14:13:45 149

原创 什么是晶体管?晶体管的种类

场效应晶体管(FET): 场效应晶体管是另一种常见的晶体管类型,包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅场效应晶体管(IGFET)。双极型晶体管(双极型BJT晶体管): 双极型晶体管具有三个区域:发射极、基极和集电极。双极型复合晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT): 这种晶体管结合了双极型晶体管和场效应晶体管的特性,具有高频放大特性和适中功率特性。功率晶体管: 专门设计用于高功率应用的晶体管,通常用于功率放大器、变频器等领域。

2024-06-05 09:38:13 215

原创 电感的单位是什么?

当一个线圈中的电流变化时,它所产生的变化磁场会在另一个线圈中产生感应电动势,这种现象叫做互感。互感现象是电磁感应现象的一种特殊情况,它不仅发生于绕在同一铁芯上的两个线圈之间,而且也可以发生于任何两个相互靠近的电路之间。电感的数值与线圈的圈数、线圈的形状、绕在线圈上的磁芯大小形状及线圈的绝缘材料等有关。有磁芯的线圈比无磁芯的线圈电感量大;磁芯的磁性越强,线圈的电感量也越大。电感的单位是亨利(Henry),简称“亨”,符号用H表示。电感的基本单位是亨利,简称“亨”,符号用H表示。

2024-05-31 09:44:08 385

原创 变压器“变压”和“变流”说明

在图3—16(a)中,要负载从 信号源中获得功率,需让负载Z 载的阻抗Z与信号源内阻R相等,即Z=R,这里的负载可以是一个 元件,也可以是一个电路,它的阻抗可以用Z=表示。列如,某个电源变压器上标注“输入电压220V,输出电压6V”,那么该变压器的一、次绕组匝数比n=220/6=110/3≈37,当将该变压器接在电路中时,二次绕组流出的电是绕组流入电流的37倍。从上面式子可知,变压器的、二次电压与一、二次电流成反比,若提升了二次电压,就会使二次电流减小,降低二次电压,二次电流会增大。

2024-05-30 10:22:39 284

原创 0.25W 1.5KVDC~3KVDC 隔离超小型单输出 DC/DC 电源模块——TKE-W25系列

TKE-W25系列隔离超小型单输出 DC/DC 电源模块是一款超小型单输出电源模块,工业级环境温度,用于PCB安装的国际标准结构。此系列产品小巧,效率高,低输出纹波,用于需要电压转换和隔离的场合,封装有SIP和DIP可选。

2024-05-29 15:27:14 164

原创 3W 1.5KVDC、3KVDC 隔离,宽电压输入 DC/DC 电源模块——TP03DA 系列

TP03DA系列电源模块额定输出功率为3W,外形尺寸为31.75*20.32*10.65,应用于2:1及4:1宽电压输入范围 4.5-9V、9V-18V、18V-36V、36V-72V、9V-36V和18-72VDC的输入电压环境,输出电压精度可达±1%,具有输出短路保护等功能,可广泛应用于通信、铁路、自动化以及仪器仪表等行业。

2024-05-28 14:09:33 162

原创 MOS 管的四种类型介绍

N 沟道耗尽型 MOS 管的结构形式与 N 沟道增强型 MOS管的相同,都采用P 型衬底,导电沟道为 N型。MOS管接成的开关电路图3.3.9是 N沟道耗尽型 MOS 管的符号,图中 D-S间是连通的,表示vCS=0时已有导电沟道存在。vGS=0时不存在导电沟道,只有在栅极上加以足够大的负电压时,才能把 N型衬底中的少数载流子——空穴吸引到栅极下面的衬底表面,形成P型的导电沟道。P 沟道耗尽型 MOS管与 P 沟道增强型 MOS 管的结构形式相同,也是 N 型衬底,导电沟道为 P 型。

2024-05-24 15:20:28 292

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