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矽普
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Jack15302768279
这个作者很懒,什么都没留下…
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继电器实现直流电机正反转
3)当第2组线圈通电而第1组线圈断电时,第1组继电器常闭(normal close)触点与公共(com)触点连接连通,第2组继电器Normal Open(常开)触点与公共(com)触点连接,这时的电流回路是:VCC从第二组继电器Normal Open(常开)触点流经第二组继电器公共(com)触点到达电机B端,再从电机A端经组继电器公共(com)触点流经第1组继电器常闭(normal close)触点,到达电源GND端,形成回路,此时电机电压为B+A-,电机转动,设为反转。图4:两只继电器组成的正反转电路。原创 2024-07-11 09:29:08 · 86 阅读 · 0 评论 -
称重传感器有哪些种类
板环式称重传感器的结构具有明确的应力流线分布、输出灵敏度高、弹性体为一整体、结构简单、受力状态稳定、易于加工等优点。在承重台加载被测物时,板簧挠曲,两极板之间的距离发生变化,电路的振荡频率也随之变化。测出频率的变化,即可求出承重台上被测物的质量。利用光电管、转换电路和显示仪表,即可计算出移过的莫尔条纹数量,测出光栅转动角的大小,从而确定和读出被测物质量。有关称重传感器的知识,称重传感器是众多传感器产品中的一种,也是很常用的传感器之一,那么称重传感器有哪些种类,称重传感器的分类方式是什么样的,一起来了解下。原创 2024-07-10 11:48:36 · 385 阅读 · 0 评论 -
将直流电转换为交流电:逆变器的基本原理
对于某些应用,只要波频在适当的范围内,方波形就不会有害,但是,对于更敏感的电气设备和交流电机的运行,它们可能会出现问题。方波逆变器是简单的逆变器设计,具有低成本的特点,在某些情况下比改进的正弦波或纯正弦波逆变器具有更高的效率。波形的形状就像电网产生的电力。纯正弦波逆变器的工作原理与改进的正弦波逆变器相同,但是需要额外的电子元件来进一步将改进后的正弦波细化为与电网电源非常相似的波。根据应用的不同,方波逆变器可以创建一种简单且经济高效的方式将直流电转换为交流电,只要被供电的设备不受非正弦波形交流电的不利影响。原创 2024-07-09 11:02:06 · 639 阅读 · 0 评论 -
在开关稳压器中应用峰值电流模式控制以实现高性能
有两个控制回路在运行:一个快速的内部回路,将控制信号 Ve 与模拟的开关电流 Vcs 进行比较以设置脉冲宽度,以及一个较慢的外部回路,将输出电压与参考电压进行比较以生成内部控制信号环形。可以看出,如果在比较器输入端添加一个斜率,等于来自电感下降斜率的等效信号的 50%,则峰值电流检测点会调整以使平均电感电流在占空比扰动的情况下保持恒定。一种有效的解决方案是在低电压电平下进行电阻式感应,在前沿消隐的情况下,控制芯片在固定周期内忽略电流感应信号,通常在每个周期开始时为 50ns。峰值电流模式控制的好处。原创 2024-07-08 15:01:14 · 713 阅读 · 0 评论 -
机车自动换档系统的单片机设计方案
当机车速度下降到小于柴油机转速时,即Ua<Ub,但Ua>0.95Ub时,F1输出低电平,但由于此时F2的同相输入端U2=0. 95Ub,F2的输出端仍然为低电平,这样,由于单稳触发器的S和R端都输入低电平,所以它的输出端仍维持原来的状态而不输出换档信号。拉霍尔传感器输出的是一个脉冲信号,这个信号的频率与机车的速度成正比。本文介绍的这套机车自动换档系统能够自动检测机车的实时运行速度,并把得出的机车速度信号和柴油机的转速进行比较,再由单片机根据比较出来的结果输出控制指令,以控制相应的执行组件进行自动换档。原创 2024-07-05 11:18:25 · 1171 阅读 · 0 评论 -
电源设计改进稳定度和误差放大器的解决方案
提到的稳定器具有非常简单的优点,并且由很少的组件组成,但是它具有一定的不稳定性,并且由于齐纳电压会阻止输出电压的变化,因此无法改变它。因此,可以进一步改善输出电压的调节,使得输出负载,输入电压或温度的异常变化不会影响输出电压。使用功率晶体管以及电流放大器的功能,您可以创建和构建稳定器电路,以提供高工作电流,保持输出电压相当恒定,并且齐纳二极管上的电流很小。电路的输出电压不再与齐纳二极管的电压相对应,但是还必须考虑基极和发射极之间的电压降(通常等于0.7 V),这会使它降低某个值。原创 2024-07-04 11:31:38 · 844 阅读 · 0 评论 -
什么是上拉电阻器?上拉和下拉电阻的典型应用
上拉(或下拉)电阻的适当值受两个因素的限制。上拉电阻的实际值取决于输入引脚的阻抗,而输入引脚的阻抗与引脚的漏电流密切相关。在此类电路中,当开关闭合时,微控制器输入处于逻辑高电平,但当开关开路时,下拉电阻将输入电压拉低至地电位(逻辑零值),从而防止输入端出现未定义状态。下拉电阻的电阻必须大于逻辑电路的阻抗,否则它可能会将电压拉低太多,并且引脚上的输入电压将保持在恒定的逻辑低值,而不管开关位置如何。如果没有上拉电阻,MCU的输入将在开关打开时处于浮动状态,而只有在开关闭合时才会下拉至逻辑低电平。原创 2024-07-03 10:29:48 · 636 阅读 · 0 评论 -
上位机和下位机的区别
它们的区别主要体现在功能层次、计算能力、实时性、成本、用户界面、稳定性和可靠性等方面。上位机:主要负责处理较高层次的任务,如数据的收集、分析、存储和显示,以及系统的监控和管理。它通常具有较强的计算能力、丰富的数据处理功能和良好的用户界面。下位机:主要负责处理较低层次的任务,如直接控制设备、执行实时任务和处理简单的数据。上位机:通常具有较强的计算能力,以处理复杂的数据分析和图形展示。上位机:通常具有更丰富的用户界面,提供图形化的操作和展示。下位机:需要更高的稳定性和可靠性,因为它们直接控制设备。原创 2024-07-02 10:16:19 · 424 阅读 · 0 评论 -
为什么PCB线路板要把过孔堵上?
此方法采用36T(43T)的丝网,安装在丝印机上,采用垫板或者钉床,在完成板面的同时,将所有的导通孔塞住,其工艺流程为:前处理--丝印--预烘--曝光--显影--固化此工艺流程时间短,设备的利用率高,能保证热风整平后过孔不掉油、导通孔不上锡,但是由于采用丝印进行塞孔,在过孔内存着大量空气,在固化时,空气膨胀,冲破阻焊膜,造成空洞,不平整,热风整平会有少量导通孔藏锡。导通孔藏锡珠,为了达到客户的要求,导通孔塞孔工艺可谓五花八门,工艺流程特别长,过程控制难,时常有在热风整平及绿油耐焊锡实验时掉油;原创 2024-07-01 13:47:55 · 335 阅读 · 0 评论 -
开关电源设计需考虑因素
反馈参考电压及精度:反馈电压要与内部的参考电压相比较,配合外部的反馈分压电阻,输出不同电压。输出电容靠近电感,地端增加地过孔。开关频率:通常在 500 kHz 以上,关系到电感电容的选用,其它如 EMC,轻载下噪音等问题也与之有关。输入 / 输出电压:按照器件的推荐工作电压范围选用,考虑实际电压的波动范围,确保不超出器件规格。输出电流:输出电流要保留一定的余量,还需要评估电路的瞬间峰值电流和发热的情况,并满足降额要求。反馈电容:按数据手册要求取值,不同厂家芯片取值不同,输出电压不同也会有不同的要求。原创 2024-06-28 11:38:33 · 878 阅读 · 0 评论 -
深入解析锂电池保护电路工作原理
一个基本的经验准则是使用不间断的地平面,这一常识降低了数字电路中的dI/dt(电流随时间的变化)效应,这一效应会改变地的电势并会使噪声进入模拟电路。在这两种走线配置中,一条走线上电流随时间的变化(dI/dt),由于这条走线的感抗,会在同一条走线上产生电压;在模拟布线设计中,旁路电容通常用于旁路电源上的高频信号,如果不加旁路电容,这些高频信号可能通过电源引脚进入敏感的模拟芯片。常用的技术是根据电容的方程,改变走线之间的尺寸。由于这种电容的存在,在一条走线上的快速电压变化,可在另一条走线上产生电流信号。原创 2024-06-27 16:13:01 · 869 阅读 · 0 评论 -
SiC MOSFET的性能优势以及技术难点
当Si MOS外置回流用的快速二极管时,由于体二极管和外置二极管的Vf大小相等,为了防止朝向恢复慢的体二极管侧回流,必须在MOSFET上串联低电压阻断二极管,这样的话,既增加了器件数量,也使导通损耗进一步恶化。SiC MOS由于材料特性其击穿场强远高于硅,故不需要很厚的漂移区厚度就可以实现高耐压和低阻抗,而且SiC MOS是单极型器件,原理上不产生尾电流,所以用SiC MOSFET替代IGBT时,在IGBT不能工作的高频条件下驱动,明显地减少开关损耗,并且实现散热部件的小型化。原创 2024-06-24 16:35:05 · 816 阅读 · 0 评论 -
小功率无变压器电源设计
与前一种情况一样,所选组件的功率值必须至少是理论功率值的两倍,这可以通过应用欧姆定律计算(对于电阻器 R 1 为 P = R × I 2 ,对于电阻器 R 1 为 P = R × I 2 ,对于电阻器 R 1 为 P = R × I ,对于电阻器 R 1 为P = R × I 2 , 对于二极管 D 1 和 D 2 )。二极管 D 1 的 功率应至少是由以下公式给出的理论值的两倍:小功率无变压器电源设计这同样适用于二极管 D 2的功率,其中现在可以使用恒压值 0.7 V 代替 V Z。原创 2024-06-15 14:09:35 · 590 阅读 · 0 评论 -
晶体管的高频等效模型
底XCm=l0l,ν=lw(1k)U底Xc=Xc,1k考虑在近似计算时,K取中频时的值,所以|A|=K,Xc约为X的(1+|k|)分之一,因此C′=(1k)G=(1+|K|)C,(4.2.1)be间总电容为C′=C,+C=C,+(1+|k|)C,(4.2.2)用同样的分析方法,可以得出Cr1Λ1kc(4.2.3)因为C′>c′,且一般情况下C,的容抗远大于R′,C;虽然利用β和,g=g。cb间的结电容,C.近似为C.c,的数值可通过手册给出的特征频率.和放大电路的静态工作点求解,具体分析见4.2.2节。原创 2024-06-14 14:20:06 · 770 阅读 · 0 评论 -
电容器连接到 PCB 电源层的过孔配置
有趣的是,图 7 中所示的电流分布的总电感将主要由过孔附近的大电感决定。因此,多个通孔可以减小通孔附近的平面的电感,并且因此减小去耦环路的电感。因此,当我们的通孔承载相反方向的电流时,增加它们之间的磁耦合将减少每个通孔表现出的有效电感。因此,当我们有承载相同方向电流的过孔时,增加它们之间的磁耦合将增加每个过孔表现出的有效电感。由于这两个过孔的电流流向相反,因此增加的互感将减小每个过孔的净电感。如果连接到同一焊盘的过孔之间没有互感,我们可以很容易地得出结论,并联过孔的等效电感将与过孔的数量成反比。原创 2024-06-13 11:49:27 · 328 阅读 · 0 评论 -
隔离式 AC-DC 反激电源设计原理分析
LinkSwitch-LP 的设计目的是在输出功率低于 2.5 W 时无需初级侧钳位电路,从而显着减少组件数量和总系统成本。LinkSwitch-LP 系列经过优化,当变压器上的辅助或偏置绕组提供反馈时,可提供近似的 CV/CC 输出特性。这非常适合取代工频变压器的应用,提供兼容的输出特性,但过载、短路电流和输入线电压变化较小。LinkSwitch-LP 系列旨在取代手机/无绳电话、PDA、数码相机和便携式音频播放器等应用中输出功率 < 2.5 W 的低效线频线性变压器电源。原创 2024-06-12 13:51:36 · 162 阅读 · 0 评论 -
电感的单位是什么?
当一个线圈中的电流变化时,它所产生的变化磁场会在另一个线圈中产生感应电动势,这种现象叫做互感。互感现象是电磁感应现象的一种特殊情况,它不仅发生于绕在同一铁芯上的两个线圈之间,而且也可以发生于任何两个相互靠近的电路之间。电感的数值与线圈的圈数、线圈的形状、绕在线圈上的磁芯大小形状及线圈的绝缘材料等有关。有磁芯的线圈比无磁芯的线圈电感量大;磁芯的磁性越强,线圈的电感量也越大。电感的单位是亨利(Henry),简称“亨”,符号用H表示。电感的基本单位是亨利,简称“亨”,符号用H表示。原创 2024-05-31 09:44:08 · 379 阅读 · 0 评论 -
变压器“变压”和“变流”说明
在图3—16(a)中,要负载从 信号源中获得功率,需让负载Z 载的阻抗Z与信号源内阻R相等,即Z=R,这里的负载可以是一个 元件,也可以是一个电路,它的阻抗可以用Z=表示。列如,某个电源变压器上标注“输入电压220V,输出电压6V”,那么该变压器的一、次绕组匝数比n=220/6=110/3≈37,当将该变压器接在电路中时,二次绕组流出的电是绕组流入电流的37倍。从上面式子可知,变压器的、二次电压与一、二次电流成反比,若提升了二次电压,就会使二次电流减小,降低二次电压,二次电流会增大。原创 2024-05-30 10:22:39 · 269 阅读 · 0 评论 -
MOS 管的四种类型介绍
N 沟道耗尽型 MOS 管的结构形式与 N 沟道增强型 MOS管的相同,都采用P 型衬底,导电沟道为 N型。MOS管接成的开关电路图3.3.9是 N沟道耗尽型 MOS 管的符号,图中 D-S间是连通的,表示vCS=0时已有导电沟道存在。vGS=0时不存在导电沟道,只有在栅极上加以足够大的负电压时,才能把 N型衬底中的少数载流子——空穴吸引到栅极下面的衬底表面,形成P型的导电沟道。P 沟道耗尽型 MOS管与 P 沟道增强型 MOS 管的结构形式相同,也是 N 型衬底,导电沟道为 P 型。原创 2024-05-24 15:20:28 · 282 阅读 · 0 评论 -
MOS产品在光伏逆变器上的应用与数据分析
光伏逆变器主要由功率转换模块、微机控制模块、EMI模块、保护电路、监测模块、人机交互模块等组成,其发展依赖于电子电路技术、半导体器件技术及现代控制技术的发展。根据CPIA数据,2022年国内光伏新增装机达到87.41GW,实现了59.3%的同比增速,2023年表现更加亮眼,增速进一步扩大到148.1%,光伏新增装机量实现了216.88GW的新高。2023年全球光伏装机量表现优异,根据BloombergNEF统计数据,2023年全球光伏新增装机量444GW,同比增长76.2%,其中约一半新增装机量来自中国。原创 2024-04-25 13:40:03 · 408 阅读 · 0 评论 -
MOS产品在储能上的应用与储能应用的分析
在不同储能技术中,机械储能中的抽水蓄能是当前商业化应用最为成熟的储能方式,以锂电池、钠硫电池为代表的电化学储能整体处于示范和部署到商业化过渡阶段,近年来发展迅速。电池管理系统BMS用于监控、调节电池的充放电,以及在故障时及时关闭输出回路,保证电池的使用安全。我们针对便携式储能、户用储能、工商业储能、集中式储能等应用场景进行全平台布局,产品方向包括Trench/SGT/SJ/SiC MOSFET,IGBT单管和模块同步在研发中。依据储存方式,储能可分为机械储能、电磁储能、电化学储能、热储能和化学储能。原创 2024-04-23 10:13:57 · 297 阅读 · 0 评论 -
便携式储能有什么优点?MOS该如何选型?
便携式储能产品优先包括:电量更多;支持同时充多个数码设备;充电时间短续航时间长等等。• 较强的SOA和EAS性能的Trench MOSFET可以用于BMS 和 Vbus。• 低 FOM 值的 SGT MOSFET 产品,可以用于 MPPT,DC-DC。• 输入PFC、AC-DC 和输出 DC-AC 中可以使用SJ MOSFET。原创 2023-12-20 16:23:21 · 485 阅读 · 0 评论