UPS电源技术与应用

二 、常用电力电子器件

2.1 电力二极管

半导体整流器(SR-semiconductor rectifier)

2.1.1 工作原理

以半导体PN结为基础。纯净的硅和锗称其为本征半导体，其导电性能很不好。如果给本征半导体掺入3价的杂质(如硼或铟)，就会在半导体中产生大量的带正电荷的空穴，其导电能力则会大大增强，这种半导体称为 P型半导体。如果给本征半导体掺人5价的杂质(如磷或砷)，就会在半导体中产生大量的带负电荷的电子其导电能力也会大大增强，这种半导体称为 N 型半导体。

在P型半导体中，有大量的带正电的空穴，称为多数载流子，带负电的自由电子称为少数载流子。

在 N 型半导体中有大量的带负电的自由电子称为多数载流子，带正电的空穴称为少数载流子。

将一块N型半导体和一块P型半导体接触，P型半导体区域(简称P区)的多数载流子(空穴)会扩散到N型半导体区城(简称N区)，N区的多数载流子(电子)会扩散到P区(扩散运动是由浓度高的地方向浓度低的地方运动)，这样在P型半导体和N型半导体接触面上形成了一个带电区城，称其为PN 结或阻层。

 PN结内的电场是由N区指向P区，扩散运动并不能无休止地进行，PN结形成的电场(也叫内电场) 对扩散运动形成了阻力、所以扩散到一定的程度，就会达到电场力的平衡，扩散运动就会停止。

2.1.2 伏安特性

当电力二管承受的正向电压大到一定值 (门槛电压UTo)正向电流才开始明显增加，处于稳定导通状态。与正向电流 IF对应的电力二极管两端的电压UF即为其正向电压降。

当电力二极管承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。当外加反向电压增加到某一电压时 (常称击穿电压)，反向电流突然增大，这种现象称为反向击穿，此时对应的电压称为反向击穿电压。

2.1.3 主要参数

正向平均电流IF(Av)与浪涌电流 IFSM：

正向平均电流IF(Av)是指电力二极管长期运行时，在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。在此电流下，因管子的正向压降引起的损耗造成的结温升高不会超过所允许的最高工作结温。这也是标称其额定电流的参数。

而浪涌电流IFSM是指电力所能承受的最大连续一个或几个工频周期的过电流。

正向压降UF：在指定温度下，流过某一指定的稳态正正向电流时，对应正向压降。

反向重复峰值电压URRM：指电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压，通常是其雪崩击穿电压UB的2/3。

最高工作结温TJM

反向恢复时间（trr）：电流流过零点由正向转换成反向，再由反向到规定的反向恢复电流 Irr值所需的时间称为反向恢复时间(trr)，如图 2-4 所示，IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。通常规定Irr=0.1IRM，当t=t0时，由于加在二极管上的正向电压突然变成反向电压，因此向电流突然降低、并在t=t1,时，I = 0。然后二极管上流过反向电流 IR，IR 逐渐增大，在t = t2 时，达到最大反向恢复电流 IRM。此后二极管受正电压的作用，反向电流逐渐减小。在t=t3时，IR=Irr，由t1~t3所用的时间即为二极管的反向恢复时间。

2.1.4 主要类型

普通二极管(general purpose diode)：又称整流二极管(rectifier diode)，多用于开关频率不高(1kHZ以下)的整流电路中。其反向恢复时间较长，但其正向电流定额和反向电压定额却可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上。

快恢复二极管(FRD-fast recovery diode)：恢复过程很短、特别是反向恢复过程很(一般在5s 以下)。

肖特基二极管：以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二管(SBD-schottky barrier diode)，简称为肖特基二极管。其优点在于:反向恢复时间短(10~40ns)、效率高。肖特基二极管在正向恢复过程中不会有明显的电压过冲，在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管。因此，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小。其弱点在于:当所能承受的反向耐压提高时，其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于 200V以下的低压场合;反向漏电流较大且对温度敏感，因此其反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。

2.1.5 检测方法

①万用表直接测量二极管两端电阻

②通电情况下，测量二极管两端压降（硅二极管0.6~0.7V，）

ps：

结温是处于电子设备中实际半导体芯片（晶圆、裸片）的最高温度。它通常高于外壳温度和器件表面温度。

正向电压降是导通后二极管两端的电压基本上保持不变。

 击穿是指电介质由于加在它两端的电压过高，导致它有了电流通过，并且是大电流通过。这种情况就叫击穿。

雪崩击穿是指PN结的反向电压增大到一个数值时，载流子倍增像雪崩一样，增加得快得多。

当反向电压增大到一定程度时，空间电荷区内就会建立一个很强的电场。这个强电场能把价电子从共价键中拉出来，从而在空间电荷区产生大量电子-空穴对。这些电子-空穴对产生后，空穴被强电场驱到P区，电子被强电场驱到N区，使反向电流猛增。这种由于强电场的作用，直接产生大量电子-空穴对而使反向电流剧增的现象叫做齐纳击穿。