DC-DC电路设计学习笔记——自举电容

DC-DC电路自举电容的作用

在同步BUCK基本拓扑中，上管即控制Vin输入导通的开关器件，下管即形成电感放电回路的开关器件，在DC-DC芯片内部，下管的S极直接与GND相连，只需G极提供一个大于Vgs（th）的电压即可导通。由图，上管的S极接到了输出电压Vsw，此时为维持上管导通则需要提供大于Vsw+Vgs（th）的电压，条件较为苛刻，故需增加自举电容。

提供维持DC-DC上管（HSFET(High Side Mosfet)即高边MOS管）导通所必须的电压差，即
$$Vboot>Vsw+Vgs（th）$$

初始状态，上管关断，下管导通时，Vsw通过下管直接接地，Boot Charge提供电压VIN，给自举电容Cboot充电，充电完成后Cboot电压近似VIN。
当PWM控制器提供高电平，HS Driver开始导通时，Vgs逐渐上升，当上管开始导通后，Vsw逐渐上升，此时由于Cboot的存在，BST位置电压会同步抬高，以维持上管的导通状态。

自举电容选型
一般选值大多为10nF-1uF之间，电容起充电作用。
不能太小也不能太大，需保证在周期内能充满自举电容，避免充不满导致电压偏小，无法维持上管导通，输出异常
电容耐压值大于芯片内部Boot Charge提供电压VIN即可

Rboot电阻
自举电路中也可以加入电阻，一般叫boot电阻，和 BOOT 电容就构成了 RC 充电电路。
BOOT 电阻的大小决定了高边 MOSFET 的开关速度，boot电阻越大，高边mosfet开的就越慢，此时SW上的尖峰会变小，EMI特性更好。
有时也会在SW上预留RC对地吸收，可以吸收SW上尖峰