施敏

 施敏(Simon M. Sze)院士毕业于台湾大学,先后获美国华盛顿大学硕士、斯坦福大学电机科博士学位。毕业后任美国贝尔实验室研究员,主任(1963至1989年)。 1990年自贝尔公司退休,应聘为台湾交通大学电子系讲座教授。自1998年开始兼任台湾“纳米组件实验室”主任。曾担任多所大学客座教授,包括台湾交通 大学、台湾大学、剑桥大学、中山大学、东北大学、北京大学、清华大学及苏州大学。施敏教授对半导体器件有开拓性贡献。1967年发明“非挥发性半导体内 存”,被广泛应用于可携带式电子产品中,包括手机、手提计算机、数码照相机及全球定位系统。曾发表科技论著近200篇,并著书及主编书籍12册。其中 1969年著《半导体器件物理学 》(1981年二版)为近代工程及应用科学被引用最多的文献。1977年当选国际电机电子学会杰出会员。1994年当选为台湾“中央研究院”院士, 1995年当选美国国家工程院院士,1998年当选为中国工程院院士。至今已被诺贝尔奖三次提名。
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今 天有幸听施敏的讲座<非挥发性半导体的发展>,终于有机会一督院士的风采。他讲话很快,中文里大量的夹杂着英文,讲座只有40分钟,后来提问 用了不少时间。他反复强调电子产业的全球范围内的龙头产业,control了半导体,就control了电子,control了电子,就control了 世界。末尾他说,要说名气我在半导体届名气最大,因为名气比我大的都已经死掉了。你们院长说我被诺贝尔奖两次提名,实际上提名好多次呢。可是为什么不是 winner呢?我创造的价值是200billion,远远大于现在的winner——是中国太弱了。我希望中国强大起来,这样也增加我得诺贝尔奖的 chance:>
他还有一句话非常特别:do well ,do good.做好事的时候也为自己赚来财富。
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微电子经典之作! 译者序前言导言第1部分半导体物理第1章半导体物理学和半导体性质概要1.1引言1.2晶体结构1.3能带和能隙1.4热平衡时的载流子浓度1.5载流子输运现象1.6声子、光学和热特性1.7异质结和纳米结构1.8基本方程和实例第2部分器件的基本构件第2章p-n结二极管2.1引言2.2耗尽区2.3电流-电压特性2.4结击穿2.5瞬变特性与噪声2.6端功能2.7异质结第3章金属-半导体接触3.1引言3.2势垒的形成3.3电流输运过程3.4势垒高度的测量3.5器件结构3.6欧姆接触第4章金属-绝缘体-半导体电容4.1引言4.2理想MIS电容4.3硅MOS电容第3部分晶体管第5章双极晶体管5.1引言5.2静态特性5.3微波特性5.4相关器件结构5.5异质结双极晶体管第6章MOS场效应晶体管6.1引言6.2器件的基本特性6.3非均匀掺杂和埋沟器件6.4器件按比例缩小和短沟道效应6.5MOSFET的结构6.6电路应用6.7非挥发存储器6.8单电子晶体管第7章JFET,MESFET和MODFET器件7.1引言7.2JFET和MODFET7.3MODFET第4部分负阻器件和功率器件第8章隧道器件8.1引言8.2隧道二极管8.3相关的隧道器件8.4共振遂穿二极管第9章碰撞电离雪崩渡越时间二极管第10章转移电子器件和实空间转移器件第11章晶闸管和功率器件第5部分光学器件和传感器第12章发光二极管和半导体激光器第13章光电探测器和太阳电池第14章传感器附录A.符号表B.国际单位制C.单位词头D.希腊字母表E.物理常数F.重要半导体的特性G.Si和GaAs的特性H.SiO2和Si3N4的特性

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