本文介绍了Nand Flash的引脚功能，包括I/O、CLE、ALE、CE#、RE#、WE#、WP#、R/B#、Vcc和Vss。Nand Flash引脚复用机制减少了引脚数量，提高了系统可扩展性和芯片体积。此外，文章讨论了Nand Flash的特性，如页擦除时间、编程时间、页数据读取时间等，并提到了页缓存（Page Register）概念。还涵盖了坏块管理，包括出厂坏块和使用过程中产生的坏块。文章最后提及了几个关键技术，如CE don't-care、Copy-Back操作、多片同时编程、交错页编程和随机数据输出等，这些技术提高了编程效率和系统性能。
接下来看一下Nand Flash的引脚(Pin)定义，数据手册截图如下：
上图是常见的Nand Flash所拥有的引脚（Pin）所对应的功能，简单翻译如下：
I/O0 ~ I/O7：用于输入地址/数据/命令，输出数据；
CLE：Command Latch Enable，命令锁存使能，在输入命令之前，要先在模式寄存器中，设置CLE使能；
ALE：Address Latch Enable，地址锁存使能，在输入地址之前，要先在模式寄存器中，设置ALE使能；
CE#：Chip Enable，芯片使能，在操作Nand Flash之前，要先选中此芯片，才能操作；
RE#：Read Enable，读使能，在读取数据之前，要先使CE＃有效；
WE#：Write Enable，写使能, 在写取数据之前，要先使WE＃有效；
WP#：Write Protect，写保护；
R/B#:Ready/Busy Output，就绪/忙，主要用于在发送完编程/擦除命令后，检测这些操作是否完成,忙,表示编程/擦除操作仍在进行中，就绪表示操作完成；
Vcc：Power，电源；
Vss：Ground，接地；
N.C：Non-Connection，未定义，未连接。
注意：在数据手册中，对于一个引脚定义，有些字母上面带一横杠的，那是说明此引脚/信号是低电平有效，如上面的RE头上有个横线，就是说明，此RE是低电平有效，此外，为了书写方便，在字母后面加“＃”，也是表示低电平有效，比如我上面写的CE＃；如果字母头上什么都没有，就是默认的高电平有效，比如上面的CLE，就是高电平有效。上面的锁存指令，如命令锁存使能(Command Latch Enable,CLE) 地址锁存使能(Address Latch Enable，ALE)，是用于指定Nand Flash处理的指令类型，是数据、地址还是命令等，因为
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