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RSS订阅原创 氮化镓芯片到底是怎么做的呢？
氮化镓芯片是一种新型的半导体材料，具有高频率、高功率、高温稳定性和低损耗等优点，被广泛应用于电力电子器件、光电子器件和微波器件等领域。随着科技的不断发展，氮化镓芯片的应用前景越来越广阔，例如在新能源汽车、光伏发电、通信基站等领域都有广泛的应用。因此，研究和开发氮化镓芯片的制备方法和技术对于推动科技进步和产业发展具有重要意义。
2023-11-10 14:37:37
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原创 氮化镓给生活带来怎样的便利
氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，由于其独特的性质和广泛的应用，已经成为了微电子和光电子领域的重要材料之一。下面将详细介绍氮化镓的性质和用途。
2023-11-08 16:04:05
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原创 氮化镓的技术日渐壮大
氮化镓是一种宽带隙半导体材料，具有高电子迁移率、高耐压、高频率等特性。相比传统的硅材料，氮化镓材料的带隙宽度更大，能够承受更高的电压和温度，同时具有更高的电子迁移率和更快的开关速度。这些特性使得氮化镓技术在高温、高压、高频等极端环境下具有优异的表现，被广泛应用于电力电子器件、光电子器件、射频器件等领域。
2023-11-07 15:50:54
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原创 氮化镓快充控制芯片是什么
氮化镓（GaN）是第三代半导体材料，其运行速度比旧式慢速硅（Si）技术加快了二十倍，并且能够实现高出三倍的功率，用于尖端快速充电器产品时，可以实现远远超过现有产品的性能，在尺寸相同的情况下，充电速度提高了三倍。
2023-11-01 17:14:59
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原创 不知道该如何选择氮化镓芯片？
GaN氮化镓比硅更适用于高频功率器件。可以显著降低功率损耗和散热负载，在体积和功率密度方面具有明显的优势。用于逆变器、稳压器、变压器、无线充电等领域，可有效降低能量损耗。
2023-10-27 14:13:48
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原创 120W氮化镓芯片KT65C1R120D
随着科技的不断进步，电力电子技术也在飞速发展。其中，氮化镓（GaN）芯片作为一种新型的电力电子器件，因其具有高效能、高速、高温等优点，已经开始在各个领域得到广泛应用。本文将详细介绍120W氮化镓芯片的特点及其应用场景，同时探讨该技术的未来发展方向。
2023-10-27 13:48:53
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原创 氮化镓充电器用哪种芯片好
随着科技的不断发展，充电器的种类和性能也在不断升级。最近，氮化镓充电器的出现引起了广泛关注。那么，氮化镓充电器是什么？它又是如何比传统充电器更出色的呢？
2023-10-26 16:20:50
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原创 氮化镓充电器为什么这么火？
随着氮化镓充电头的出现，越来越多的人开始关注并选择使用这种新型的充电设备。那么，氮化镓充电头好在哪，为什么这么多人选择呢？氮化镓充电头作为一种新型的充电技术，具有高效率、低发热、安全可靠等特点。它采用了先进的半导体材料，以氮化镓为主要的制程技术，具有更小的体积和更轻的重量，同时能够提供大功率的充电效率。
2023-10-26 15:35:20
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原创 普通快充和氮化镓充电器哪个比较好
随着智能设备的普及，充电器的需求也日益增加。为了能够快速充电，提高充电效率，氮化镓充电器逐渐成为市场上的主流产品。那么，氮化镓充电器和普通快充有什么区别呢？本文将从以下几个方面进行详细介绍。
2023-10-25 16:48:14
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原创 氮化镓充电器如何变得更快更强
总之，氮化镓作为一种新型的宽禁带半导体材料，具有许多独特的性质和优点，它可以大大提高充电器的性能和效率、改善充电器的安全性能、推动电动汽车的应用等。随着科技的不断发展，相信氮化镓在电力电子领域中的应用将会越来越广泛，为人们的生活带来更多的便利和效益。而采用氮化镓后，可以制造出更小、更高效的充电器，从而提高了电动汽车的续航里程和充电速度，使电动汽车更加实用和便捷。而采用氮化镓后，由于其优秀的散热性能和耐高温性能，可以大大降低充电器的温度和电击风险，提高充电器的安全性能。一、提高充电器的效率和功率密度。
2023-10-24 16:19:42
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原创 硅基氮化镓成为射频功率最优选择
射频功率放大器是无线通信系统中的关键部件，其性能直接影响到无线设备的整体性能。传统的射频功率放大器主要采用三五族化合物半导体材料，如GaAs、InP等。然而，这些化合物半导体材料存在成本高、难以维护等问题，限制了射频功率放大器的应用范围。
2023-10-24 15:05:38
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原创 氮化镓第三代半导体材料，在消费电源市场得到广泛应用
目前，快充源市场上氮化镓主要以三种形式使用，即GaN单管功率器件、内置驱动器的GaN功率芯片以及内置控制器、驱动器和GaN功率器件的封装芯片。如果在转换器中使用GaN超导体，可以使用更小的电池，或者使用同样大小的电池，进一步提高电动汽车的续航里程。从氮化镓芯片的工艺成熟度来看，台积电的良品率超过90%，氮化镓功率半导体已经是“非常成熟的器件”。随着各大手机和笔记本电脑品牌纷纷进入氮化镓快充市场，氮化镓功率器件的性能得到进一步验证，同时也加速了氮化镓技术在快充市场的普及。氮化镓技术下的“芯片荒”。
2023-10-23 16:43:22
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原创 氮化镓推动电源解决方案
随着科学技术的不断进步，电力电子设备的应用越来越广泛，而在这些设备中，电源是一个非常重要的部件。近年来，氮化镓（GaN）材料在电源领域的应用逐渐受到关注，成为推动新型电源解决方案的重要力量。
2023-10-20 16:48:59
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原创 氮化镓充电头的原理
随着科学技术的不断进步，充电技术也在发生着前所未有的变革，而随着其中，氮化镓充电头已成为人们关注的新热点。那么，氮化镓充电头的原理是什么呢？KeepTops将为您详细阐述氮化镓充电头的制作、工作原理及应用。
2023-10-20 16:05:30
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原创 氮化镓材料在电力电子器件中的应用
因此，氮化镓材料的使用可以有效降低电力电子设备的导通电阻，从而降低设备的发热量，提高能源利用效率。本文将讨论氮化镓材料的特性，氮化镓在电力电子设备中的应用，以及氮化镓解决方案如何实现更高的能效。因此，使用氮化镓材料可以有效增加电力电子设备的开关速度，从而降低设备的能耗，提高能源利用效率。作为一种宽禁带半导体材料，氮化镓具有开关速度快、导通电阻低、效率高的特点，使得开关电源体积更小、效率更高、发热更少。由于氮化镓材料的特性，使用氮化镓材料的电力电子器件可以具有更高的功率密度。一、氮化镓材料的特性。
2023-10-13 16:05:26
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原创 氮化镓能实现多强大的性能
氮化镓（GaN）是电力电子行业的一个热门话题，因为它可以实现80Plus钛电源、3.8 kW/L电动汽车（EV）车载充电器和电动汽车（EV）充电站等设计。在许多特定的应用中，GaN已经取代了传统的MOSFET晶体管，由于它能够驱动更高的功率密度和具有更高的效率。然而，由于GaN的电气特性和它所能达到的性能，使用GaN元件设计面临着与硅元件完全不同的挑战。
2023-10-13 15:32:22
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原创 电子材料氮化镓芯片有多大的优势
氮化镓快充技术的普及，绝不仅仅是成品数量的增加而已，更重要的是，在芯片层面，氮化镓功率器件的供应商从最初的几家增加到十几家，产品类型多样，主控芯片品牌超过十个，使后续的氮化镓快充市场多元化。开发开辟了最关键的一环。
2023-10-12 17:33:55
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原创 氮化镓快充芯片为电子领域踏出重要的一步
氮化镓快充技术的普及，绝不仅仅是成品数量的增加而已，更重要的是，在芯片层面，氮化镓功率器件的供应商从最初的几家增加到十几家，产品类型多样，主控芯片品牌超过十个，使后续的氮化镓快充市场多元化。开发开辟了最关键的一环。
2023-10-12 16:35:25
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原创 一种高能效、高可靠性氮化镓芯片进入电子领域
作为氮化镓快充控制器国产化的先行者，KeepTops率先实现了氮化镓控制芯片的自主可控性，并成功量产集成GaN直驱的控制器。得到了业界的广泛认可，现已推出。
2023-10-11 15:36:02
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原创 进入第三代半导体领域，开启电子技术的新纪元
第三代宽禁带半导体SiC和GaN在新能源和射频领域已经开始大规模商用。与第一代和第二代半导体相比，第三代半导体具有许多优势，这些优势源于新材料和器件结构的创新。
2023-10-10 16:42:19
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原创 氮化镓的好处
GaN是一种宽禁带材料。因此，它的带隙（电子从价带移动到导带所需的能量）比硅宽得多：约3.4eV对1.12 eV。GaN HE MT增强的电子迁移率与更快的开关速度有关，因为通常积聚在结处的电荷可能消散得更快。由于其较短的上升时间、较低的漏极-源极导通电阻（RDS（on））值以及较小的栅极和输出电容，GaN可以实现较低的开关损耗，并且可以以比硅高10倍的性能工作。在开关频率下工作。能够在高开关频率下工作，从而实现了更小的占地面积、重量和体积，并消除了对电感器和变压器等笨重元件的需求。
2023-10-10 15:59:40
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原创 碳化硅二极管器件在电子领域中有何优势
碳化硅材料的半导体，虽然随着技术的发展，目前碳化硅的成本已经下降了不少，但按市场性价比来看，同类型的硅材料与碳化硅半导体器件的价格相差十倍以上。碳化硅单晶可用于制造晶体管（二极管和晶体管）。由于碳化硅具有较大的禁带宽度，制成的器件可以承受高压和高温，是制作大功率器件的良好材料。缺点是其单晶的制造比较困难，器件工艺也不成熟，而且在器件中的欧姆接触难以做好（因为是宽禁带半导体,重掺杂难以起作用）在半导体器件的应用方面，随着碳化硅生产成本的降低，碳化硅由于其优良的性能而可能取代硅作芯片，打破硅芯片由于材料本身性能
2023-10-09 17:02:53
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原创 SiC二极管在应用领域中有何作用
碳化硅是一种高性能的半导体材料。KeepTops的SiC肖特基二极管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可在电力电子技术领域突破硅的极限，成为新能源。以及用于电力电子装置的优选装置。
2023-10-09 16:14:39
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原创 碳化硅SiC器件到底有多强
与目前广泛使用的Si材料相比，KeepTops的碳化硅材料具有更高的导热性，这决定了其高电流密度特性；其更高的带隙宽度决定了SiC器件的高击穿场强和高工作温度。其优点可归纳为以下几点
2023-10-08 16:14:14
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原创 氮化镓功率器件测试方案
在当今的高科技社会中，氮化镓（GaN）功率器件已成为电力电子技术领域的明星产品，其具有的高效、高频、高可靠性以及高温工作能力等优势在众多领域得到广泛应用。然而，为了确保氮化镓功率器件的性能和可靠性，制定一套科学、规范的测试方案至关重要。
2023-10-08 15:18:52
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原创 氮化镓和碳化硅的结构和性能有何不同
作为第三代功率半导体的绝世双胞胎，氮化镓MOS管和碳化硅MOS管日益受到业界特别是电气工程师的关注。电气工程师之所以如此关注这两种功率半导体，是因为它们的材料与传统的硅材料相比具有许多优点。氮化镓和碳化硅材料较大的禁带宽度和较高的临界场强，使得基于这两种材料的功率半导体具有耐压高、导通电阻低、寄生参数小等优良特性。
2023-10-07 16:44:35
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原创 分析氮化镓芯片的特点
作为第三代半导体材料，氮化镓具有高频、高效率、低发热等特点，是制作功率芯片的理想材料。如今，电源芯片厂商纷纷推出氮化镓封装芯片产品。这些氮化镓芯片可以显著提高充电器的使用效率，减少热量的产生，并且缩小了充电器的体积，使用户在日常出行时更容易携带。
2023-10-07 15:45:58
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原创 碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展
在碳化硅电力电子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受关注的器件。在Si材料接近理论性能极限的今天，SiC功率器件由于具有耐压高、损耗低、效率高等特点，一直被视为理想器件而备受期待。不过，与以往的Si材料器件相比，SiC功率器件在性能和成本之间的平衡以及其对高技术的要求，将成为SiC功率器件能否真正普及的关键。
2023-09-27 15:59:12
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原创 碳化硅MOS管与MOS管有何差异？碳化硅有什么优势？
碳化硅MOS管是以碳化硅半导体材料为基础的金属氧化物半导体场效应管，与传统的硅MOS管有很大的不同。KeepTops来给大家详细介绍碳化硅MOS管与普通MOS管在材料、特性、工作原理及应用等方面的区别。
2023-09-27 14:54:34
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原创 碳化硅新型功率器件的优缺点
碳化硅（SiC）MOS管作为一种新型功率器件，与传统的硅基功率器件相比，在某些特定条件下具有独特的优势，但也存在一定的不足。KeepTops告诉你碳化硅MOS管的优点和缺点。
2023-09-26 17:02:29
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原创 第三代宽禁带半导体碳化硅功率器件的应用
碳化硅（SiC）半导体是第三代宽禁带半导体材料，其禁带宽度可达3.18 eV，而Si和Ge的禁带宽度分别为3.4 eV和2.7 eV，因此具有更高的击穿电压。根据目前SiC器件产品的技术水平，其成本可能比硅器件低30%至50%，但从长远来看，随着尺寸的增大，其成本将进一步增加。由于碳化硅基半导体器件具有更高的击穿电压和更高的热导率，碳化硅电子器件可以承受更高的工作频率，在高频和高温条件下使用时可以减少热应力。SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。
2023-09-26 16:44:52
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