氮化镓能实现多强大的性能

最新推荐文章于 2024-10-16 15:19:29 发布

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文章标签：嵌入式硬件射频工程自动化

本文链接：https://blog.csdn.net/KeepTops/article/details/133811817

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氮化镓（GaN）因其高功率密度和效率在电力电子领域广泛应用，如80Plus钛电源、电动车充电器。GaN FET有耗尽型、增强型和共源极型，其栅极驱动要求特殊，不当操作可能导致器件损坏。集成的GaN解决方案，如LMG3522R030-Q1，集成了栅极驱动器和电源管理，解决了开关损耗和反向恢复等问题，提高了功率密度和效率。

摘要由CSDN通过智能技术生成

氮化镓（GaN）是电力电子行业的一个热门话题，因为它可以实现80Plus钛电源、3.8 kW/L电动汽车（EV）车载充电器和电动汽车（EV）充电站等设计。在许多特定的应用中，GaN已经取代了传统的MOSFET晶体管，由于它能够驱动更高的功率密度和具有更高的效率。然而，由于GaN的电气特性和它所能达到的性能，使用GaN元件设计面临着与硅元件完全不同的挑战。

GaN场效应晶体管包括耗尽型（d-mode）、增强型（e-mode）和共源极型（共源共栅）三种类型，每种类型都有各自的栅极驱动和系统要求。

GaN场效应管的内部结构

每一个GaN电源开关都需要适当的栅极驱动，否则在测试过程中可能会发生意外。GaN器件具有极其灵敏的栅极，因为它们不是传统意义上的MOSFET，而是高电子迁移率晶体管（HE MT）。高电子迁移率晶体管的横截面，类似于MOSFET。GaN FET的电流并不流经整个衬底或缓冲层，而是流经一个二维电子气层。

栅极控制不当可能导致GaN FET的绝缘层、阻挡层或其他结构部件的击穿。这不仅会导致GaN FET在相应的系统条件下无法工作，而且会对器件本身造成永久性的损坏。这种级别的灵敏度要求用户仔细检查不同类型GaN器件的特性及其广泛的需求。HE MT也没有传统的掺杂FET结构，它形成PN结，形成体二极管。这也意味着没有内部二极管，以打破或创建不必要的过程，如在操作过程中的反向恢复。