FPGA之道学习2

数字逻辑的载体

半导体

导体：导电性较好，比如金、银、铜、铁等金属
绝缘体：导电性很差，比如橡胶、陶瓷、金刚石
半导体：电阻率介于导体与绝缘体之间的物质

本征半导体：不含杂质或不含晶格缺陷的半导体，比如纯净的晶体硅
在绝对零度时，价电子没有能力脱离共价键的束缚，所以此时的半导体就相当于绝缘体，但是随着一些外部能量的注入，例如热量、光照、电场等等，某些价电子就会获得足够逃脱共价键束缚的力量，这一过程称为本征激发，即逃出束缚的电子成为带负电的自由电子，，而失去电子的共价键部位由于缺少电子而形成带正电的空穴。因此，在半导体中，参与导电的不仅有电子，还有空穴，本征激发使它们成对产生，当它们相遇时便成对消失，因此整个半导体对外仍然成电中性

掺杂半导体：利用扩散工艺，在本征半导体中添加合适的杂质元素，以改善半导体材料的导电特性

N型半导体：在本征半导体中掺入少量五价杂质元素
在N型半导体中，自由电子称为多子，空穴称为少子

P型半导体：在本征半导体中掺入少量三价杂质元素
在P型半导体中，自由单子称为少子，空穴称为多子

PN结：在N型半导体中掺入一部分三价元素，或者在P型半导体中掺入一部分五价元素
PN结即P型半导体与N型半导体的交界处

二极管

二极管的主要组成部分是一个PN结，通过对PN结的两端各引出一个电极并加管壳封装而成
根据PN结的面积大小，可以将其分为点接触型二极管、面接触型二极管和平面型二极管
点接触型二极管适用于高频、小电流电路方面的应用
面接触型二极管适用于低频、大电流电路方面的应用
平面型二极管不仅能通过较大电流，而且性能稳定可靠，故多用于开关、脉冲及高频方面的应用

伏安特性

当二极管被正向偏置时，其存在一个阈值电压（也称死区电压），当偏置电压小于阈值电压时，电流几乎为0，当偏置电压大于阈值电压时，电流会随着电压的增加呈指数级增加。
在不关心电压、电流细节的应用中，可以粗略地认为导通后的硅二极管具有一个约为0.7V的恒定压降。

当二极管被反向偏置时，由于PN结的单向导通特性，流过二极管的电流几乎为0，二极管呈现出高阻特性。当反向偏置电压过高时，强大的能量场会对半导体器件产生本质的影响，所以二极管会发生击穿，如果这种击穿没有造成二极管温度升高得过于猛烈，那么这种击穿是可逆的，称为电击穿，二极管不会损坏；如果这种击穿使得二极管温度升高得过于猛烈，那么这种击穿是不可逆的，称为热击穿，二极管会损坏。

三极管

又称晶体管，其结构核心是两个PN结，按照PN结排列特性，可分为NPN型三极管和PNP型三极管，其符号和示意结构图

整个三极管主要分为三个部分——发射区、基区、集电区；三个电极称为发射极、基极、集电极对应上图的符号E、B、C。

模拟特性
根据两个PN结的偏置情况不同，可以有四种工作状态：放大状态、饱和状态、截止状态、倒置状态
在模拟电路中，主要关注三极管的放大状态

数字特性
在数字电路中，主要关注三极管的饱和状态与截止状态

MOS管

与三极管类似，MOS管也具有三个电极，使用方法类似，分别为源极（符号为S，功能类似三极管发射极），栅极（符号为G，功能类似三极管基极），漏极（符号为D，功能类似三极管集电极）。与三极管不同的是，MOS管是基于金属-氧化物工艺的，能够做到尺寸更小和高度集成化，且MOS管是压控器件，即通过栅极的电压控制漏源之间的电流，而不像三极管是通过基极的电流控制发射极、集电极之间的电流。
MOS管按照漏源区的半导体特性，也可以分为NMOS和PMOS，并且又可进一步分为增强型和耗尽型两类
如图为一个增强型NMOS的结构和符号

模拟特性
增强型MOS管有三个工作状态，截止状态、饱和状态、非饱和状态

数字特性
在模拟电路中，主要关注MOS管的饱和状态（也称放大状态），在数字电路中，主要关注MOS的非饱和状态与截止状态

CMOS门电路

非门

就是相反器，其实就是NMOS、PMOS的串联互补，对应电路原理如图所示

功耗特性

传输门

是NMOS、PMOS的并联互补，对应的电路原理如图所示

与非门

通过对CMOS反向器的电路进行扩展
如图所示为一个两输入与非门的电路原理图

或非门

通过对CMOS反向器的电路进行扩展
如图所示为一个两输入或非门的电路原理图

三态门

将传输门的一对互补控制信号通过用一个控制信号加一个反相器来实现

硬件描述语言

图形化设计方法

输入A、B分别为1bit待操作数，输入OP为2bit操作选择，输出C为1bit操作结果
OP对应的功能参考下表

利用图形化的设计方法，可以在相关软件中输入如图所示的数字电路来实现相应的功能

为了胜任规模稍大一些的设计，增强电路的重用性，图形化的设计方法支持对数字电路的封装，也称之为打包

软件的执行必须依附于硬件，在编程时，如果需要对软件运行的硬件环境有详细的了解，那么这种代码对应的软件产品一般叫驱动程序；如果不需要对软件运行的硬件环境有太多了解，那么这种代码对应的软件产品一般叫应用程序。不管是驱动程序还是应用程序，都是直接或间接地利用它们所基于的硬件资源做事情，而无法改变硬件资源本身的行为和结构，因此称之为软件编程。

软件的抽象级别比硬件高。

基于FPGA芯片的HDL编程，最终直接改变的是FPGA芯片内部的硬件结构，因此HDL代码的编写是位于硬件层级的，因此抽象级别较软件编程低很多。

一个硬件系统要想工作起来，必须要具有电源供给，尤其是以数字电路为主的硬件系统，需要的必须是特定直流电源的供给。

硬件系统中几乎都需要配备自己的电源供给转换电路，用来将外界的电源输入转换为适合硬件系统需求的电路输出，从而驱动整个硬件系统进行工作。

在电源供给转换电路中，最重要的部分就是直流电源转换芯片，按照其转换原理的不同，又可分为线性电源转换芯片和高频开关转换芯片。

线性电源转换芯片的优点是电源输出纹波小，但缺点是转换效率较低。

高频开关电源转换芯片的优点是转换效率很高，但缺点是电源输出纹波较大。

数据存储芯片

ROM——只读存储器，在掉电后数据不会丢失。
PROM——可编程只读存储器，只能被程序写一次，以后就只能保存和使用这些数据，也称为一次可编程存储器。
EPROM——可擦除可编程ROM，其存储内容的擦除必须借助紫外线的长时间照射才能完成，也称紫外线擦除可编程只读存储器。
EEPROM——可擦除可编程只读存储器，可以直接通过计算机程序对其进行重复的擦写，其擦除、重写的原理是通过使用高于常规的操作电压实现的。其最重要的参数指标就是寿命问题，即可擦写的次数。
Flash，即闪存，是具有长寿命和非易失性的存储器。Flash是EEPROM的一种特殊形式，也称变种。Flash的数据删除和重写是以块（块的容量一般在256KB~20MB之间）为单位，所以Flash的更新速度要远比EEPROM快。Flash分为NOR型和NAND型，其中NOR型具有独立的地址线和数据线，适合频繁地随机读、写场合，适合程序代码的存储和直接运行，但容量通常较小，价格也贵，而NAND型的地址线和数据线是共用的，因此其本身的操作速度和频率就会偏低，但容量相对较大，价格便宜，适合大量资料的存储。

RAM——随机访问存储器，其内部存储单元的内容可按需随意地取出或存入，且存、取的速度与存储单元在存储芯片中的位置无关。在断电时将丢失其存储内容，所以主要用于存储段时间使用的程序。
SRAM——静态随机访问存储器，是一种具有静止存、取功能的内存，即不需要任何额外电路的情况下，就能够将其内部存储的数据保持很长时间而不会丢失。优点是性能高、速度快，缺点是为了能够长时间保存数据，其内部的存储单元电路往往结构较为复杂（通常为六管NMOS）
DRAM——动态随机访问存储器，只能将数据保持很短的一段时间，因此为了延长数据的保存时间，必须要配合使用专门的刷新电路。通常来说，DRAM芯片每隔一段时间就必须要刷新充电一次，否则其内部存储的数据将会因为慢慢的放电效应而丢失，它的缺点是相比于SRAM芯片性能较低，其优点是集成度高。
SDRAM——同步动态随机访问存储器，其中同步是指存储器在工作的时候需要同步时钟信号，无论是存储芯片内部命令的发送还是数据的传输，都必须以时钟信号为基准，而动态是指存储阵列需要不断地刷新来保证数据不丢失。

微处理器芯片系列

微处理器，也叫MCU
80C51单片机

可编程逻辑器件的原理架构

集成电路是一种微型电子器件或部件。它采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线连在一起，制作在小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。
按照集成度来看，集成电路可分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路等。

小规模集成电路，简称SSI，一般在一块硅片上包含的元件不超过100个，或者包含的逻辑门不超过10个
中规模集成电路，简称MSI，一般在一块硅片上包含的元件不超过1000个，或者包含的逻辑门不超过100个
大规模集成电路，简称LSI，一般在一块硅片上包含的元件不超过10万个，或者包含的逻辑门不超过10000个
超大规模集成电路，简称VLSI，泛指在一块芯片上集成的元件数超过10万个，或者门电路数超过10000门的集成电路
特大规模集成电路，简称ULSI，泛指在一块芯片上集成的元件数超过1000万个，或者门电路数超过100万门的集成电路
巨大规模集成电路，简称GSI，泛指在一块芯片上集成的元件数超过1亿个，或者门电路数超过1000万门的集成电路

PLA原理架构

PLA是可编程逻辑器件的始祖，原理架构如图所示

为了精简连线数量，对多输入的“与门”和“或门”进行了简化，如图所示的输出为A和B的“与”

PLA实现的是一个SOP表达式的功能，它有一个可编程的“与阵列”和一个可编程的“或阵列”。其中“打叉”的部分是待编程位置，一旦编程完成，用“实心圆点”表示连接，而什么标识都没有表示断开。

PAL原理架构

PAL是从PLA发展而来的，原理架构如图所示

PAL中仅有与阵列是可编程的，或阵列是固定好的，PAL也是基于SOP表达式的