k2698场效应管参数电流_mos管特性曲线-电流方程与参数详解

mos管特性曲线-电流方程与参数详解

mos管

本文主要讲N沟道增强型mos管特性曲线、电流方程及参数MOS管是金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。

一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。

mos管特性曲线、电流方程及参数详解

(一)mos管特性曲线、电流方程

1、mos管特性曲线-输出特性曲线：N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。

2、mos管特性曲线-转移特性曲线：转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vDS大于某一数值(vDS＞vGS-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线。

iD与vGS的近似关系

与结型场效应管相类似。在饱和区内,iD与vGS的近似关系式为：

式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。

(二)参数

MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压VP ，