【模电】用魔法打败魔法

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part 1 元器件基础

任务1 半导体基础

本征半导体在热激发下产生电子-空穴对的现象称为本征激发。

如果在半导体中掺入少量磷元素，将形成N型半导体，其多子是自由电子。

任务2 PN结极其单向导电性

多子--扩散运动

少子--漂移运动 在电场力作用下，载流子的运动称为漂移运动。

硅二极管的导通电压约为0.7V，而锗二极管的导通电压约为0.3V。

N型半导体中多数载流子是电子，少数载流子是空穴，主要依靠电子导电。

在同一块本征半导体片上制作两种杂质半导体时，它们的交界面将形成PN结。PN结的特性是具有整流作用，即在正向偏置时电流可以通过，而在反向偏置时电流几乎无法通过。这使得PN结可以用于制作二极管和其他电子器件。

任务3 PN结的其他特性

二极管未击穿时的反向电流称为反向饱和电流，其愈小，二极管的单向导电性愈好。

任务4 二极管和稳压管

面接触型二极管，因其结面积大，结电容小，适用于较低频率下作为整流管使用。

点接触型二极管，因其结面积小，结电容小，适用于高频功率整流和高频电路。

光电二极管工作于受光状态时外加电压为正向。

二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流称为额定正向连续电流。

硅材料二极管正向导通电压一般为0.7V左右，而理想二极管正向导通电压为0V。

若二极管导通时正向压降为零，截止时反向电流为零，则该二极管称为 ideality diode。这种二极管称为理想二极管。

任务5 三极管极其特性

开路=短路

使晶体管工作在饱和状态的条件是发射结正偏，集电结反偏。

外界温度升高时，晶体管的反向漏电流ICEO会增加，β值会下降，集电极电流会增加。

晶体三极管是一种双极型晶体管，是一种电流控制型器件。

使晶体管工作在饱和状态的条件是发射结正偏，集电结反偏。

使晶体管工作在截止状态的条件是发射结反偏，集电结正偏

晶体管工作在放大区时，发射结是正偏，而集电结也是正偏

什么叫正偏,什么叫反偏?

在半导体器件中，正偏和反偏是指在PN结或二极管中施加的电压极性。正偏是指当P端为正极，N端为负极时，PN结或二极管处于正偏状态；反偏是指当P端为负极，N端为正极时，PN结或二极管处于反偏状态。

什么叫饱和状态,什么叫放大状态?

在晶体管中，饱和状态是指当晶体管的发射极和基极之间的电压足够大，使得晶体管的集电极和发射极之间的电压达到最小值，导致晶体管处于最大导通状态。而放大状态是指晶体管工作在其线性放大区，此时晶体管的集电极和发射极之间的电压为正，但未达到饱和状态，晶体管可以对输入信号进行放大。

任务6 场效应管的原理及特性

结型场效应管是利用其反型效应控制空间电荷区的宽窄，控制电流流动，从而在相同外加电压情况下控制其产生的电流大小。//

结型场效应管外加反偏电压为零时，其导电沟道最大，沟道电阻最小。//

结型场效应管有三个工作区域，分别是截止区、线性区和饱和区。

积分求UL的有效值

1. 在同一块本征半导体片上，制作两种杂质半导体，在其交界面上将形成 PN 结，其特性是具有整流和电导特性。
2. 结型场效应管外加反偏电压为零时，其导电沟道最 宽，沟道电阻最 小。
3. 本征半导体在热激发下产生 电子和空穴 对的现象称为本征激发。
4. 硅二极管导通电压 0.7 V，锗二极管导通电压 0.3 V。
5. 在电场力作用下，载流子的运动称为漂移。

6.面接触型二极管，因其结面积大，结电容小，适用于较低频率下作为整流管使用。
7. 二极管未击穿时的反向电流称为漏电流，其愈小，二极管的单向导电性愈好。
8. 使晶体管工作在饱和状态的条件是发射结正偏，集电结正偏。
9. 光电二极管工作于受光状态时外加电压为反向。
10. 外界温度升高时，晶体管ICEO增加，β减小，集电极电流增加。

11. 晶体三极管是一种双极型晶体管，是一种电流控制型器件。
12. 如果在半导体中掺入少量磷元素，将形成N型半导体，其多子是电子。
13. 点接触型二极管，因其结面积小，结电容小，适用于低功率整流和高频电路。
14. 二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流称为平均整流电流。
15. 使晶体管工作在截止状态的条件是发射结反偏，集电结正偏。

16. N型半导体中多数载流子是电子，少数载流子是空穴，主要依靠电子导电。
17. 硅材料二极管正向导通电压一般为0.7V左右，理想二极管正向导通电压为0V。
18. 结型场效应管是利用其栅极效应控制空间电荷区的宽窄，控制电流，从而在相同外加电压情况下控制其产生电流的大小。
19. 本征半导体中存在两种载流子，分别是电子和空穴。
20. 若二极管导通时正向压降为零，截止时反向电流为零，则二极管称为 理想二极管。

21. 结型场效应管有三个工作区域，分别是截止区、饱和区和增强区。
22. 二极管具有电容效应，根据成因不同分为结电容和扩散电容。
23. 若静态工作点设置不当，放大电路会产生失真现象，这两种失真分别是截止失真和饱和失真。
24. 共集电极放大电路输入电阻高，输出电阻低，可用于作为多级放大的输入，输出，隔离级。
25. 共集电极放大电路只能放大电流，不能放大电压，具备电流控制的特点，常用于电压放大电路的输入级和输出级。
26. 共集电极放大电路从发射极两端取输出，又称为源极跟随器。
27. 多级放大电路按照级间耦合方式不同分为直接耦合、变压器耦合、电容耦合和光电耦合。
28. 多级放大电路的输入电阻等于上一级的输出电阻并联后的值。
29. 多级放大电路的输出电阻等于最后一级的输出电阻。
30. 共射极电路只能放大电压不能放大电流，是三种接法中高频特性最好的电路，常作为宽频带放大电路。
31. 如果差分放大电路两个输入信号电压的大小相等，极性相反，就称为差模输入信号。
32. 集成运放工作在线性区时，输出电压和输入电压之间满足关系式Vo = A(V+ - V- )。
33. 如果差分放大电路两个输入信号电压的大小相等，极性相同，就称为共模输入信号。
34. 理想运放的输入电阻为无穷大，输出电阻为零，共模抑制比Kcmrr= 无穷大。
35. 为了有效的抑制零点漂移现象，多级放大电路的输入级通常采用差动放大电路来实现。
36. 恒流源电路通常分为电流镜、比例电流源和Wilson电流源以及多路输出恒流源。
37. 集成运放工作在线性区时，具备虚短和虚断两个基本结论。
38. 按照反馈输入端连接方式的不同，反馈可分为电压反馈和电流反馈，分析方法是利用基本电路分析方法和反馈网络的特性来进行分析。

39.深度负反馈的实质是在近似分析中忽略输入电阻。
40．按照反馈交直流性质的不同，反馈可分为交流反馈和直流反馈。
41．按照反馈极性的不同，反馈可分为正反馈和负反馈。判断方法常采用相位关系。
42．引入反馈后，放大电路的闭环放大倍数表达式Af= A/(1+βA)，当反馈为深度负反馈时Af≈1/β，当1+βA趋近于零时，Af→1/β。
43.正弦波振荡电路的显著特征是引入反馈以满足振荡条件，外加调节电路使振荡频率人为可控。
44.RC串并联选频网络的选频频率f0= 1/(2πRC)。
45.电压比较器是最简单的模拟转换电路。
46．电压比较器分为开环比较器，基准比较器和窗口比较器。
47．电压传输特性的三要素是增益、带宽和相位。
48.在电压比较器电路中，绝大多数集成运放或处于开环状态，或引入正反馈。
49.RC低通滤波器的截止频率fp= 1/(2πRC)。
50．常见的滤波电路有低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
51．为了避免50HZ的电网电压干扰信号进入放大器，应选用高通滤波电路。
52．能够向负载提供足够信号功率的放大电路称为功率放大电路。 
53．以功率放大为目的的电路称为功率放大器，分为甲类，乙类和丙类。
54．功率放大电路一般工作于极限工作状态，分析方法一般采用小信号模型进行分析，同时，工作时电压电流较大，所以要注意散热。
55．功率放大电路中晶体管一般工作于饱和工作状态，用直流分析法分析。 
56．直流电源的输入一般为220V的电网电压，所需直流电压的数值和电网电压有效值相差较大，需要先通过变压器降压后，再对交流电压进行处理。
57．为了克服半波整流电路效率低的缺点，实用中较常采用全波整流电路，其输出电压平均值是半波整流的2倍。  
58．常见的整流电流分为单相和三相整流。

1．如图所示整流电路，已知电网电压波动范围是+-10%，变压器副边电压有效值U2=30V，负载电阻RL=80Ω，试问：

（1）负载电阻上的电压平均值和电流平均值各为多少？

（2）二极管承受的最大反向电压和流过的最大电流平均值各为多少？

   (3)若不小心将输出端短路，则会出现什么现象？        

如果不小心将输出端短路，整流电路将出现过载现象，电流会急剧增加，可能导致二极管损坏，甚至会引起火灾。因此，必须及时切断电源，并查找短路原因并予以排除。

2.电路如图所示，合理连线，构成5V直流电源。

3.如图所示整流电路，已知变压器副边电压有效值U2=30V，负载电阻RL=100Ω，试问：

（1）输出电压平均值和输出电流平均值各为多少？

（2）电网电压波动范围是

，二极管的最大整流电流IF和最大反向工作电压URM各为多少？

（3）若整流桥中二极管D1开路，则会出现什么现象？          

4.电路如图所示，已知晶体管β=120，UBE=0.7V，饱和管压降UCES=0.5V，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？

1. 正常情况       （2）Rb2短路       （3）Rb2开路

            

5.下面的电路中，VCC=15V，RB=560K，RC=5K，RS=3K,晶体管

。试求RL断开和RL=3K两种情况下：

（1）电路的静态工作点

 

（2）画出h参数等效电路，并求

                                                                                                                    

6.下面的电路中，晶体管的

。试求：（1）电路的静态工作点

 ；（2）画出h参数等效电路，并求

（所有电容对交流视为短路） （3）若电容Ce开路，则电路哪些动态参数发生变化。                                                                                                         

7.如图所示电路，求解深度负反馈条件下的电压放大倍数Auf表达式。

    

         

8.如图所示电路，求解深度负反馈条件下的电压放大倍数Auf表达式。

        

9.求下面所示运放A1，A2各组成何种运算电路，并求U0~UI的关系式。(已知:R3/R1=R4/R5)                                           

10.求下图运放A1，A2各组成何种运算电路，已知uo=-55ui，试求R5=？

11.电路如图，问各运放组成何种运算电路，并求输出电压与输入电压的运算关系式

12．下图所示为何种功率放大电路？静态时，流过

的电流为多少,

有何作用？计算其最大输出功率

,电源提供功率PD（已知电源

）                 

                                     

13．已知电源

，输入电压足够大。试问

（1）下图所示为何种功率放大电路？

（2）静态时，

（3）计算其最大输出功率

,电源提供功率PD,损耗功率Pc以及电路的效率η

                                    

如图所示电路，已知二极管导通电压UD=0.7V，晶体管导通时UBE=0.7V，T2和T4管发射极静态电位UEQ=0V，试问：

1. T1、T2和T5管基极静态电位各为多少？
2. 设R2=10KΩ,R3=100Ω，若T1和T3管基极的静态电流可以忽略不计，则T5管集电极静态电流为多少？静态时uI=？
3. 若静态时iB1>iB3则应调节哪个参数可使iB1=iB3？如何调节？

   如图所示电路，已知二极管导通电压UD=0.7V，晶体管导通时UBE=0.7V，T2和T4管发射极静态电位UEQ=0V，试问：

4. T1、T2和T5管基极静态电位各为多少？
5. 设R2=10KΩ,R3=100Ω，若T1和T3管基极的静态电流可以忽略不计，则T5管集电极静态电流为多少？静态时uI=？
6. 若静态时iB1>iB3则应调节哪个参数可使iB1=iB3？如何调节？