索尼CCD和CMOS图像传感器

最新推荐文章于 2022-07-01 22:36:17 发布
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分类专栏： 推广 文章标签： 传感器 sony 图像识别
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我司主营CCD和CMOS图像传感器，主要品牌SONY和长光辰芯！
以下型号长期备有现货：
CCD：ICX259AK-7、ICX655AQA-A、ICX825AL-F、ICX205AL-A、ICX285AL-F、ICX429AKL-7、ICX429ALL-7、 ICX618ALA-7、ICX674ALG.

CMOS:IMX183CQJ-C、IMX183CLK-C、IMX225LQR-C、IMX291LQR-C、IMX290LQR-C、IMX290LLR-C、IMX236LQJ-C、IMX206CQC-C、IMX178LQJ-C、IMX178LLJ-C、IMX185LQJ-C、IMX385LQR-C、IMX249LQJ-C、IMX249LLR-C、IMX377CQT-C、IMX174LLJ-C、IMX174LLJ-C、IMX264LQR-C、IMX264LLR-C、IMX265LQR-C、IMX265LLR-C、IMX252LQR-C、IMX250LQR-C、IMX250LLR-C、IMX287LLR-C、IMX226CQJ-C、IMX226CLJ-C、IMX322LQJ-C、IMX307LQR-C、IMX294CJK-C、IMX429LQJ-C

马先生
深圳市富创源科技有限公司
QQ：2038436628
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金戈_小馬13417001698
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专栏目录
传感技术中的比较CCD传感器与CMOS传感器的差异
11-17
噪点：由于ＣＭＯＳ每个感光二极管都需搭配一个放大器，如果以百万像素计，那么就需要百万个以上的放大器，而放大器属于模拟电路，很难让每个放大器所得到的结果保持一致，因此与只有一个放大器放在芯片边缘的ＣＣＤ传感器相比，ＣＭＯＳ传感器的噪点就会增加很多，影响图像品质。 　　耗电量：ＣＭＯＳ传感器的图像采集方式为主动式，感光二极管所产生的电荷会直接由旁边的电晶体做放大输出；而ＣＣＤ传感器为被动式采集，必须外加电压让每个像素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要１２￣１８Ｖ，因此ＣＣＤ还必须有更精密的电源线路设计和耐压强度，高驱动电压使ＣＣＤ的耗电量远高于ＣＭＯＳ。ＣＭＯＳ的耗电量仅为ＣＣＤ的１／
IMX225LQR-C_E_TechnicalDatasheet_Rev0.1(pw fullhan).pdf
10-09
IMX225 Datasheet，相关寄存器和配置都讲的很细，有需要的网友可以下载。
SONY发布新的背照式CCD图像传感器
欲穷千里目，更上一层楼
03-11 3483
据SONY官方网站最新动态Sony Cx-News Vol. 71，新发布的CCD图像传感器型号为ICX699SQB,光学尺寸1/2.3英寸，16.15M像素，像素尺寸为1.34um，支持720/30fps视频。外围驱动电路（CDS/ADC/驱动/定时发生器/外设接口）被封装在一起。因此，功耗从348mW到270mW，相对多个封装配置而言，可以节省能耗22%。    1/2英寸的ICX828和IC
索尼CMOS图像传感器十年奋斗史
SH_UANG的专栏m(R2)0doJj3*
05-29 7730
索尼CMOS图像传感器十年奋斗史 Original 2016-08-01 Corsair 爱活网 过去十年是CIS（CMOS Image Sensor，CMOS图像传感器）飞速发展的十年，索尼的半导体部门正是借此崛起，根据Yole的报告，索尼坐稳了全球第一大CIS供应商位置——即使不算刚刚收购的东芝，销售额也达到了35%、出货量更是高达50%，超过第二名三星、第三名Omnivisi
cmos和ccd区别对比
望那伊人的博客
12-13 9531
　ccd与cmos的区别 　　1）信息读取方式 　　CCD电荷耦合器存储的电荷信息，需在同步信号控制下一位一位地实施转移后读取，电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和三组不同的电源相配合，整个电路较为复杂。CMOS光电传感器经光电转换后直接产生电流（或电压）信号，信号读取十分简单。 　　2）速度 　　CCD电荷耦合器需在同步时钟的控制下，以行为单位一位一位地输出信息，速度较慢;而CMOS光电传感器采集光信号的同时就可以取出电信号，还能同时处理各单元的图像信息，速度比CCD电荷耦合器快很多。 正
索尼：CMOS图像传感器3D堆叠架构的演进及未来趋势
ggasmm的博客
06-16 6762
随着智能手机的普及，拍照/摄像已经成为我们日常生活中不可或缺的一部分，而CMOS图像传感器（英文简称：CIS）作为一种固态成像器件，其特性和性能的持续改进，极大地促进了图像输入设备的发展。CMOS图像传感器的应用已经扩展到安防和网络摄像头、工厂自动化机器视觉、辅助驾驶和自动驾驶等领域。...............
机器视觉：CMOS图像传感器
《好好先生》专栏
06-21 4605
机器视觉：CMOS图像传感器    1. 引言    早于上世纪九十年代初，有意见认为电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD) 日渐式微，最终将成为“科技恐龙”[1] 。如果用索尼公司(Sony) 2015年的发布来看待，这个预言好像也有点道理：当时索尼公司正式发布终止量产CCD 时间表，并开始接收最后订单。虽然多年前业界已预计这是迟早出现的举措，但是索尼这一发布仍然震惊...
CCD和CMOS图像传感器的比较
07-18
图像传感器是各种工业及监控用相机、便携式录放机、数码相机，扫描仪等的核心部件，这个快速增长的市场现在已经延伸到了玩具、手机、PDA、汽车和生物等领域。随着上世纪70年代和80年代固态成像应用的飞速发展，CCD...
CCD_CMOS图像传感器基础与应用_11685482.pdf
08-09
CCD_CMOS图像传感器基础与应用_11685482.pdf
IMX174LLJ-C.pdf
11-04
IMX174LLJ-Cdatasheet，Diagonal 13.4 mm (Type 1/1.2) CMOS.
IMX429LQJ-C_Data_Sheet(E)_E18626C98.pdf
02-07
索尼全局曝光CMOS传感器，2/3寸，有效像素286万，支持最大输入帧率74.25MHZ，像素1936*1464，3.3V最大输入电压
[sunnic]IMX225LQR-C_E_Data_Sheet_E15201A52.unlock.pdf
03-31
[sunnic]IMX225LQR-C_E_Data_Sheet_E15201A52.unlock.pdf
IMX225LQR-Sony.pdf
01-13
索尼图像传感器，页数114也，大小1.71 MByte。 The IMX225LQR is a diagonal 6.09 mm (Type 1/3) CMOS active pixel type solid-state image sensor with a square pixel array and 1.27 M effective pixels. This chip operates with analog 3.3 V, digital 1.2 V, and interface 1.8 V triple power supply, and has low power consumption. High sensitivity, low dark current and no smear are achieved through the adoption of R, G and B primary color mosaic filters. This chip features an electronic shutter with variable charge-integration time.
IMX225LQR_规格书
06-11
监控摄像机开发用，索尼sensor规格书
CMOS图像传感器发展现状
10-21
摘 要： 文章主要介绍了CMOS 图像传感器的结构、单元电路、发展背景及其发展现状。 　1 引言 　70 年代初期，随着MOS 技术的成熟，三种典型的固体图像传感---电荷耦合器件（CCD） 、电荷注入器件（CID） 、光敏...
一代CMOS和CCD图像传感器技术讲解
01-19
一代CMOS和CCD图像传感器具有更大的频谱宽度、更高的灵敏度、更低的工作噪声和更小的外形尺寸。更先进的制造工艺还实现了更低的成本。此外，创新架构也正在给电路设计带来更大的灵活性和通用性。 　其结果是，图像...
Crosslink-NX器件应用案例(1):SLVS/LVDS/HiSPI/DVP转MIPI D-PHY CSI
haoxingheng的专栏
07-01 3322
这篇文章主要分享Crosslink-NX器件用于传感器接口转换：主要是指将SLVS、LVDS、HiSpi、DVP等其它电平（格式）的接口转换为标准的MIPI D-PHY CSI，按CSI协议封包传输以便和支持MIPI DPHY CSI的SoC如海思、瑞星微、全志、NXP、英伟达、TI等对接。因熊猫君做过以上各格式转换为MIPI的工作，深知接口转换的软件工作实际上都大同小异，因此本文以SLVS转MIPI为例描述之。...
ccd/cmos图像传感器基础与应用pdf
最新发布
07-18
《CCD/CMOS图像传感器基础与应用》是关于CCD（冷却耦合器件）和CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器的基本原理和应用的PDF资料。该资料解释了CCD和CMOS的原理、结构和工作方式，以及它们在数字图像处理、摄像、成像和其他应用领域的具体应用。 在CCD和CMOS图像传感器的基础部分，该资料介绍了光电效应、半导体材料的特性以及CCD和CMOS的制造工艺。它详细说明了如何将光信号转换为电信号，以及传感器如何对光信号进行放大和数字化处理。此外，它还介绍了像素阵列、面积和线性传感器以及它们之间的区别。 在应用部分，该资料列举了CCD和CMOS图像传感器在数码相机、摄像机、光谱分析、医学成像、视觉监控和机器视觉等领域的广泛应用。它讨论了传感器的分辨率、动态范围、噪声和灵敏度等性能指标，并解释了如何选择适合特定应用的传感器。 此外，该资料还介绍了CCD和CMOS图像传感器的未来发展趋势，包括高分辨率、高速度、低功耗和集成度的提升，以及新的应用领域的探索。 总之，该资料通过深入浅出的方式介绍了CCD和CMOS图像传感器的基础原理和应用，对于对此感兴趣的人士和从事相关领域的专业人士都是一本很有价值的参考书。

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