单片机应用电路EMC（电磁兼容）设计概要(2)

4 MCU设计策略和EMC特定特性

在新产品的初始规格阶段，一旦识别出EMC（电磁兼容性）的限制，就会实施专门针对EMC的特性。正是MCU（微控制器单元）的目标应用施加了这些限制。请参阅特定产品的数据手册，以了解下图中描述的这些特性中哪些是嵌入的。

图11  MCU嵌入的硬件固件属性概览

4.1 易感性

4.1.1 电源低电压复位（BOR）

BOR的目的是确保微控制器始终在其安全工作区域内工作（见图13）。在电磁兼容性（EMS）方面，BOR的存在使微控制器更加健壮。它还确保如果任何外部干扰影响电源供应，应用程序可以安全地恢复。
当VDD低于最低工作VDD时，微控制器的行为不再有保证。没有足够的电力来解码/执行指令和/或读取内存。当VDD低于BOR电平时，微控制器进入复位状态（内部复位高），以防止不可预测的行为。
为了避免微控制器重新启动时振荡，存在几个具有滞后特性的电平。当发生BOR时，硬件会设置一个位。这个位被用来恢复应用程序。
低电压复位功能在VDD供电电压低于VIT-参考值时生成一个静态复位。
这意味着它既保护了上电过程，也保护了下电过程，使微控制器保持在复位状态（见图12）。
电压下降的VIT-参考值低于上电时的VIT+参考值，以避免寄生复位。这是微控制器开始运行并在供电上吸取电流时的情况（滞后）。

BOR电路在VDD低于以下值时生成复位：
• 当VDD上升时低于VIT+
• 当VDD下降时低于VIT-
BOR功能在图12中进行了说明。电压阈值可以通过选项字节配置为低、中或高。
如果最低VDD值（为振荡器频率保证的）高于VIT-，则MCU只能处于两种模式之一：
• 完全在软件控制下
• 在静态安全复位中
在这些条件下，应用程序始终确保安全操作，无需外部硬件复位。
在低电压复位期间，NRST引脚被保持在低电平，从而允许MCU复位其他设备。
注意：BOR允许设备在没有任何外部复位电路的情况下使用。
BOR是一个可选功能，可以通过选项字节选择。请参阅产品规格。

图12. 低电压复位与复位的对比

 4.1.2 可编程电压检测器 (PVD)

这个特性和BOR一样，提高了电磁兼容性(EMS)性能。它确保当电源受到外部噪声干扰时，微控制器能够安全地工作。
PVD也有不同的电平（大约比BOR电平高200毫伏），它在由BOR引起的复位之前提供了一个早期警告。当PVD阈值被越过时，会生成一个中断，请求例如一些用户操作或在中断程序中准备应用程序关闭，直到电源供应回到设备的正确电平（参考产品数据手册）。
示例
如果CPU频率在8 MHz到16 MHz之间，最低工作电平是3.5 V。电压检测器功能（PVD）基于模拟比较，比较VIT-和VIT+参考值与VDD主电源。下降电压的VIT-参考值低于上升电压的VIT+参考值，以避免寄生检测（滞后）。
PVD比较器的输出可以通过实时状态位(PVDO)直接被应用程序软件读取。这个位是只读的。
PVD电压阈值相对于通过选项字节配置的选定的BOR阈值（参考相应的产品数据手册）。
如果启用了PVD中断，当电压越过VIT+(PVD)或VIT-(PVD)阈值时，会生成一个中断（PVDO位切换）。
在电压下降的情况下，PVD中断作为一个早期警告，允许软件在BOR复位微控制器之前安全地关闭（见图13）。上升沿的中断用于通知应用程序VDD警告状态已经结束。

如果电压上升时间\( t_{rv} \)小于256或4096个CPU周期（取决于微控制器的复位延迟），则当达到VIT+(PVD)时，不会产生PVD中断。
如果\( t_{rv} \)大于256或4096个周期，那么：
• 如果在达到