一、64Mb HYPERRAM器件是一款高速CMOS、自刷新DRAM,具有xSPI(八进制)接口。DRAM阵列使用需要定期刷新的动态单元。当存储器没有被xSPI接口主机(主机)主动读取或写入时,设备内的刷新控制逻辑管理DRAM阵列上的刷新操作。
S27KL0643GABHB020——64MBit 3.0 V 汽车级 (105°C) xSPI (Octal) HYPERRAM Gen 2.0
存储器类型:易失
存储器格式:PSRAM
技术:PSRAM(伪 SRAM)
存储容量:64Mbit
存储器组织:8M x 8
存储器接口:SPI - 八 I/O
时钟频率:200 MHz
写周期时间 - 字,页:35ns
访问时间:35 ns
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-VBGA
供应商器件封装:24-FBGA(6x8)
基本产品编号:S27KL0643
S27KS0643GABHV020——64MBit 1.8 V 工业级 (105°C) xSPI (Octal) HYPERRAM Gen 2.0
存储器类型:易失
存储器格式:PSRAM
技术:PSRAM(伪 SRAM)
存储容量:64Mbit
存储器组织:8M x 8
存储器接口:SPI - 八 I/O
时钟频率:200 MHz
写周期时间 - 字,页:35ns
访问时间:35 ns
电压 - 供电:1.7V ~ 2V
工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-VBGA
供应商器件封装:24-FBGA(6x8)
基本产品编号:S27KS0643
二、256Mb HYPERRAM设备是一款高速CMOS、自刷新DRAM,带有HYPERBUS extended-IO。DRAM阵列使用需要定期刷新的动态单元。当内存未被HYPERBUS extended-IO接口主机(主机)主动读写时,设备内的刷新控制逻辑管理DRAM阵列上的刷新操作。
S80KS2564GACHI040 256MBit HYPERRAM™ 3.0存储器是高速、低引脚数、低功耗自刷新动态随机存取存储器(DRAM),带有HYPERBUS 扩展IO接口。
存储器类型:易失
存储器格式:PSRAM
技术:PSRAM(伪 SRAM)
存储容量:256Mb
存储器组织:16M x 16
存储器接口:HyperBus
时钟频率:200 MHz
写周期时间 - 字,页:35ns
访问时间:35 ns
电压 - 供电:1.7V ~ 2V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:49-VBGA
供应商器件封装:49-FBGA(8x8)
基本产品编号:S80KS2564
新品,存储器系列S27KL0643GABHB020_S27KS0643GABHV020_S80KS2564GACHI040, S28HS512TGABHI013/S26HS512TGABHM013 —— 明佳达
三、512MBit NOR 闪存
S28HS512TGABHI013 是高速CMOS、镜像位NOR flash器件,符合JEDEC JESD251扩展SPI (xSPI)规范。Semper闪存设计用于根据ISO 26262标准开发的功能安全,以实现ASIL-B合规性和ASIL-D就绪性。
规格
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NOR(SLC)
存储容量:512Mb
存储器组织:64M x 8
存储器接口:SPI - 八 I/O
时钟频率:200 MHz
写周期时间 - 字,页:1.7ms
访问时间:5.45 ns
电压 - 供电:1.7V ~ 2V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-VBGA
供应商器件封装:24-FBGA(6x8)
S26HS512TGABHM013 512MBit SEMPER™闪存采用HYPERBUS接口,符合JEDEC eXpanded SPI (JESD251) 规范。该器件符合汽车功能安全标准,符合ASIL-B要求并且ASIL-D就绪。
规格
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NOR(SLC)
存储容量:512Mb
存储器组织:64M x 8
存储器接口:HyperBus
时钟频率:200 MHz
写周期时间 - 字,页:1.7ms
访问时间:5.45 ns
电压 - 供电:1.7V ~ 2V
工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-VBGA
供应商器件封装:24-FBGA(6x8)
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