Flash基础知识：发展历程及工作原理

一、Flash发展历程

存储器通常分为两类型，即随机存取的RAM（内存）与只读的ROM（外存）。

RAM，即动态随机存取存储器，允许数据的读写与更新。它主要承担着存储当前活跃程序和临时数据的任务，是计算机操作的主要存储介质。

ROM，即只读存储器，其数据在制造时设定，用户无法对其进行修改。它通常用于固化不变的系统软件和数据，例如电脑启动过程中所需的BIOS。

最初，ROM是不可编程的，一旦制造完成，其内容便不可更改，缺乏灵活性。随后，可编程的PROM（可编程ROM）问世，允许用户一次性写入数据，但若写入错误，便无法更改，只能更换芯片。

随着技术的发展，EPROM（可擦写可编程只读存储器）被发明，它支持多次擦除和写入，但每次擦除需要使用紫外线照射。这在实际应用中相当不便，例如在单片机编程时，如需修改程序，可能需要长时间暴露于紫外光下。

技术进一步演进，EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）诞生，极大地方便了程序员对存储内容的修改。EEPROM允许通过电子方式进行数据的擦除和重写，无需物理操作。

Flash存储器是EEPROM的一种形式，它通过电子方式擦除，但与EEPROM不同，Flash擦除操作以块为单位，而非单个字节。这种设计简化了电路，提高了数据存储密度，并降低了成本。

EEPROM的变种多样，但传统EEPROM允许随机访问和修改任意字节，具有数据持久性、高可靠性，但相对成本较高。市场上常见的EEPROM容量通常在几十到几百千字节之间，很少有超过512K的产品。

Flash存储器相较于传统EEPROM，在擦除机制上进行了优化，提升了效率和经济性，已成为现代电子设备中广泛使用的存储技术。

二、Flash的工作原理

闪存的构造由众多的存储单元紧密排列而成，形成存储阵列。每个基础存储单元内部，包含一个具备控制栅和浮动栅（Floating Gate）的存储晶体管。这个浮动栅被一层薄薄的绝缘介质或氧化膜与晶体管的其他部分隔离开来，负责保存电荷并调节电流的通过。

电子被添加到浮栅或从浮栅处移除，以改变存储晶体管的阈值电压。 而改变电压会影响将单元编译为 0 还是 1。

一种称为Fowler-Nordheim隧穿的过程将电子从浮栅中去除。 Fowler-Nordheim隧穿和称为沟道热电子注入的现象都会将电子捕获在浮栅中。

使用Fowler-Nordheim隧道技术，数据会通过控制门上的强负电荷擦除。这迫使电子进入存在强正电荷的通道。

应用Fowler-Nordheim隧道效应捕获电子至浮栅时，操作过程与之相反。在高电场的影响下，电子穿透薄氧化层，从沟道迁移至浮栅。此时，存储单元的源极和漏极会积聚较强的负电荷，而控制栅极则会积累较强的正电荷。

沟道热电子注入技术（常简称为热载流子注入）允许电子穿越栅极氧化层，进而修改浮置栅极的阈值电压。这一过程发生在电子在沟道中由于高电流和控制栅极的吸引而获得足够能量的情况下。

无论闪存单元的设备是否因为氧化物层的电隔离特性而接收能量，电子都会被俘获进浮置栅极中。这种特性确保了闪存能够实现长期数据保持。