NV-SRAM与BBSRAM之间的比较

最新推荐文章于 2025-02-22 15:12:41 发布

NETSOL

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文章标签： BBSRAM NV-SRAM NVSRAM SRAM 存储器

本文链接：https://blog.csdn.net/NETSOL/article/details/111474722

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本文探讨了NV-SRAM与电池供电SRAM（BBSRAM）的差异，强调NV-SRAM的单片解决方案特性，以及其在数据保留时间、性能和电路板空间上的优势。NV-SRAM采用SONOS技术，实现高速SRAM与非易失性存储的结合，而BBSRAM依赖内置锂电池来保持数据。两者在断电时的数据保护机制和加电后的操作有所不同。

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随着无铅技术在全球的推广，NV-SRAM成为NVRAM的普遍选择。本篇文章主要介绍了NV-SRAM与电池供电SRAM（BBSRAM）相比所具有的优点。

BBSRAM是什么？
BBSRAM又称BatRAM，它是嵌入式单封装中多个芯片和电池元件的组合。电池可以集成在封装中，同集成在塑料DIPS中相似。还可以将该电池安装在封装顶层上，然后机械地添加一个类似于SOIC中使用的上盖。按照访问其他SRAM的方式访问BBSRAM。当供电电压（VCC）低于指定电压电平时，内部电池将被打开以维持存储器中的内容，直到VCC返回到有效条件为止。

NV-SRAM是什么？
赛普拉斯NV-SRAM是一种快速静态RAM（SRAM），且每个存储器单元中都包含非易失性单元。采用SONOS技术，可以将嵌入式非易失性单元制造成世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM能够实现无限次的读写周期，同时独立的非易失性数据则被存储在高度可靠的SONOS单元内。断电时通过使用VCAP引脚上连接的小型电容上保存的电荷，将数据从SRAM中自动转移到非易失性单元中（自动存储操作）。加电时数据会从非易失性存储器单元重新存储到SRAM内（加电回读操作）。“存储”和“回读”操作也可以在软件控制下执行。

NV-SRAM的优点
同一个多组件的解决方案相比，NV-SRAM是一个单片解决方案，它带有一个小型的外部电容。因此与BBSRAM解决方案相比，它的优点更多。
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