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原创 超低功耗MCU如何降低功耗
低功耗是MCU的一项非常重要的指标，比如某些可穿戴的设备，其携带的电量有限，如果整个电路消耗的电量特别大就会经常出现电量不足的情况。平时我们在做产品的时候，基本的功能实现很简单，但只要涉及到关于低功耗的问题就比较棘手了，比如某些可以低到微安级的MCU微控制器，而自己设计的低功耗怎么测都是毫安级的，电流竟然能够高出标准几百到上千倍，遇到这种情况干万不要怕，只要认真你就赢了。接着仔细分析一下这其中的原因。(1）掐断外设命脉，关闭外设时钟。先说最直观的，也是工程师都比较注意的方面，就是关闭MCU微控制器的外
2020-11-12 14:23:03
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原创 按用途分类的SRAM
嵌入式静态随机存取存储器（SRAM）是现代SoC中的重要组成部分；伴随着工艺前进的脚步，对于SRAM的研究也从未终止过。其中双端口SRAM可以为系统提供更高的通信效率和并行性，随着系统吞吐率的提升应用也越来越广泛。从用途来看SRAM可以分为独立式SRAM和嵌入式SRAM（e-SRAM），其中独立式SRAM主要应用在板级电路中，而集成到芯片中的则称为嵌入式SRAM；上述中的Cache便属于嵌入式SRAM。从读写端口的个数看，SRAM主要可分为单端口SRAM、两端口SRAM（2P-SRAM）和双端口SRAM
2020-07-07 13:36:20
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转载 分享一款高性能ARM CortexTM-M3国产32位MCU
上海灵动微电子MM32F103C8T6使用高性能的ARM® CortexTM-M3 为内核的32 位微控制器，最高工作频率可达168MHZ，内置高速存储器，丰富的增强型I/O 端口和外设连接到外部总线。MM32F103C8T6工作电压为2.0V~ 5.5V，工作温度范围包含-40◦C~ +85◦C 常规型和-40◦C~+105◦C 扩展型。具有多种省电工作模式保证低功耗应用的要求。并提供LQFP100、LQFP64、LQFP48、LQFP32 和QFN32 共5 种封装形式，根据不同的封装形式，器件中的外设
2020-06-18 11:57:19
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原创 外扩SRAM IS62WV102416EBLL
IS62WV102416EBLL是低功耗16M位静态SRAM，以1024Kx16位组织。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可以生产出高性能和低功耗的存储器件。当处于高电平（取消选择）或CS2为低电平（取消选择）或处于低电平时，CS2均为高电平且两者均为高电平时，器件假定在待机模式下，可以通过CMOS输入电平来降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（低写使能）控制存储器的写入和读取。IS62WV102416EB
2020-06-15 15:37:00
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原创 MRAM可以替代NOR或SRAM
内存在人工智能解决方案（例如机器学习）的培训和实施中均扮演着关键角色。这也是创建诸如5G之类的高级网络技术的要求，这将需要在网络边缘以及在端点处进行处理和存储以实现IoT和其他应用程序。如今大多数高性能内存都是易失性的，这意味着当设备断电时，存储在内存中的所有内容都会丢失。但是内存会消耗很多功率，尤其是DRAM，这需要定期且频繁地刷新内存中的数据。物联网等许多新应用程序要求将连接的传感器和其他设备放置在能量受限的情况下，依靠电池运行或使用能量收集。在数据中心中，诸如DRAM之类的存储器消耗了总功率的很大一
2020-06-09 14:42:42
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原创 SRAM整体结构图
SRAM大多是由CMOS管组成的挥发性静态存储器。在掉电后存储器中所存数据就会丢失。随机静态存储器可以对任何地址进行读写操作，通过锁存器的原理对数据进行保存，在无操作状况下，锁存器处于稳态，保持数据稳定，不用进行周期性的电荷刷新。SRAM由基本单元构成的阵列以及外围电路构成，其中阵列的划分和外围电路的优劣对整个SRAM的性能有很大的影响。SRAM是随机存储器的一种，它由静态挥发性存储单元组成的存储阵列(或者叫内核，core) 组成，其地址译码集成在片内。SRAM 速度很快而且不用刷新就能保存数据不丢失。它
2020-06-08 16:43:04
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原创 Everspin MRAM技术的可靠性
与大多数其他半导体存储技术不同，数据存储为磁性状态而不是电荷，并通过测量电阻来感测而不干扰磁性状态。使用磁性状态进行存储有两个主要好处。首先磁极化不会像电荷一样随时间泄漏，因此即使关闭电源，信息也会被存储。其次在两种状态之间切换磁极化不涉及电子或原子的实际运动，因此不存在已知的磨损机制。Everspin MRAM器件旨在结合非易失性存储器和RAM的最佳功能，为越来越多的电子系统提供“即时接通”功能和断电保护。Everspin MRAM技术产品组合Everspin切换MRAM技术Everspin
2020-06-02 15:56:59
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原创 SRAM电路工作原理
近年来，片上存储器发展迅速，根据国际半导体技术路线图（ITRS），随着超深亚微米制造工艺的成熟和纳米工艺的发展，晶体管特征尺寸进一步缩小，半导体存储器在片上存储器上所占的面积比例也越来越高。接下来宇芯电子介绍SRAM的工作原理以及工作过程。SRAM 写操作。写操作就是把数据写入指定的SRAM 存储单元中。首先片选信号CEBB 置为低电平，读控制电路开始运作。10 位写地址线AB0-AB9、16位数据输入DI0-DI15 准备就绪，地址信号有效，系统开始译码、选择要写入的存储单元以及需要写入的数据。当时钟
2020-05-29 11:57:10
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原创 赛普拉斯FRAM非易失性存储器FM33256B-G
FM33256B-G器件将FRAM存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存储器，实时时钟，低VDD复位，看门狗定时器，非易失性事件计数器，可锁定的64位序列号区域以及可用于断电（NMI）中断或其他目的的通用比较器。该器件的工作电压为2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存储器容量。快速的写入速度和无限的耐用性使该存储器可以用作额外的RAM或常规的非易失性存储。该存储器真正是非易失性的，而不是由电池供电的。介绍非易失性存储器FM33256B-G
2021-05-17 16:25:44
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原创 FRAM的应用场景
FRAM由于其寿命长、读写速度快等优势，因此主要应用于RFID、便携式的医疗设备、可穿戴设备、IOT设备以及车载设备等。1.汽车：汽车行业对FRAM的需求正在快速增长。随着车用微控制器和传感器的广泛使用，汽车电子系统对数据存储的需求快速上升。智能安全气囊和先进的记忆系统已在高端汽车中应用，随着时间推移会慢慢进入大众市场。FRAM现在已应用于智能气囊、自动驾驶辅助系统（ADAS）、导航和信息娱乐系统、发动机控制单元（ECU）、事件数据记录器（EDR）、动力总成系统和电池管理系统（BMS）。2.计量：FRA
2021-05-12 16:04:28
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原创 铁电存储器FRAM的优劣势
FRAM凭借高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面的优势，被视为替代传统EEPROM和FLASH的产品。FRAM产品的主要厂商包括英飞凌、日本富士通半导体和其他公司，这几家公司代表了当今世界最先进的FRAM技术。FRAM在半导体市场上已经得到了商业验证，FRAM存储器产品已成功应用在汽车中。1、 FRAM的优势：FRAM是一种新型存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点，与EEPROM、FLASH相比，FRAM的读写更快、寿命更长，FRAM已经应用于IC卡和MCU中，预计未来具有广阔的市场前
2021-05-11 16:23:09
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原创 Everspin MRAM增强了RIM智能电表的即时非易失性
今天介绍Everspin的MR25H40非易失性存储器MRAM如何在RIM的三相智能电表中提供强大的系统存储优势。Everspin的4Mbit MR25H40 MRAM专为需要数据完整性，内存可靠性和低能耗的强大环境而设计，其系统具有快速，对称的读/写性能和无限的耐用性。这些优势使RIM的三相智能电表能够快速，频繁且即时地非易失性存储关键电表数据。在断电或篡改的情况下，RIM系统能够立即将关键数据保存并保护到MRAM，而无需外部电池或超级电容器。因此在重新启动或授权访问RIM仪表后，可以立即恢复或显示仪表
2021-05-08 17:13:21
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原创 富士通FRAM强势进击电表市场
工业物联网的蓬勃发展，对数据链上如数据采集、数据记录、数据处理等各个环节的应用提出了更高的要求。对于智能电表而言，数据记录及存储需要考虑准确记录、非易失性、耐久度等多个方面的需求。因此智能电表方案商需考虑挑选合适的存储产品予以应对。富士通FRAM在需要准确记录和存储智能电表重要数据的应用中、发挥着关键作用。例如电表使用的重要数据，需要在非常短的间隔(1-3次/秒)里保存在存储器，并确保掉电情况下数据依然完整。图1：智能电表选用FRAM可确保掉电情况下数据依然完整以256Kb独立FRAM存储器为例，每写
2021-05-08 17:11:29
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原创 医疗刺激装置如何使用外部存储器来支持高级功能
随着技术的不断进步，消费类、便携式医疗设备的功能越来越强大，越来越完善，极大地提高了准确性、可靠性、连接性和易用性，同时保证了用户健康信息的安全性，价格也合理。这些全新的高级功能需要更强的处理能力、安全性和连接性。日益增长的复杂性也要求固件/软件代码扩展，反过来不仅增加了代码，而且还提升了数据存储系统的存储器需求。这些增强功能，增加了系统的功耗预算，矛盾的是，紧凑外型的便携式医疗设备要求超长电池寿命，需要降低功耗。系统架构师面临的首要挑战是，确定合适的片上系统（SoC）或MCU作为系统的核心。它必须能够
2021-05-08 17:07:53
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原创 在边缘使用MRAM是其另一个潜在应用
MRAM通过外加电压控制的磁体方向来存储数据的每个bit位。如果电压低于翻转bit位所需的电压，则可能只有一位翻转。我们不希望存在这种随机性，因此采用更高电压驱动MRAM来预防这种情况发生。尽管如此，某些AI应用仍可以利用这种固有的随机性（可以将其视为随机选择或生成数据的过程）。它可将所有权重和激活精度降低到1位，从而大大降低远边缘应用的计算和功耗要求。根据网络重新训练的方式，有可能需要进行精度的权衡取舍。尽管降低了精度，神经网络仍可以可靠地运行。二元神经网络（BNN）的独特之处在于，即使一个数字是-1
2021-04-25 16:12:37
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原创 高性能存储器FRAM将是提高BMS核心技术的关键元件
近年我国新能源汽车产业发展迅速，成为汽车产业的重要增长点。新能源汽车销量的快速增长自然带动了相关汽车电子产业链的发展，由于采用电力驱动，新能源汽车的结构有别于传统的燃油汽车，动力电池、电池管理系统（BMS）、整车控制单元（VCU）三大系统成为汽车的核心功能部件，汽车电子成本相比于整车价值的占比也进一步提升。高性能存储器FRAM将是提高这些核心技术的关键元件。无论是BMS，还是VCU，这些系统都需要实时和连续地对当前状态信息进行监控，记录和分析处理。因此需要提高存储器性能和耐久性设计。只有非易失性、高速、高
2021-04-25 16:11:16
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原创 富士通FRAM是如何崛起的？
FRAM铁电存储器是一种采用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。那么FRAM是如何崛起的呢？以销量数据而论，FRAM一路走来已然大获成功：截止2016年富士通全球FRAM存储器累计销量已超过33亿片，其中面向世界电表客户累计交货4000万片，FRAM在威胜集团、海兴电力、林洋能源、Itron、西门子等业界主流的电表供应商中的应用渗透率非常高。在2019年富士通FRAM产品有望突破40
2021-04-25 16:08:47
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原创 Everspin的MR3A16ACMA35 MRAM替换Fujitsu MB85R8M2T FRAM
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在较慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上运行，但还允许系统设计人员利用MRAM的四倍随机存取周期时间。Everspin 8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引脚BGA封装。MR3A16ACMA35的优点与富士通FRAM相比，升级到Everspin MRAM具有许多优势：•更快的随机访问操作时间•高可靠性和数据保留•无限的读/写耐力•无磨损•有竞争力的定价•稳定的制造业供应链•小尺寸BGA封装图1
2021-03-29 15:43:08
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原创 使用扩展SRAM设计的存内计算
最近的ISSCC上，台积电的研究人员提出了一种基于数字改良的SRAM设计存内计算方案，能支持更大的神经网络.上图显示了台积电用于其测试的扩展SRAM阵列配置——阵列的一部分被圈出。每个切片具有256个数据输入，它们连接到“ X”逻辑（稍后将对此逻辑进行更多介绍）。数据输入向量的连续位在连续的时钟周期中提供给“ X”门。每个切片存储256个4位权重段，每个数据输入一个权重半字节。这些权重位使用常规的SRAM单元，因为它们可能会经常更新。存储在每个权重位中的值连接到“ X”逻辑的另一个输入。下图说明了如何
2021-03-23 15:33:00
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原创 低功耗SDRAM提供了多种选择改善待机功耗
移动或低功耗SDRAM提供了多种选择来同时改善活动和待机功耗。减少有功和备用电源可延长电池寿命并提高系统可靠性。通过考虑系统使用，工程师可以从以下节电选项中进行选择以提供较低的活动和备用电源：•自动温度补偿自刷新（ATCSR）：片上温度传感器根据芯片温度控制刷新率。较高的温度需要更频繁的刷新。通过自动调整刷新率，可以降低功耗，尤其是在较低温度下。•部分阵列自刷新（PASR）：PASR选择在自刷新操作期间将刷新的内存量。通过消除不必要的行激活，可以减少功耗。•深度掉电（DPD）模式：DPD模式可切断存储
2021-03-23 15:29:52
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原创 使用扩展SRAM设计的存内计算
最近的ISSCC上，台积电的研究人员提出了一种基于数字改良的SRAM设计存内计算方案，能支持更大的神经网络.上图显示了台积电用于其测试的扩展SRAM阵列配置——阵列的一部分被圈出。每个切片具有256个数据输入，它们连接到“ X”逻辑（稍后将对此逻辑进行更多介绍）。数据输入向量的连续位在连续的时钟周期中提供给“ X”门。每个切片存储256个4位权重段，每个数据输入一个权重半字节。这些权重位使用常规的SRAM单元，因为它们可能会经常更新。存储在每个权重位中的值连接到“ X”逻辑的另一个输入。下图说明了如何
2021-03-19 16:31:26
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原创 everspin代理并行MRAM存储芯片MR5A16A
MR5A16A是一个33,554,432位MRAM存储芯片器件，组织为2097152个16位字。MR5A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序（对于汽车温度选项为45ns），并且具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可自动在断电时保护数据，以防止在不符合规定的电压情况下进行写操作。为了简化容错设计，MR5A16A包含内部单个纠错码，每64个数据位具有7个ECC奇偶校验位。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用，MR5A16A是理想的存储解决方案。MR5A16A提供小尺
2021-03-17 16:32:27
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原创 everspin代理并口MRAM存储芯片MR4A16B
MR4A16B是一个16,777,216位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，组织为1,048,576个16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35 ns读/写时序，具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路会在掉电时自动保护数据，以防止电压超出规格的写入。为了简化容错设计，MR4A16B包含内部单个纠错码，每64个数据位具有7个ECC奇偶校验位。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用，MR4A16B是理想的存储器解决方案。MR4A16B提供小尺寸的48引脚球栅阵列（BG
2021-03-11 16:04:57
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原创 ISSI代理IS61WV204816ALL高速异步SRAM
ISSI IS61WV204816ALL是高速，32M位静态RAM，组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的设备。当CS＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用芯片使能和OutputEnable输入，可以轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（WE＃）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB＃）和低字节（LB＃）。IS6
2021-03-09 16:44:43
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原创 everspin 256Mb DDR3自旋转移扭矩STT-MRAM
EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存储器，在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性。该设备能够以高达1333MT /秒/引脚的速率进行DDR3操作。它的设计符合所有DDR3 DRAM功能，包括设备端接（ODT）和内部ZQ校准，但具有数据持久性和极高的写周期耐久性的优点。借助Spin-Torque MRAM技术，不需要刷新单元，从而大大简化了系统设计并减少了开销。所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步，输入锁存在时钟交叉点。 I/O
2021-03-05 16:03:06
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转载 NOR Flash如何应对“被替”风险？
NOR Flash主要用来存储代码及少量数据，近几年因5G、IoT、TWS耳机、AMOLED屏幕、TDDI等市场快速发展而备受重视。NOR Flash和Nand Flash是目前两种主要的非易失闪存技术。NAND Flash具有“容量大、单位容量成本低”等特点是高数据存储密度的理想解决方案。而NOR Flash“读写速度快、可靠性高、使用寿命长”，多用来存储少量代码。近一两年的NOR Flash市场得到了飞速增长。目前其全球市场规模约达到30亿美元。未来其每年市场规模增速约为8%-15%。在多数受访人看
2021-03-03 15:26:26
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原创 MRAM工作原理技术
RAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。非易失性MRAM具有成为通用存储器的潜力，能够将存储存储器的密度与SRAM存储器的速度结合在一起并同时始终保持非易失性和高能效。MRAM存储芯片可以抵抗高辐射及可以在极端温度条件下运行并且可以防篡改。MRAM芯片中的数据是由磁存储元件存储。这些元素是由两块铁磁板组成的，两块铁磁板之间隔着一层薄薄的绝缘层，每一块铁磁板都能保持磁化。这种结构被称为磁隧道结(MTJ)。两块极板中的一块是在制造期间被设置为特定极性的永磁体;另一块板的磁化率可以随存储的数据进行改变。瑞
2021-03-03 15:24:37
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原创 如何将MCU与FPGA进行配对达到提高系统效率的目的？
FPGA已经变得如此具有成本效益，因此它们越来越多地与mcu结合使用，以提高整体系统效率。用途包括在的电路板空间中添加额外的功能，为复杂算法的前端添加节能处理，聚合多个外部设备以卸载高性能MCU或作为使现有设计适应新的所需的“粘合”逻辑在接口要求方面，FPGA提供了标准MCU中常常缺乏的额外灵活性。本文将快速回顾一些的应用，其中FPGA和MCU“配对”，以展示如何通过降低功耗，减小电路板空间，提高处理性能或接口灵活性来提高系统效率，从而显着改善您的下一个设计。FPGA作为MCU配套器件您为设计选择的MC
2021-03-02 15:55:21
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原创 存储芯片SRAM控制器及其接口电路
随着信息时代的到来，海量信息存储、传播和交流正在深刻改变人类的生产生活方式，然而信息技术在追求高性能、高速度的同时，必须重视国家信息安全和个人隐私安全。以前信息安全技术只是单纯地应用于军事领域，但现在它已经广泛应用于社会经济生活。人们现在接受的信息量越来越大，不管是个人还是公司乃至国家都面临着信息安全问题。近年来，信息安全问题已上升至国家层面，相关信息安全政策也相继出台，而各种安全存储芯片是信息安全不可或缺的硬件载体。存储器广泛用于存储密钥等，是安全系统的重要组成部分。存储器包括随机存取存储器、只读存储器
2021-03-02 15:52:45
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原创 记录数据无限期保留是MRAM理想的选择
数据记录、物联网节点、边缘计算设备中的机器学习/人工智能以及医院中的RFID标签都可以用到MRAM。数据记录器需要多兆位的非易失性存储器来容纳长期的数据积累。它们通常由电池供电，但也可以依靠收集能量来供电，因此需要低功率内存。在断电的情况下，记录的数据必须无限期地保留。MRAM正是最理想的选择。MRAM持久性，结合极低的能耗模式，使物联网节点的代码和数据能够在极小的形状因素下从能源收割机或电池源操作。启动时间通常是物联网节点的一个重要考虑因素。MRAM利用原地算法（code-in-place）结构可减少
2021-02-24 17:09:53
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原创 用铁电存储器FRAM让穿戴式设备更省电
可穿戴设备应用中的显示屏消耗了大部分电池电力。解决方法之一是直接提高电池容量，但是大容量电池会加大尺寸和重量，对可穿戴设备不合适，尤其是在市场不断追求更小型化的新款产品时更是如此。更具挑战性的是电池技术的发展跟不上日益增长的系统需求……在可穿戴设备中电池使用寿命对于良好的用户体验至关重要。可穿戴设备应用中的显示屏消耗了大部分电池电力。解决方法之一是直接提高电池容量，但是大容量电池会加大尺寸和重量，对可穿戴设备不合适，尤其是在市场不断追求更小型化的新款产品时更是如此。更具挑战性的是，电池技术的发展跟不上日益
2021-02-24 17:07:59
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原创 Everspin MRAM非易失性存储器的五大优势
MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用，这些对于MRAM开发人员来说是重要的部分。那么MRAM的优势究竟有哪些呢?下面我们分几点一起来看看:首先，MRAM是非易失性存储器，也就是断电后MRAM依旧可以保存数据。这一点和之前介绍的NRAM类似。其次，MRAM不存在读取磨损
2021-02-05 16:09:13
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原创 电机驱动MCU通用功能和技术点解析
电机驱动MCU技术要点它是电机控制器即动力输出。通俗点就是你要加速他让电机转得快一些，要刹车他能让电机转的慢一点。所以他有如下特点：（1）响应快，这个很容易理解，但其实不好做，因为工况比较复杂。举一个简单的例子就能感觉到。同样是加速，有的发生在平地，有的发生在上坡，有的发生在下坡。平地和上坡都还好，因为是克服阻力。但是发生在下坡时就比较尴尬了，因为有个重力分量，不仅有控制器给电机施加力量，也有地球妈妈在拉着它。有时候坡度较大，如果控制不好会有比较强的顿挫感，这在驾驶时就比较吓人了。所以电机控制器的算
2021-02-02 14:35:19
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原创 串行SPI NOR闪存VS并行NOR闪存
NOR闪存由于其可靠的数据存储而已在嵌入式设备中广泛使用了很长时间。对于某些低功耗应用，串行SPI NOR闪存变得比并行NOR闪存设备更受欢迎。与串行SPI NOR闪存相比，并行NOR闪存具有并行性，因此吞吐量更高。但是随着串行SPI NOR闪存设备中多通道（2-8条并行数据线）支持的出现，它现在在低功耗设备中变得越来越流行。这些闪存设备主要用于嵌入式系统中以存储引导代码，有时还用作存储元素。这些引导设备使用就地执行（在此称为XIP）方法来执行本机存储设备中的代码。XIP方法与代码在执行之前首先从其起始位置
2021-02-01 16:35:24
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原创 非易失性存储器Flash和EEPROM之间的差异与优缺点
在嵌入式系统中，Flash和EEPROM能够存储可用于通信或执行某些功能的数据。它们可以通过多种不同的串行协议（包括SPI或串行外围设备接口）来连接存储设备。在单片机中也集成了多种不同类型的SPI存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存数据信息。它们都是电子可写和可擦除存储器，用以存储单片机的应用程序及数据信息。这些数据可在芯片上或芯片外存储信息
2021-01-29 14:07:59
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原创 为何要使用MCU
为什么很多电器设备都要使用MCU呢？让我们用一个点亮LED的电路为例，来说明。如下图所示，不使用MCU的电路是一个由LED，开关和电阻构成的简单电路。不安装MCU的LED电路 *使用MCU的电路如下图所示。安装MCU的LED电路图 *很显然，使用MCU的电路要复杂得多，而且设计电路还要花费精力与财力。好象使用MCU并没有什么优点。但是，现在下结论还为时尚早。如果我们让这个电路做一些比较复杂的操作，会怎么样呢。例如：如果希望LED在按下开关后，经过一段时间再点亮或熄灭，那么，对于安装有
2021-01-28 15:13:09
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原创 MRAM实现对车载MCU中嵌入式存储器的取代
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns至20ns之间。它不需要闪存所必需的擦除操作，而且写人时间也比闪存少几个数量级。即使是与现有存储器中性能较高的DRAM(读取1写入时间为30ns~
2021-01-25 14:45:20
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原创 弥补现有MRAM的不足
对于长期处于困境的MRAM行业来说，自旋注人方式可以说是一项能够扭转危机的革新技术。MRAM轰轰烈烈地问世。但此后，MRAM在工艺发展和大容量方面并没有取得预期的进展。在目前大批量生产的产品中，MRAM的制造工艺仅达到180nm,最大容量仅为4Mb,而且，其应用仅限于取代需要电池的SRAM等特定领域。与此相对,自旋注人MRAM能够支持更先进的制造工艺并易于扩大容量，因此，它拥有改变上述状况并贏得巨大市场的潜力。现有的MRAM之所以会在制造工艺和大容量方面遭遇困境，在于其采用的是被称为磁场写人方式的工作
2021-01-22 15:54:26
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原创 将赛普拉斯nvSRAM替换为MRAM
存储器芯片供应商宇芯电子本章节对赛普拉斯4Mbit（256K x 16）nvSRAM 和 MRAM器件分别在 44 引脚 TSOP-II（薄小外型封装-II 类型）和48球型焊盘 FBGA（小间距球栅阵列）封装选择中各自的引脚和封装区别进行了详细说明。替换 44 TSOP-II 封装选择图1显示的是使用 44 引脚 TSOP-II 封装选择时在相同的44 焊盘 PCB 封装上将 4Mbit（x16）MRAM 替换为 4Mbit（x16）nvSRAM 的例子。MRAM 和 nvSRAM 器件的 44引脚
2021-01-21 14:14:18
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原创 PSRAM在数据缓冲应用中可以取代SRAM或SDRAM
PSRAM它具有类SRAM的接口协议：给出地址、读、写命令，就可以实现存取，不像DRAM需要memory controller来控制内存单元定期数据刷新，因此结口简单；但它的内核是DRAM架构：1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell，而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。由此结合，他可以实现类SRAM的接口有可实现较大的存储容量。物联网时代赋予了PSRAM新的活力，尤其在语音交互领域，PSRAM以其小封装、大容量、低成本，开始显露器独特优势。同样在一些网络收音机中，使用PSRAM，
2021-01-20 16:00:25
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空空如也
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