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原创 IGBT失效分析学习笔记

失效机理：Si-METAL的接触和METAL-METAL接触之间的退化，大致的问题为（1）由于金属接触的退化，包括wire bonding引起的RDSON或VCESAT的退化；试验目的和项目针对性：（1）模拟产品在高湿度的环境下工作.（2）试验时待测芯片会被置于高温、高湿以及高压力下，湿气沿着塑料封和金属框架之间渗入，芯片内的一些杂质会溶解在水中进而导致芯片失效。Group C：封装组装整合测试：DPA、PD、WBP、WBS、DS、TS、RTS、RSH、TR、SD、WG、CA、VVF、MS、HER；