IGBT失效分析学习笔记

器件可靠性项目，目的和失效机理。

试验类型

一、环境试验：预处理，温度循环，不偏压加速老化试验or高温蒸煮

预处理试验目的和项目针对性：模拟成品到客户SMT上板之间遭受的各种应力；（1）5 cycles，-40℃ to 60℃，模拟运输过程。（2）浸润模拟客户拆包后的吸湿过程。

失效机理：因富集在塑封体内各界面的水汽在表贴过程中迅速膨胀及材料的不匹配而导致界面分层或塑封体开裂，严重时可导致开路（1）电路产生分层。（2）电路产生开路或接触电阻偏大

温度循环试验目的和项目针对性：（1）模拟IC或器件在不断的高低温冲击中的退化程度；（2）两种材质之间热应力匹配可靠性试验；（3）封装或流片接触相关的验证。

失效机理：不同材料间热膨胀系数差异造成界面热匹配问题。（1）电路出现物理裂缝，包括芯片裂缝，接触退化等。（2）强的热应力会导致界面态发生变化，特别是晶格错位等缺陷，从而引发漏电。（3）明显的金属变形 ，电路出现短路现象。

不偏压加速老化试验or高温蒸煮试验目的和项目针对性：（1）模拟产品在高湿度环境下工作。（2）电路的抗化学腐蚀性，气密性验证。（3）UHAST芯片在潮湿环境下，同样会发生电化学反应腐蚀和化学反应腐蚀，从而因为腐蚀导致芯片失效，不能用HAST替代。

失效机理：湿气通过塑封体及各界面被吸入并到达芯片表面，在键合区形成原电池而加速金属的腐蚀。另外，水汽带入的杂质在器件表面形成漏电通道（1）金属被腐蚀，导致RDSON等增加。（2）电路漏电流增加，BV降低。

二、寿命试验：高温高低偏压or高速老化，间歇工作寿命（功率循环），高温反偏，高温栅极反偏

高温高低偏压or高速老化（H3TRB OR HAST）试验目的和项目针对性：（1）模拟产品在高湿度的环境下工作.（2）试验时待测芯片会被置于高温、高湿以及高压力下，湿气沿着塑料封和金属框架之间渗入，芯片内的一些杂质会溶解在水中进而导致芯片失效。

失效机理：相对高压蒸煮，偏置电压在潮湿的芯片表面加速了铝线及键合区的电化学腐蚀。同时，水汽带入的杂质及塑封体内的杂质在电应力作用下富集在键合区附近和塑封体内引脚之间形成漏电通道（1）金属被腐蚀，导致RDSON等增加；（2）电路漏电流增加，BV降低。

间歇工作寿命（IOL）试验目的和项目针对性：（1）模拟产品实际工作过程中不断的开关切换；（2）适合工作过程本身就是不断开关切换的IC和器件。

失效机理：Si-METAL的接触和METAL-METAL接触之间的退化，大致的问题为（1）由于金属接触的退化，包括wire bonding引起的RDSON或VCESAT的退化；（2）由于热应力引起的轻微裂片，以及界面态的变化。（3）热阻退化。

高温反偏（HTRB）试验目的和项目针对性：让产品持续在接近最高结温的状态下，验证结对温度和电压偏置的退化，特别针对各种界面的退化情况。

失效机理：（1）界面态发生变化，导致BVDSS，IDSS等失效，同时BAKE后会恢复或部分恢复。（2）对于MOS管来说，部分离子进入氧化层，导致VTH变小。

高温栅极反偏（HTGB）试验目的和项目针对性：让产品持续在接近最高结温的状态下，验证栅氧对温度和电压偏置的退化。

失效机理：（1）GATE出现漏电，击穿；（2）VTH发生变化。

四、静电放电试验（ESD）

模拟人体、设备

五、机械和适用性测试：易焊性和耐焊接热

易焊性试验目的和项目针对性：验证产品的上锡情况。

失效机理：未能有效上锡。

耐焊接热实验目的和项目针对性：验证产品在SMT过程中遭受的应力。

失效分析：（1）电路产生大面积分层，JEDEC标准判断为FAIL；（2）出现物理开路或PIN脚接触变大的情况。

可靠性测试项目

Group A：加速环境应力实验：PC、TC、、HAST、H3TRB、UHAST、IOL、AC、TCHT、TCDT、PTC；

Group B：加速寿命模拟测试：HTRB、HTGB、ACBV、SSOP；

Group C：封装组装整合测试：DPA、PD、WBP、WBS、DS、TS、RTS、RSH、TR、SD、WG、CA、VVF、MS、HER；

Group D：芯片晶圆可靠性测试：DI；

Group E：电气特性确认测试：EV、TEST、PV、ESDC、UIS、SC；