【论文总结】端对端的方法检测云供应商是否容易受Rowhammer攻击

Ohh24

已于 2023-04-10 12:14:38 修改

阅读量267

点赞数

分类专栏：云计算安全论文学习文章标签：安全云计算

于 2023-04-10 12:13:51 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/Ohh24/article/details/130056947

版权

这篇2020S&P的论文深入探讨了Rowhammer攻击，这是一种利用DRAM电荷泄漏效应的硬件攻击。作者通过研究DRAM结构和操作，提出了一种端对端方法来检测云服务是否易受此类攻击。他们生成高ACT命令速率以触发潜在的Rowhammer行为，并设计DDR4故障注入器来逆向工程DRAM行邻接关系，揭示DRAM行映射的非线性特性。

摘要由CSDN通过智能技术生成

介绍

这是一篇来自2020S&P的论文，作者是Lucian Cojocar, Jeremie Kim, Minesh Patel, Lillian Tsai, Stefan Saroiu, Alec Wolman, Onur Mutlu。该论文是从硬件的角度分析云计算安全。

前置知识

1.Rowhammer是一种对动态随机存取存储器（DRAM）攻击方法。这种攻击利用了DRAM在运行过程中产生的意外电荷泄漏效应，在足够多的访问次数后让某个单元的值从1变成0，反之亦然。Rowhammer攻击可以导致存储器单元泄露电荷并可能造成比特翻转，攻击存在的一个原因是现在DRAM存储单元的高密度排列造成的。简单来说就是该攻击是对DRAM中相邻地址的高访问率会翻转存储在附近地址的数据中的位。如下图，通过不断对第一行和第三行的访问，使第二行第三列的数值变为了1。
在这里插入图片描述

2.DRAM结构
DRAM由一个二维数组层次结构组成，如下图。在最高级的层面上，DRAM控制器和一个通道上的DRAM rank进行交互，该通道在DRAM控制器和DRAM rank之间传递DRAM命令、地址和数据。多个DRAM rank组成一个DRAM module，DRAM控制器使用芯片选择信号在任何给定的时间内只与一个DRAM rank进行接口交互。一个DRAM rank由多个DRAM芯片组成，DRAM bank被进