CSC7268

CSC7268概述: CSC7268是一款内置高压MOS的高性能、多工作模式的PWM控制芯片，内置多种保护机制。当系统为空载和轻载时，CSC7268采用Burst和Green控制模式可有效地减少了空载和轻载时的损耗。当系统为中载和重载时，芯片采用QR模式和CCM模式可有效提升电源系统的工作效率。CSC7268具有较小的启动和工作电流，并且内置高压启动模块，在实现快速开机的同时，可实现更低的待机功耗。CSC7268内置多种保护和自恢复功能，具有高稳定性和可靠性。同时，芯片内置抖频功能，具有良好的EMI性能。CSC7268采用DIP7封装。

CSC7268主要特点
 内置>650V 的功率 MOSFET
 CSC7268内置高压快速启动模块，实现待机功耗<75mW
 多种工作模式:Burst 模式@空载、Green 模式@轻载、QR 模式@中载、CCM 模式@重载
 内置抖频模块，具有良好 EMI 特性

 内置软启动模块，有效抑制开机时MOSFET 开关应力
 固定 65KHz 工作频率
 多重保护模块：VDD过、欠压保护、过流保护、输出过载保护、输出过压保护、输入过欠压保护、过温保护

功能描述
1 1 、 介绍
CSC7268 是一款高性能的多模式反激式 PWM 控制器。在不同负载条件下，电路自适应多种工作
模式，并且内置高压启动模块，具有较低的启动电流和工作电流，可实现高转换效率、低待机功耗
和较低的应用成本。
2 2 、 启动和欠压
CSC7268 采用内置高压启动技术，通过内置高压启动 MOS 管，对外部 V DD 端口电容实现恒定电流快速充电，从而有效提升启动时间。当 V DD 电压达到芯片启动电压（V DD_on ）时，芯片内部控制电路开始工作，当达到充电关断电压（V th_chargeoff ）时，充电回路关闭，系统通过变压器辅助绕组源持续供电；当 V DD 电压下降到充电开启电压（V th_chargeon ）时，充电回路重新打开，给 V DD 电容充电，如果系统为断电状态，V DD 会继续降低，当低于关断电压（V DD_off ）时，芯片内部控制电路停止工作，电路重新进入等待启动状态。同时，电路内置一个由 CS 峰值电压缓变控制实现的软启动模式，其软启动时间约为 3mS，可有效抑制开机时 MOSFET 开关应力。
3 3 、 工作模式
CSC7268 是一款多模式控制的反激式 PWM 控制器。电路根据 FB 端的电压实现不同工作模式的
切换和运行。系统正常工作时，当负载为空载或极轻载时，FB 端电压低，系统进入 Burst 模式，在 Burst 模式下，只有当 FB 电压高于 Vfb_burst_1（Burst 模式阈值 1）电压，电路的 IC 栅极驱动才开启，开启后，FB 电压随之降低，当其低于 Vfb_burst_2（Burst 模式阈值 2）电压时，栅极驱动关闭，FB 电压又随之上升，此状态可有效降低开关损耗，降低待机功耗；当负载逐渐加重，FB 端的电压升高，但FB 电压低于 Vfb_green（Green 模式关闭阈值）时，系统工作在 Green 模式，其工作频率为23~65KHz；当负载为重载时，FB 电压超过 Vfb_green 时，系统进入 CCM 工作模式。
4 4 、 电流取样和前沿消隐
CSC7268 采用逐周期限流保护。通过对连接到 CS 端的电阻上的电压进行采样，来判断功率管
的电流，从而控制内部功率管的关闭。为防止在功率管开通时产生的尖峰电压对采样产生误判，电
路中设置了约 300ns 的前沿消隐藏时间，来屏蔽尖峰电压的影响。在消隐期间，电流采样比较器被禁用，不能控制关闭内部功率管。
5 5 、 抖频功能
CSC7268 内置了抖频功能，其开关频率会被内部一个信号进行调制，从而达到改善系统 EMI特性，简化系统设计。
6 6 、 输入过欠压保护
CSC7268 内置了线电压保护功能。在系统正常工作时，通过监测 DEM 端在 T on 时间段的电流，
可以实现 AC 线电压过压（OVP）和欠压（BOP）保护。如果 DEM 端电流大于 720uA, IC 将触发
AC 线电压 OVP。如果 DEM 端电流小于 175uA, IC 将触发 AC 断电(BOP)保护。