超结MOS/低压MOS在5G基站电源上的应用-REASUNOS瑞森半导体

一、前言

5G基站是5G网络的核心设备，实现有线通信网络与无线终端之间的无线信号传输，5G基站主要分为宏基站和小基站。5G基站由于通信设备功耗大，采用由电源插座、交直流配电、防雷器、整流模块和监控模块组成的电气柜。所以顾名思义，5G电源就是指5G通讯设备专用电源。

5G基站电源，分两大主流：目前，5G基站供电系统有两大主流，一是UPS供电系统，二是HVDC 供电系统。5G基站电源的发展趋势主要向着解决方案小型化、高频化、高可靠性以及效率提升的目标前进。

二、典型应用拓扑

针对MOS管在5G电源上的应用，推荐瑞森半导体两款产品系列；

在PFC线路和Flyback线路，推荐瑞森半导体超结MOSFET系列：

由原深沟槽工艺革新成多层外延工艺，具有低导通电阻，优异EMI特性，低损耗，高效率，低温升等特性。能够显著降低高电压下单位面积的导通电阻，进而降低导通损耗。同时，超结MOSFET拥有极低的FOM值，从而拥有极低的开关能量损耗和驱动能量损耗。

为适应电源系统高效率小型化的需求，同步整流线路图推荐使用瑞森半导体低压SGT MOS系列：

采用SGT沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术，具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。