多层外延工艺超结MOS在电源中的应用

超结也称为超级结，是英文Super Junction 的直译，而英飞凌之前将这种技术称之为CoolMOS。因而超结（Super Junction，CoolMOS）一直混用至今。瑞森半导体多年前就进军超结领域，经过多年研发生产，目前已拥有完整的超结系列产品。

一、超结MOS结构

传统高压MOS，晶圆衬底为降低其电阻会做高掺杂，但为保证其击穿电压，在外延N-上掺杂浓度会降低，而低掺杂浓度的外延层会导致结构电阻增大，也就是MOS管的内阻增大。

为解决这一状况开发出超结技术，超结MOSFET 采用了在垂直沟槽结构，在外延N-层建立了深入的p型区，其掺杂浓度比原p型区的掺杂浓度低，其作用是补偿导通电荷，并使pn结的耗尽区向p区一侧扩展，起到了电压支持层的作用，降低了击穿电压对外延层N-的要求。这样便可提高延层N-掺杂浓度，从而降低其结构电阻。

二、超结MOS的特点

1.内阻低(RDSON) 

得益于特殊的芯片内部结构，使得超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MO