RISC-V MCU应用教程之低功耗待机模式

以RISC-V MCU CH32V307为例。

1. 待机模式简介

待机模式（Standby），芯片的运行功耗最低。

该模式下，内核处于深睡眠模式（Sleep Deep）, 电压调节器进入停机模式。

待机模式唤醒后，MCU将执行电源复位。

该模式下的唤醒时间约 8.9ms （LDO稳定时间 + HSI RC时钟唤醒 + 代码加载时间）。

此模式下的睡眠电流约为1~2uA。

可以通过配置PWR_CTLR寄存器控制该模式下部分SRAM不掉电，使用变量数据保持，睡眠电流增加约 1.5~2uA 配置方式如下：

位	控制位名称	说明	复位值
19	R30K_VBATEN	VBAT供电时，Standby模式下前 30K RAM是否带电： 1：带电 0：不带电	0
18	R2K_VBATE	VBAT供电时，Standby模式下前 30K RAM是否带电： 1：带电 0：不带电	0
17	R30K_STYEN	Standby模式下前 30K RAM是否带电： 1：带电 0：不带电	0
16	R2K_STYEN	Standby模式下前 2K RAM是否带电： 1：带电 0：不带电	0

2.进入待机模式

进入待机模式步骤如下：

• 配置 PFIC_SCTLR 系统控制寄存器控制位 SLEEPDEEP = 1

• 配置 PWR_CTLR 电源控制寄存器控制位 PDDS = 1

• 清除电源控制/状态寄存器 PWR_SCR 中的 WUF 位，PWR_CTLR 的 CWUF 位写1清零

• 执行 WFI 或 WFE指令

3. 退出待机模式

退出待机模式步骤如下：

• WKUP引脚上升沿

• RTC闹钟事件的上升沿

• NRST引脚上的外部复位

• IWDG复位

• 唤醒事件，配置一个外部EXTI线为事件模式，当CPU从WFE唤醒后，因为对应事件线的挂起位没有被置位，不必清除相应外设的中断挂起位或PFIC中断通道挂起位。

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