存储周期和总线传输周期

本文详细阐述了存储周期和总线传输周期的概念,存储周期是指内存进行一次读/写操作的完整时间,包括等待时间和数据传输时间。而总线传输周期涉及总线的申请、寻址、传输和结束四个阶段,通常由多个总线时钟周期组成。理解这两个概念有助于深入认知CPU与内存之间的交互以及系统性能的影响。

存储周期

存储周期是对于主存来说的,存取周期是对内存进行一次读/写操作从得到地址到完成读/写操作以及下一次读/写操作开始前的总时间;

总线传输周期

总线传输周期是对于总线来说的,是总线的性能指标。总线周期又称为总线的传输周期,包括申请阶段,寻址阶段,传输阶段和结束阶段,一般来说,总线周期是由多个总线时钟周期构成的
参考自:cnblogs.com/juanzhi/p/16314655.html

个人理解

个人理解
对于此问题的困惑一般来自 地位交叉编制,本来结合408 2013真题有了初步理解
对于存储周期而言,内存中有多个存储模块,由于CPU的速度会高于内存的速度(可以理解成工作的频率不一样),CPU想拿数据了但是存储模块没有准备好 所以需要低位交叉编址,采用流水的方式拿数据。

注意

注意 :CPU的速度中CPU频率和总线时钟频率要区别开来,CPU频率是cpu工作一次的时间,一条指令可能会需CPU工作多次(CPI的意义),而CPU存取一次数据需要一次总线周期,CPU的工作速度会被总线拖累(就取数据而言)

时间计算摆烂版

:t = 读第一个数据所需要的时间+读剩下数据的个数×流水线平均时间+最后一个数据读出来以后总线的传输时间
考虑不周,具体情况具体分析,综合考虑总线周期以及存储时间以及内存模块个数。

<think>我们正在讨论总线周期存储周期的关系。根据引用内容,总线周期是CPU通过总线对外部(存储器或I/O接口)进行一次访问所需的时间,而存储周期是主存储器两次启动操作之间的最小时间间隔。引用[1]详细描述了总线周期的四个阶段(T1-T4),并指出存储周期包含存取时间恢复时间。 关键点: - 总线周期是CPU访问外部(包括存储器)的总线操作时间。 - 存储周期是存储器完成一次完整读写操作的最小间隔时间,包括存取时间(启动操作到完成操作)恢复时间(操作后恢复内部状态)。 关系分析: 1. 当CPU访问存储器时,总线周期存储周期会同时发生。但存储周期通常比总线周期长,因为存储器操作需要更长的物理操作时间(如电容刷新、信号稳定等)。 2. 引用[1]提到,总线周期一般包含4个总线时钟周期(T1-T4)。而存储周期包含存取时间恢复时间,其中存取时间对应总线周期中的一部分(如地址输出、控制信号、数据传输),但存储周期还包括恢复时间,这是总线周期中没有的。 3. 因此,一个存储周期可能包含多个总线周期?或者,当CPU访问存储器时,一个总线周期可能无法完成存储器的操作,需要等待存储器准备好(通过READY信号延长总线周期)。 具体关系: - 在理想情况下,如果存储器的存取时间很短,可以匹配总线周期的速度,那么一次存储器访问可能只需要一个总线周期。 - 但实际情况是,存储器的速度往往慢于总线速度,因此,一个存储周期可能对应多个总线周期(通过插入等待状态Tw来延长总线周期)。引用[1]中T3Tw状态提到“检测READY以决定是否延长时序”,这就是为了等待存储器完成操作。 引用[3]中关于低位并行的描述也说明了这一点:一个存储周期除了包含总线传输周期(即总线周期)外,还要进行其他操作(恢复时间等)。如果一个存储体正在执行存取操作,那么在该操作完成(包括恢复时间)之前,不能开始下一次操作。而总线周期只是存储周期中用于数据传输的那部分时间。 总结关系: - 总线周期是CPU通过总线访问外部设备(包括存储器)的时间段,它由多个时钟周期组成(通常是4个时钟周期,但可延长)。 - 存储周期是存储器完成一次完整操作(包括存取恢复)所需的最小时间间隔。 - 当CPU访问存储器时,总线周期必须覆盖存储器的存取时间(可能还要包括部分恢复时间),因此: 存储周期总线周期(实际执行时间) 具体来说: - 存储周期 = 存取时间 + 恢复时间 - 总线周期(用于访问存储器时)必须至少等于存取时间(因为存取时间内要完成数据的读写),但总线周期并不包括存储器的恢复时间,因为恢复时间不需要总线保持活动。 - 但是,由于总线周期在T4状态就完成了数据传送,而存储器的恢复时间是在数据传送之后,所以恢复时间不会占用总线周期。不过,在恢复时间内,存储器不能启动下一次操作,因此下一次总线访问必须等到存储周期结束(即恢复时间也结束)。 因此,总线周期存储周期的关系可以这样描述: - 一次存储器访问操作(对应一个存储周期)需要至少一个总线周期(可能被延长)来完成数据传输,然后存储器需要额外的恢复时间。在这整个存储周期内,总线可以被释放用于其他操作(如访问其他存储体),但同一个存储体必须等待存储周期结束才能再次被访问。 引用[3]中的低位并行技术就是利用多个存储体交错工作来隐藏存储周期中的恢复时间(以及部分存取时间),使得总线可以连续工作而不必等待一个存储体的整个存储周期。 数学表达: - 设存储周期为 $T_m$,其中存取时间为 $t_a$,恢复时间为 $t_r$,则 $T_m = t_a + t_r$。 - 设总线周期为 $T_b$(这里指一次存储器访问所需的总线时间,可能包含多个时钟周期),理想情况下,我们希望 $T_b \geq t_a$(因为数据传输必须在存取时间内完成),但实际上,总线周期通过插入Tw状态可以延长到至少 $t_a$ 的长度。而恢复时间 $t_r$ 发生在总线周期之后,不占用总线。 - 因此,两次对同一存储体的访问必须间隔 $T_m$,而对不同存储体的访问可以连续进行(只要总线空闲)。 举例: - 假设一个存储体的存储周期 $T_m = 100ns$(其中存取时间 $t_a=80ns$,恢复时间 $t_r=20ns$),总线时钟周期为 $20ns$,标准总线周期包含4个时钟周期(即80ns)。那么,当CPU访问这个存储体时,总线周期恰好为80ns(等于存取时间),然后在接下来的20ns恢复时间内,总线可以用于访问其他存储体。 注意:在总线周期中,T3Tw阶段会检测READY信号,如果存储器未准备好(存取时间还未完成),则插入Tw等待周期,直到存储器完成存取操作。这样,总线周期就被延长到等于或大于存取时间。 所以,总线周期存储周期的关系是:总线周期(用于访问存储器时)必须覆盖存储器的存取时间,而存储周期(包括恢复时间)决定了同一个存储体可以被连续访问的最小间隔。 </think>### 总线周期存储周期的关系分析 根据引用内容,总线周期存储周期存在紧密的时序关系,二者共同决定了计算机系统的数据访问效率。以下是它们的核心关系解析: #### 1. **时序包含关系** - **总线周期**是CPU通过总线访问外部设备(存储器或I/O)所需的时间,通常包含4个阶段(T1-T4): - $T_1$:输出地址 - $T_2$:输出控制信号 - $T_3/T_w$:数据传输(可延长) - $T_4$:完成传输[^1] - **存储周期**包含两个关键部分: - 存取时间:启动操作到完成操作的时间($t_a$) - 恢复时间:操作后恢复状态的时间($t_r$) $$\text{存储周期} T_m = t_a + t_r$$ - **核心关系**: 总线周期存储周期的**子集**。当CPU访问存储器时,总线操作时间(T1-T4)主要覆盖存储器的存取时间($t_a$),但**不包含恢复时间**($t_r$)[^1][^3]。 即: $$T_b \approx t_a \quad (T_b\text{为总线周期})$$ $$T_m = T_b + t_r + \Delta t \quad (\Delta t\text{为额外延迟})$$ #### 2. **性能耦合关系** - **速度匹配**: 总线周期通常短于存储周期($T_b < T_m$)。例如: - 总线周期=4个时钟周期(如40 ns@100 MHz) - 存储周期=60 ns(含20 ns恢复时间) 此时总线需通过$T_w$等待状态延长时序(引用[1]的T3/Tw),等待存储器完成操作[^1]。 - **带宽瓶颈**: 系统最大数据传输率受二者共同制约: $$\text{带宽} = \min \left( \frac{\text{总线宽度}}{T_b}, \frac{\text{存储字长}}{T_m} \right)$$ 若$T_m > T_b$,存储周期成为瓶颈(如低速DRAM)[^3]。 #### 3. **并行优化关系** 引用[3]的低位并行技术揭示了二者的协作机制: - **关键原理**:利用存储周期的恢复时间($t_r$)执行其他操作 ```mermaid timeline title 低位并行时序优化 section 存储体M0 T_b(总线传输) : 20 ns t_r(恢复时间) : 40 ns section 存储体M1 空闲 : 20 ns T_b(总线传输) : 20 ns t_r(恢复时间) : 20 ns ``` - **效果**:通过交叉访问多个存储体,总线可在$t_r$期间服务其他请求,将有效存储周期压缩至接近$T_b$[^3]。 #### 4. **层次化交互** - **访问流程**: CPU发起请求 → 总线周期传输地址/控制 → 存储器执行存取操作 → 总线传输数据 → 存储器进入恢复阶段 - **同步点**: $T_3/T_w$阶段的READY信号(引用[1])是总线与存储器的关键握手信号,用于协调速度差异[^1]。 ### 总结关系模型 $$ \begin{array}{c} \text{总线周期} \\ (T_b) \\ \downarrow \\ \text{覆盖} \\ \downarrow \\ \boxed{\text{存取时间 } (t_a)} \rightarrow \boxed{\text{恢复时间 } (t_r)} \\ \uparrow \\ \text{存储周期} \\ (T_m = t_a + t_r) \end{array} $$ 总线周期驱动存储器的存取操作,而存储周期的恢复时间决定了连续访问的最小间隔。优化二者协同是提升系统性能的关键。 --- **相关问题** 1. 如何通过READY信号协调总线周期存储周期的速度差异? 2. 在低位并行架构中,总线周期如何避免存储恢复时间的浪费? 3. 存储字长总线宽度不匹配时,会对周期关系产生什么影响?[^2][^4] 4. 缓存(Cache)如何缓解总线周期存储周期的速度矛盾?
评论 5
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值