存储器
主存储器
MAR和MDR是制作在CPU芯片内的,不是在主存里。
寻址(重点)
按字节寻址的范围:2地址线数量
按字寻址的范围的求法:首先要看机器字长,机器字长/8=字数(?),字节寻址的范围/字数=按字寻址的范围。
存储容量
存储容量=存储单元个数x存储字长=存储单元个数x存储字长/8
(按后面公式计算的话单位是b)
存储速度
存储时间也称为访问时间,指启动一次存储器到完成操作所需的全部时间。
存储周期指存储器连续两次独立操作所需的最小间隔时间。通常存取周期大于存储时间。
存储器带宽
表示单位时间内存储器存储的信息量,用字/秒或者字节/秒或者位/秒表示。
半导体存储芯片基本结构
包括译码驱动,存储矩阵,读写电路,数据线,片选线,地址线,读写控制线。
译码驱动方式通常使用重合法。(类似横纵坐标吧)
随机存取储存器(RAM)
静态RAM
用触发器原理,需要6个MOS管,信息读出后仍保持原状,因此不需要再生。但是断电的时候存储信息会丢失。
要注意读写周期时序!(书上79,80页)