GBJ2510-ASEMI逆变器专用整流桥GBJ2510

最新推荐文章于 2024-07-16 15:18:20 发布
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编辑：ll

GBJ2510-ASEMI逆变器专用整流桥GBJ2510

型号：GBJ2510

品牌：ASEMI

封装：GBJ-4

最大平均正向电流：25A

最大重复峰值反向电压：1000V

产品引线数量：4

产品内部芯片个数：4

产品内部芯片尺寸：140MIL

峰值正向漏电流：<10ua

恢复时间：＞2000ns

浪涌电流：350A

芯片材质：光阻GPP

最大正向电压：1.90V

工作结温：-55℃~150℃

包装方式：200/盒：2000/箱

GBJ2510产品尺寸规格如下：脚宽度为2.2mm，脚长度为17.5mm，脚间距为7.5mm，本体长度为30.0mm，高度为20.0mm，厚度为3.6mm，脚厚度为0.7mm。

GBJ2510-ASEMI整流桥的电性参数：正向电流25A；反向电压1000V

GBJ2510整流桥广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

SUNNYSPY001
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GBJ2510-ASEMI电机专用25A整流桥GBJ2510
qyx3868的博客
07-29 5000
GBJ2510在GBJ-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是140MIL，是一款电机专用25A薄体扁桥。GBJ2510的浪涌电流Ifsm为350A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBJ2510的电性参数是正向电流(Io)为25A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.05V，其中有4条引线。它的本体长度为20.0mm，加引脚长度为37.5mm，宽度为30.0mm，高度为4.6mm，脚间距为7.5mm。正向电流(Io)25A。漏电流(Ir)10uA。...
ASEMI整流桥KBJ2510参数，KBJ2510规格，KBJ2510应用
qyx3868的博客
03-23 2955
编辑-Z ASEMI整流桥KBJ2510参数： 型号：KBJ2510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF(AV)）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：350A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.0℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬时正向压降（VF）：1.05V 最大直流反向电流（IR）：10uA KB
GBJ2510-ASEMI整流桥GBJ2510参数、封装、尺寸
02-29 587
GBJ2510-ASEMI整流桥GBJ2510参数、封装、尺寸
ASEMI电磁炉整流桥KBJ2510参数和性能
qyx3868的博客
12-09 1243
ASEMI大电流KBJ2510多年来深受客户喜爱，在电磁炉领域发挥着重要作用，ASEMI的KBJ2510的成就主要来自内部核心GPP芯片具有良好的稳定性和抗冲击性，能够保证KBJ2510输出电流和反向耐压持续稳定；KBJ2510具体参数为：正电流：25A，反向耐压：1000V，反向电流：10uA，正向压降：1.05V，封装：KBJ-4。大电流KBJ2510用于商用电磁炉对产品要求很高，需要商用电磁炉KBJ2510只有质量高，性能好，才能长时间保持不发热，所以在购买大电流KBJ2510时须谨慎。
ASEMI整流桥KBU1010参数，KBU1010规格书，KBU1010数据
qyx3868的博客
01-12 2827
编辑-Z ASEMI整流桥KBU1010参数： 型号：KBU1010 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF(AV)）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2.7℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to + 150℃ KBU1010规格尺寸： 总长度：44.7mm 本体长度：19.3mm 引
ASEMI整流桥KBPC2510，KBPC2510参数，KBPC2510规格书
qyx3868的博客
07-26 610
安装位置用硅树脂导热化合物在桥和安装表面之间用螺栓固定在散热器上，以实现最大的热传递效率。工作结和储存温度范围（TJ,TSTG）-55to+150℃。最大重复峰值反向电压（VRRM）1000V。最大RMS电桥输入电压（VRMS）700V。每个元件的典型热阻（ReJA）2.1℃/W。最大平均正向整流输出电流（IF）25A。最大直流阻断电压（VDC）1000V。峰值正向浪涌电流（IFSM）300A。最大瞬时正向压降（VF）1.0V。最大直流反向电流（IR）10uA。...
ASEMI整流桥KBU2510参数规格，KBU2510尺寸特征
qyx3868的博客
05-06 1204
编辑-Z ASEMI整流桥KBU2510参数： 型号：KBU2510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2.7℃/W 熔断等级（I 2 t）：300A2 sec 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬时正向压降（VF）：1.05V 最大直流
GBU2510-ASEMI大功率电源专用整流桥GBU2510
qyx3868的博客
07-23 3061
编辑-Z GBU2510在GBU-4封装里采用的玻璃钝化硅整流二极管芯片，外壳采用环氧树脂，是一款大功率电源专用整流桥。GBU2510的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBU2510的电性参数是：正向电流(Io)为25A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.1V，其中有4条引线。GBU2510适用于开关电源、家用电器、办公设备、工业自动化设备。 GBU2510参数描述 型号：GBU2510 封装：GBU-4 特性：大功率电源
常用的整流桥极其参数
cuihuwu0252的博客
12-22 5756
常用的整流桥极其参数 参数共四项从左到右依次为 产品型号峰值反压VRRM(V)平均电流(A)正向压降(V) 封装 MB1S1000...
ASEMI整流桥KBJ2510参数，KBJ2510规格，KBJ2510重量
qyx3868的博客
01-25 350
编辑-Z ASEMI整流桥KBJ2510参数： 型号：KBJ2510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流电流（IF(AV)）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：350A 每个元件的典型热阻（RthJC）：1℃/W 工作结和储存温度范围（TJ,TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬时正向压降（VF）：1.05V 额定最大直流反向电流（IR）：10uA KBJ2
25A整流桥KBJ2510-ASEMI，大功率家电用KBJ2510
qyx3868的博客
01-13 1427
编辑-Z 25A整流桥KBJ2510-ASEMI适用于大功率家电的电源，这类整流桥大多使用桥式整流，整流桥KBJ2510的作用是通过二极管的单向导通特性使交流电被转换成单向直流电。 KBJ2510参数描述 型号：KBJ2510 封装：KBJ-4 特性：超薄扁桥 电性参数：25A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：25A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 芯片尺寸：140 MIL 浪涌电流Ifsm：400A 漏电流(Ir)：5ua 工作温度：-55~+15
一、GD32F407VET6点亮一个LED灯
最新发布
qq_42704573的博客
07-16 701
自己外部焊的啥就把哪一个打开。5.1 如果最开始的时候修改过工程名 则需要重新配置一下下载器 这也是我不爱修改工程名的原因。2.1 编写BSP_LED.h 所有自己写的.c和.h 记得多敲两行空行 不然会报警告。2.2 编写BSP_LED.c 所有自己写的.c和.h 记得多敲两行空行 不然会报警告。2.3 将BSP_LED.c文件添加至工程 点那个三个颜色的品字形图标。5.2 选择下载器没j-link 自己是啥选择自己的下载器。1.1 将新建好的工程模版复制一份并改一个自己喜欢的名字。
基于AT89C51单片机篮球计时计分器的设计（含文档、源码与proteus仿真，以及系统详细介绍）
m0_56379011的博客
07-10 940
3系统调试3.1初始状态显示3.2甲队加分显示3.3乙队加分显示3.4 倒计时显示4 总结本设计报告介绍了一种基于AT89S51单片机的交通灯的设计方法，本论文完成了系统的硬件设计与制作，详细介绍了系统硬件设计的过程，并结合软件系统完成了整个系统的软、硬件联调，系统工作良好，实现了基本功能。这次课设是我们遇到过的较大的设计。
Netty UDP
mqiqe的专栏
07-16 753
UDP是一种无连接的协议，它并不在通信双方之间建立连接，而是直接将数据包从发送端发送到接收端。UDP不保证数据包的可靠传输，也不保证数据包的顺序，因此其传输速度通常比TCP快，且系统开销较小。然而，这也意味着UDP在某些情况下可能会丢失数据包或数据包到达的顺序错乱。
GD32 MCU上电跌落导致启动异常如何解决
聚沃科技&GD32 MCU开发者社区
07-16 172
2、修改NRST引脚对应的RC阻容，调整MCU启动时间，避开电源电压跌落的时刻，MCU的启动不仅仅看VDD高于PDR，还需要看NRST引脚电压高于0.7VDD，调整NRST对应的RC阻容，可以调整MCU的启动时间。GD32 MCU上下电复位波形如下图所示，上电过程中如果存在吃电的模块，比如wifi模块/4G模块/开启某块电路等，可能存在电源电压跌落的情况，此时若MCU在启动过程中可能会造成MCU加载代码异常，进而导致启动异常。大家是否碰到过MCU上电过程中存在电源波动或者电压跌落导致MCU启动异常的问题？
基于单片机的停车场车位管理系统设计
weixin_44453694的博客
07-14 961
停车场车位管理系统是日常中随处可见的一种智能化车位管理技术，使用该技术可以提高车位管理效率，从而减轻人员车位管理工作负荷。本系统集成车牌识别、自动放行、自助缴费等技术，并且具备车位占用状态实时监测与车位数量实时统计、查询等功能，相比与传统停车场车位管理，本系统提高了车位管理效率，并且资源得以充分利用。本系统使用车牌号识别技术，自动识别进出场车辆的车牌号信息，能够有效的提高车辆进程效率。同时，本系统支持车位信息监测，可以及时的为车主搜寻空闲车位，避免了车主盲目寻找车位的烦恼。
嵌入式单片机项目开发的基本思想分享
嵌入式技术开发
07-12 1489
当系统需要修改或扩展时，分层设计使开发者可以专注于修改或添加特定层的功能，而不需要深入了解整个系统的内部细节，，特别是在处理复杂、大型的项目时，它能够提高代码的可维护性、可读性和可扩展性，同时也便于团队协作和测试。这个问题，其实没有标准答案，你可以不用分层设计，也可以分层设计，这取决于你，或你们公司对软件的要求。面向用户或用户的程序，直接响应用户的操作或请求，如控制LED灯的闪烁、读取传感器的数据等。所以，为了提升自己，准确的说，为了今后能做大项目，挣大钱，单片机项目很有必要分层设计。
韦东山嵌入式linux系列-驱动设计的思想（面向对象/分层/分离）
StudyWinter的博客
07-13 981
比如 board_A.c 使用芯片 chipY，那就可以写出： chipY_gpio.c，它实现芯片 Y 的 GPIO 操作，适用于芯片 Y 的所有 GPIO 引脚。以面向对象的思想，在 board_A_led.c 中实现 led_resouce 结构体，它定义“资源”──要用哪一个引脚。在 chipY_gpio.c 中仍是实现 led_operations 结构体，它要写得更完善，支持所有 GPIO。a) 有方向寄存器 DIR、数据寄存器DR等，基础地址是addr_base_addr_gpio1。
STM32学习历程（day6）
weixin_60039521的博客
07-10 1023
学好GPIO外设的使用方法 后面的这些外设使用起来都大差不差 而且ARM公司提供的库函数的函数注释也很详细 感觉最主要的就是要学会看框图 知道自己的工程需要哪些外设 然后他的电路图如何走 跟着一步步初始化和使能就可以。
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07-14
《工业企业噪声控制设计规范GBJ87-85》是中国在1986年发布的一项重要标准，旨在预防工业噪声对职工健康、生产安全和环境保护的影响。该规范适用于所有新建、改建、扩建和技术改造的工业项目，特别强调噪声控制应与...

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