MUR840-ASEMI快恢复二极管MUR840

128 篇文章 0 订阅
83 篇文章 0 订阅

编辑:ll

MUR840-ASEMI快恢复二极管MUR840

型号:MUR840

品牌:ASEMI

封装:TO-220/TO-220F

最大平均正向电流(IF):8A

最大循环峰值反向电压(VRRM):400V

最大正向电压(VF):1.30V

工作温度:-55°C~150°C

反向恢复时间:35ns

芯片个数:2

芯片尺寸:72mil

引脚数量:3

正向浪涌电流(IFMS):125A

包装方式:50/管 1000/盘 3000/箱

MUR840特性

参数一致

性能稳定

恢复时间短

高电流能力

低功率损耗

MUR840快恢复二极管描述:

ASEMI品牌MUR840是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了MUR840的平均正向整流电流8A,反向击穿电压400V.

MUR840-ASEMI整流桥广泛应用在小功率开关电源,电源适配器,LED灯整流器,手机充电器,家用小电器等相关电器产品。

  • 3
    点赞
  • 0
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
首先,我们需要知道什么是Mur一阶吸收边界条件。Mur一阶吸收边界条件是一种常用于时域有限差分方法中的边界条件,用于模拟电磁波在无限大空间中传播时的边界情况。 假设我们的仿真区域是一个正方形,其中一个边界面(假设为x方向)的位置为x=0,我们需要将这个边界面视为吸收边界,即电磁波在这个边界面上的反射应该被尽可能吸收。 Mur一阶吸收边界条件可以通过以下步骤推导得到: 1. 首先,我们需要将边界面上的电磁场分解为两个方向,垂直于边界面的电磁场(假设为Ey)和平行于边界面的电磁场(假设为Ez)。 2. 然后,我们需要在边界面上引入一个虚拟面(假设为x=-dx/2),在这个虚拟面上,我们需要将垂直于边界面的电磁场(Ey)反射回来。 3. 接下来,我们需要在虚拟面上引入一个反射系数(假设为R1),用来控制反射电磁波的振幅大小。 4. 然后,我们需要在虚拟面与边界面之间再引入一个虚拟面(假设为x=-dx),在这个虚拟面上,我们需要将平行于边界面的电磁场(Ez)反射回来。 5. 同样地,我们需要在这个虚拟面上引入一个反射系数(假设为R2),用来控制反射电磁波的振幅大小。 6. 最后,我们需要对边界面上的电磁场进行修正,使得边界面上的电磁波在经过反射之后,相当于在虚拟面上产生了吸收。 通过这样的推导过程,我们可以得到Mur一阶吸收边界条件的具体表达式。

“相关推荐”对你有帮助么?

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值