本文详细介绍了DRAM的三种刷新方式：集中刷新、分散刷新和异步刷新。集中刷新在读取全部数据后统一刷新，存在较长死区时间；分散刷新则在每次存取操作后立即刷新，没有明显死区但延长了存储周期；异步刷新结合两者优点，通过在2ms内分散刷新128行，显著降低了死区时间。每种方式各有优缺点，适用于不同的应用场景。
DRAM由于在存储信息时采取了电容存储电荷，因此需要进行“刷新”操作
SC-用于存储 AT-开合决定是否对存储进行读取/更改
DRAM有三种刷新方式。
一、集中刷新
所谓集中刷新，即在整体RAM读取完毕之后进行集中的刷新操作。
其死区大小为0.5*32，刷新的时间间隔为2ms
二、分散刷新
分散刷新指的是在每次存取周期之后均进行一次刷新（以行为单位），存取和刷新交替进行。
不存在集中刷新中的长时间死区，这里所谓的不存在指的是将刷新的时间，加入到读写周期中。
即读写周期 = 0.5 + 0.5 = 1
刷新间隔为（从上一次刷新到下一次刷新中间的间隔）——128个读写周期
三、异步刷新
异步刷新是将上述两种方法结合到一起的刷新方式
指的是将128行的刷新周期分散在2ms中，即隔15.6 us刷新一次。
同时如果将刷新安排在译码阶段，不会出现死区。
其整体刷新时间仍然为 128 * 0.5 = 64us没有变，但是死区仅有0.5us
三种刷新方式的对比：
集中刷新——死区时间长
分散刷新——不存在死区，但存储周期加长
异步刷新——结合，死区时间显著降低
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