DRAM的三种刷新方式

DRAM由于在存储信息时采取了电容存储电荷，因此需要进行“刷新”操作

 SC-用于存储 AT-开合决定是否对存储进行读取/更改

DRAM有三种刷新方式。

一、集中刷新

所谓集中刷新，即在整体RAM读取完毕之后进行集中的刷新操作。

其死区大小为0.5*32，刷新的时间间隔为2ms

二、分散刷新

分散刷新指的是在每次存取周期之后均进行一次刷新（以行为单位），存取和刷新交替进行。

 不存在集中刷新中的长时间死区，这里所谓的不存在指的是将刷新的时间，加入到读写周期中。

即读写周期 = 0.5 + 0.5 = 1

刷新间隔为（从上一次刷新到下一次刷新中间的间隔）——128个读写周期

三、异步刷新

异步刷新是将上述两种方法结合到一起的刷新方式

指的是将128行的刷新周期分散在2ms中，即隔15.6 us刷新一次。

同时如果将刷新安排在译码阶段，不会出现死区。

其整体刷新时间仍然为 128 * 0.5 = 64us没有变，但是死区仅有0.5us

三种刷新方式的对比：

集中刷新——死区时间长

分散刷新——不存在死区，但存储周期加长

异步刷新——结合，死区时间显著降低