STM32晶振 选型

STM32有5个时钟源,包括8MHz的高速外部时钟(HSE)和32.768KHz的低速外部时钟(LSE)。晶振选型考虑因素包括频率、负载电容、封装形式、温度频差等。负载电容的计算公式为CL = CS + (CD*CG)/(CD+CG),并需注意晶振的可靠安装、焊接温度和布线设计。晶振分为无源和有源,前者需要匹配外部电容,后者内部包含起振元件,提供高质量稳定信号。

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  1. 频率

STM32有5个时钟源,有高速内部时钟(HSI)和低速内部时钟(LSI),还有高速外部时钟(HSE)和低速外部时钟(LSE),而这里的外部高速时钟HSI就是我们图中的Y1,8MHz的晶振,外部低速时钟则是图中的Y2,32.768KHz的晶振,只有通过8MHz的晶振才可以最终达到72MHz,而32.768KHz正好是2的15次方。

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  1. 负载电容

  • 晶振内部存在石英晶体,受到外部撞击或跌落时易造成石英晶体断裂破损,进而造成晶振不起振,所以在设计电路时要考虑晶振的可靠安装,其位置靠近CPU 芯片优先放置,远离板边。

  • 在手工焊接或机器焊接时,要注意焊接温度。晶振对温度比较敏感,焊接时温度不能过高,并且加热时间尽量短。

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