VPS2105 替代金升阳模块 无光耦 DCDC 电源控制器 4-100V 小体积

1 特点

 初级侧反馈反激（PSR）/Buck/Boost

 内置环路补偿和输出二极管压降温度补偿

 CCM 和 DCM 模式兼容

 ***小采样时间低至 0.5uS

 4V-100V 输入电压范围

 内置 120V/0.1Ω LDMOS

 内置 100V 启动电路

 集成无损电流采样

 峰值电流和工作频率都可编程

 内置软启动和斜坡补偿

 ***设置输入欠压保护和回差

 输出短路/过压保护、开环保护、过温保护

 芯片工作结温-40℃~+125℃

2 应用领域

 工业控制辅助电源

 BMS 辅助电源

 POE 电源

 分布式电源
 

3 说明

VPS2105 是一款适用于反激/Buck/Boost 多种拓扑结构的高集成度开关电源控制器，隔离型反激电源应用中，采用的是初级侧电压反馈 PSR。该器件内部集成了 4V-100V 的启动电路，集成 120V/0.1Ω-LDMOS 和“无损”峰值电流采样电路，只需简单的通过外接电阻即可实现峰值电流设置。VPS2105 的工作频率可在外编程，能工作在DCM 和 CCM 两种模式下，在轻负载时进行模拟降频以提***和减小空载功耗。为提高电源的可靠性，该器件还集成了一系列的保护功能，包括：输入欠压保护、输出短路保护、输出过压保护、过温保护。所有控制电路和功率 MOS 管都集成在单片晶圆上，所用*** BCD半导体工艺的器件***可达 180℃，并采用增强散ESOP8 封装能程度的降低产品的温升。

 

在内部时钟产生的开启时序作用下，功率 MOS 管开通，它 的漏极电压降到很小，那么输入电压 VIN 加到变压器原边绕组上，产生励磁电流，并且逐渐增加。在芯片内部会通过功率 MOS

管感应励磁电流的大小，并且与 VCS 引脚电流 I CS 按照比例系数 kCS 进行比较，当励磁电流大于 I CS *k CS 时关断功率管，之后变压 器电流流向输出端。VCS 引脚的电压是由误差放大器 EA 的输出 电压通过内部的电流调制器调制而成，这样不仅可以根据应用的 需要设计峰值电流大小，而且由于在稳态下 VCS 处电压是直流 信号，易于 PCB 布板。VPS2105 的 VCS 引脚电压与 EA 的输出 电压 VEA 之间的关系是：

图中 V BE 是二极管压降，典型值为 0.7V，V CS(MAX) 和 V CS(MIN) 分别是最大峰值和最小峰值限定的阈值电压。 所以，逐个周期控制的励磁电流可 EA 输出电压 VEA 来控制， 电压 VEA 是电压环路中的占空比调制电压，在它的作用下使得开 关电源的输出电压稳定。

7.3 PFM 控制模式

为了提高轻负载效率和减小空载功耗，VPS2105 具有模拟降频功能。随着开关电源负载的减小，电压 VEA 也逐渐减小，负 载大约下降到最大输出功率的 30%时工作频率开始随着电压VEA 减小而减小，在极轻负载时限定最小开关频率 fMIN ，从而需要限 定最小负载避免输出电压飘高。

7.4 VDD 电压管理

从 VIN 到 VDD 是一个以 P 型沟道 MOS 管 PM0 作为功率管 的低压差 LDO，PM0 耐压高达 100V，可在 VDD 处产生稳定输 出电压 4.5V。VPS2105 有两种供电方式：第一种是自供电方式，

芯片的 VIN 与开关电源的输入正连接，在 VDD 产生的低压电源 为内部控制电路供电，这种方式简单直接；第二种是辅助绕组供电的方式，电路如下图 7.4，在变换器启动阶段由 LDO 供电，待

输出电压建立后由辅助绕组反馈供电，这种方式可减小功耗和实 现输出过压保护功能。

辅助绕组供电的方式在设计上需要注意一下 3 点：

①、一般情况下需要在 VIN 端口外围串联二极管 D PBL ，用以防止电流从 VDD 经过 PM0 的寄生体二极管倒灌至输入端，通过体 二极管的电流容易产生寄生效应损坏芯片。若输入电源电压存在 快速变化的情况，例如快速开关机，须串接 DPBL ；若像电池这样 的输入源不存在电压快速变化，可考虑不串接；

②、需要适当设计变压器的辅助绕组反馈电压，使得开关电源在 正常输出时辅助绕组的反馈电压大于 4.5V，那么内部 LDO 自动 关闭，由辅助绕组来供电。由于漏感尖峰等原因，辅助绕组的电 压不能精确地设计，从而建议增加一个 RC 电路后再连接芯片的 VDD 端口， RVDD 和 C D1 为所加的 RC 电路;

③、适当设计辅助绕组反馈电压以实现过压保护。VDD 钳位电压约为 6.6V，当因钳位而吸收的电流超过 21mA 时，芯片停止 开关，进入保护状态（加上芯片自身功耗 2.4mA，流入 VDD 引 脚的电流大约为 24mA）；当钳位吸收电流再次小于 9mA 时， 撤销保护状态，延迟 419mS 后重新开关功率管，并且具有软启 动过程。VDD 引脚处的稳态电压(电容 CD1 上的电压) 设计在 4.8~5.8V 之间，既可以保证 LDO 关闭，又不会因为钳位作用而 增加空载功耗。合理设计 RVDD 可提高 C D2 电压范围以方便辅助 绕组 NA 匝数的设计和开关电源输出过压保护电压，一般 R VDD 处

于 0.1~1kΩ。