P 沟道 60V (D-S) MOSFET
ME50P06 一般说明
ME50P06 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合最大限度地减少导通电阻。 这些设备特别适合对于低电压应用,如手机和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,需要在非常小的外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗。
ME50P06 特征
● RDS(ON)≦17mΩ@VGS=-10V
● RDS(ON)≦20mΩ@VGS=-4.5V
● 超高密度电池设计,RDS(ON) 极低
● 出色的导通电阻和最大直流电流能力
ME50P06 应用
● 笔记本电源管理
● DC/DC 转换器
● 负载开关
● LCD 显示逆变器
CJU50P06一般说明
CJU50P06 采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的 RDS(on) 和低栅极电荷。 它可用于多种应用。
CJU50P06特征
先进的沟槽工艺技术
可靠且坚固
用于超低导通电阻的高密度电池设计
CJU50P06应用
笔记本电脑的电源管理
便携式设备和电池供电系统
CJU50P06封装
TO-252-2L 塑封 MOSFET
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