TaidL的博客

今天泰德兰电子网编【杨泽铭】通过网络收集整理一篇关于【在MOS管驱动电路设计中，原来MOS管是这样实现快速敞开和关闭的！】的文章分享给大家，下面我们正式进入正题。　　一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需求驱动电流。但是，在MOS管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结电容，电感为电路走线的寄生电感：　　假如不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求的话，MOS管开关速度越快越好。由于开关时刻越短，开关损耗越小，而在开...

Features-20V/-14A,Rds（on）=7mQ 仃 yp.）@VGs=-4.5VRds（on）=9mQ（T yp. ）@ Vgs=-2.5VRDs（ON）=12mQ（Typ.）@VGS=-1.8VLow Rds（on）Super High Dense Cell DesignReliable and RuggedApplicationsLoad SwitchPWM ApplicationsPower Management负载开关KS2310H

Features-20V/-4.5A,Ros（ON）=32mQ 仃 ypJ@VGS=-4.5V Rds（on）=42mQ 仃 “.[©VgshJ.SVRds（ON）=53mO 仃 yP・）@VGs"・8VLow Rds（on）Super High Dense Cell DesignReliable and RuggedESD Protected （HBM>4000V）​ApplicationsLoad Switch​​产品特征：-20V/-4

特征特点·-16V/-12A,Rps (on) =10mQ(Typ.)@Ves=-4.5VRos (on) =14mQ(Typ.)@Vcs=-2.5V低罗斯（开）超高密度电池设计 - 可靠且坚固应用负载开关• PWM 应用• 能源管理阅读我的更多文章常用电子元器件应用要点及识别方法，知识点很专业！ 大功率mos管(功率mos管)的五种损坏原因分析，新手必读 AOS万代AON6590 40v n沟道MOSFET中文资料及电路原理图...

一般说明：沟槽功率中压 MOSFET 技术低RDS(ON)低栅极电荷针对快速切换应用进行了优化符合 RoHS 和无卤素标准产品应用：DC/DC 和 AC/DC 转换器中的同步整流电信和工业中的隔离式 DC/DC 转换器产品概要：VDS 40vID（在 VGS=10V 时） 100ARDS(ON) (VGS=10V) < 0.99mΩRDS(ON) (VGS=4.5V) < 1.5mΩ100% UIS 测试100% R...

主题：大功率mos管(功率mos管)的五种损坏原因分析，新手必读！　　最近很多企业工程师在对功率mos管选型方面都纠结如何选择大功率mos管，小编认为首先要对所有的大功率mos管型号有一个全面的了解，大功率mos管到底有多少种型号？　　其实，说到大功率mos管，学过电子的朋友首先想到的就是如下图所示的插件mos管：　　MOSFET是较常使用的一类功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半

MOS管是金属氧化物半导体场效应晶体管，或金属绝缘体半导体。 MOS管的源漏是可以倒置的，都是形成在P型背栅中的N型区。大多数情况下，这两个区域是相同的，即使两端接反，也不会影响设备的性能。这种设备被认为是对称的。​　　如何用万用表判断mos管的好坏​　　双极晶体管将输入电流的微小变化放大，然后在输出端输出大电流变化。双极晶体管的增益定义为输出与输入电流的比值 (beta)。另一种称为场效应管 (FET) 的晶体管将输入电压的变化转换为输出电流的变化。 FET 的增益等于其跨导，跨导定义为输

交换应用系统KS2310MB-20V/-50A,单P沟道mos管解决方案！​Features-20V/-50A,Rds（on）=7mQ（Typ.）@VGs=45VRos（ON）=9mQ（Typ.）@VGs=-2.5VRds（oN）=12mQ CTyp.^Vg" .8VLow Rds（on）Super High Dense Cell DesignFast Switching Speed100% avalanche tested​ApplicationsSwi

华润微 CRSQ027N10N 产品简述：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术极低导通电阻RDS（导通）优xiu的QgxRDS（on）产品（FOM）根据JEDEC标准合格华润微 CRSQ027N10N 应用程序：电机控制与驱动电池管理联合包裹运送服务 （无可辩驳的） 动力华润微CRSQ027N10N 产品特性：VDS 100VRDS（开启） 2.6 mΩID 240a标签：常用中低压MOS管，中压高压MOS管，国产中压MOS管..

ME2345A / ME2345A-G，P沟道30V（D-S）MOSFETME2345A简述：ME2345A是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要在非常小的外形表面安装封装中进行开关和低串联电源损耗。ME2345A特征：●RDS（ON）≤68mΩ@ VGS = -10V●RDS（ON）≦80mΩ

松木ME2345A一般说明：ME2345A是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要在非常小的外形表面安装封装中进行开关和低串联电源损耗。松木ME2345A特征：●RDS（ON）≤68mΩ@ VGS = -10V●RDS（ON）≦80mΩ@VGS=-4.5V●RDS（ON）≦100mΩ@VGS=-2

ME6980ED一般描述　　ME6980ED是双N沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些电路需要在非常小的外形表面贴装封装中进行高侧开关和低在线功耗。　　ME6980ED特征　　RDS(ON)≤14.5mΩ@VGS=4.5V　　RDS(ON)≤15 mΩ@VGS=4.0V　　RDS(ON)≤17 MΩ@...

　　ME6980ED一般描述　　ME6980ED是双N沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些电路需要在非常小的外形表面贴装封装中进行高侧开关和低在线功耗。　　ME6980ED特征　　RDS(ON)≤14.5mΩ@VGS=4.5V　　RDS(ON)≤15 mΩ@VGS=4.0V　　RDS(ON)≤17 MΩ@VGS=

P 沟道 60V (D-S) MOSFETME50P06一般说明ME50P06 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合最大限度地减少导通电阻。 这些设备特别适合对于低电压应用，如手机和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，需要在非常小的外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗。ME50P06特征● RDS(ON)≦17mΩ@VGS=-10V● RDS(ON)≦20mΩ@VGS=-4.5V● 超高密度电池设计，RD...

松木松木ME2306A/ME2306A-G （替代）长电CJ3400 SOT-23 塑封 MOS管N 沟道 30V (D-ME2306A/ME2306A-G一般说明ME2306A 是 N 通道逻辑增强模式电源场效应晶体管，采用高单元密度，DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺是专门为最大限度地减少导通状态而量身定制的抵抗性。这些器件特别适用于低压应用，例如作为手机、笔记本电脑电源管理等电池供电电路，以及所需的低在线功率损耗采用非常小的外形表面贴装封装。ME2306A/ME2306A-G特征● RDS

ASDM6802ZC特征高功率和电流处理能力获得无铅产品表面贴装封装30V N通道 MOS管SOT23-6封装 安森德ASDM6802ZC替代AOS万代AO6802方案示例图1采用SOT23-6封装ASDM6802ZC应用程序PWM应用负载开关电源管理ASDM6802ZC产品摘要V DS 30 vR DS（开），VGS=10V时zui大值 45 MΩID 4.5 aASDM6802ZC介绍A. 功耗PD基于TJ(M...

ME50N06A一般说明ME50N06A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于需要低在线功率损耗的低压应用，例如 LCD 逆变器、计算机电源管理和 DC 到 DC 转换器电路。ME50N06A特征● RDS(ON)≦22mΩ@VGS=10V● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低● 出色的导通电阻和最大直流电流能力ME50N06A应用● 电源管理● DC/DC 转换

松木ME60N03简述：松木ME60N03先进的沟槽工艺技术 用于超低导通电阻的高密度单元设计 专为 PWM 应用的高端开关设计。松木ME60N03特性：VDS=30V RDS(ON),Vgs@10V,Ids@30A ≦ 10mΩ RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@15A ≦18.5mΩ松木ME60N03应用：主板（V核）便携式设备DC/DC转换器负荷开关液晶显示逆变器工控机松木ME60N03（替代）长电CJU4410 TO-252..

本文由深圳市泰德兰电子有限公司网编整理分享，主要以多维度介绍mos管，帮助更多用户了解mos管，认识mos管的工作原理及检测条件，从这篇文章里我们可以深入学习到关于mos管的技术特点及mos管结构、mos管电路原理等方面信息，好了，咱们还是进入主题吧，下面请大家用心阅读本文：MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。其结构示意图：解释1：沟道上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型

每天我们都在不断学习新东西，都希望用知识来填充自己大脑，深圳市泰德兰电子有限公司小编就经常学习一些关于电子元器件的资料， 小编也看见很多小伙伴和我一样通过网络寻找自己想要的答案，今天小编就把最近在网上看见的一篇文章分享给大家，主题是：深入学习MOS管工作原理，快速了解MOS管结构原理图，通俗易懂 ！供大家参考学习！1、结构和符号（以 N沟道增强型为例）在一块浓度较低的 P型硅上扩散两个浓度较高的 N 型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。深入学习MOS管工作

MOS管和IGBT管都可以作为开关元件使用，它们在外形、特性参数上也比较相似，那它们到底有什么区别呢？什么是MOS管？MOS管是MOSFET管的简称，是金属-氧化物半导体场效应晶体管，可以简化称为「场效应管」，MOS管主要分两种类型：结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。由于场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为四大类：N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型。有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或叫寄生二极管、续流二极管。

今天泰德兰电子 小编和大家分享主题：什么是MOS管驱动电路，如何理解MOS管驱动电路原理？作为电子工程师，我们都知道在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1，MOS管种类和结构.

本文由深圳泰德兰电子网编整理分享，主题：CMOS版图分析（之一）单级CMOS版图分析！　　MOS管版图　　绘制NMOS管的步骤与PMOS管基本相同(新建一个名为NMOS的Ccll)。不同的是NMOS是做在P型衬底上,要有一个N型注入层,这一层要覆盖整个有源区。　　同样,为进行源区和漏区的连接,要用金属1画两个矩形,分别覆盖源区和漏区上的接触孔,覆盖长度为。为进行衬底连接,必须在衬底的有源区中间添加接触孔,这个接触孔每边都被有源区覆盖。　　然后还要进行P型注入,注入...

本文由泰德兰电子网编整理分享，主题：MOS管版图（之二）多级CMOS版图分析　　多级CMOS版图中，必有漏极（前级输出）和栅极（后级输入）相连，所以要先找到两级间相连的部分。然后从已知的栅极开始，逐级分析。每一级的PUN和PDN一般靠的较近，如下图，很容易区分。　　在分析的过程中，仍然要注意从PUN和PDN中的简单者开始。　　例1. F=——(——(A+B)+AB)　　例2. F=——(——(AB)·(A+B))　　例3.半加器出...

各位网友，大家好！今天小编分享一篇：功率mos管的作用， 功率原理是什么？一文，本文由泰德兰小编收集整理分享，希望通过本文深入学习功率mos管相关技术性问题。　　1、功率mos管分类　　MOS管是一种单极性载流子参与导电的半导体器件。根据导电沟道的载流子能够划分为N沟道和P沟道。假定导电沟道的载流子是电子，则称为N沟道；假定载流子是空穴，则称为P沟道。MOS管的导电沟道，能够在制作过程中构成，也能够通过接通外部电源构成，当栅压等于零时就存在沟道（即在制作时构成的）称为耗尽型，在施加...

相对通用的电路【NMOS的驱动电路与PMOS的驱动电路区别】电路图如下：　图1用于NMOS的驱动电路图2用于PMOS的驱动电路　　这里只针对NMOS驱动电路做一个简单分析：　　Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超越Vh。　　Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来完成阻隔，一起确保两只驱动管Q3和Q4不会一起导通。　　R2和R3供给了PWM电压基准，通过改动这个基准，可以让电路作业在PWM信号波形比较陡直的方位。　　Q3和Q4用来供.

主题：mos管怎样选型？新人必备MOS管正确选择的过程！ 最近不少来到我们这边挑选MOS管的时候,都会问到一个问题,怎么挑选合适的MOS管,关于这一个问题,由小编来教大家MOS管选型。​ 正确挑选MOS管是很重要的一个环节，MOS管挑选不好有或许影响到整个电路的功率和本钱，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够协助工程师防止诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的挑选办法.第一步：选用N沟道或是P沟道　　为规划挑选正确器材的第一步是决议选用N沟...

　　主题：数字机顶盒的出现，未来mos管的市场应用还能走多远？　　首先，大家跟着泰德兰电子网编一起来了解下数字机顶盒是什么，数字机顶盒也叫机顶盒。　　数字视频变换盒(英语:Set Top Box，简称STB)，通常称作机顶盒或机上盒，是一个连接电视机与外部信号源的设备。它可以将压缩的数字信号转成电视内容，并在电视机上显示出来。信号可以来自有线电缆、卫星天线、宽带网络以及地面广播。机顶盒接收的内容除了模拟电视可以提供的图像、声音之外，更在于能够接收数字内容，包括电子节目指南、因特网网页、字幕.

N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1、栅源电压V(GS)的控制作用:当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压, 在DS间也不可能形成电流。当 0<V(GS)<V(T) (开启电压)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥，同时，使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层，并与空穴复合而消失，结果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通，处于截止状态。当V(GS)&g

1.反激式开关电源芯片--简介反激式开关电源是指使用反激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源。“反激”指的是在开关管接通的情况下，当输入为高电平时输出线路中串联的电感为放电状态；相反，在开关管断开的情况下，当输入为高电平时输出线路中的串联的电感为充电状态。与之相对的是“正激”式开关电源，当输入为高电平时输出线路中串联的电感为充电状态，相反当输入为高电平时输出线路中的串联的电感为放电状态，以此驱动负载。2.反激式开关电源芯片原理单端反激开关电源采用的是稳定性很好的双环路反馈的控制系统，所以它可以通

耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端（Gate）不加电压时有导电沟道存在，而增强型MOS管只有在开启后，才会出现导电沟道；两者的控制方式也不一样，耗尽型MOS管的VGS（栅极电压）可以用正、零、负电压控制导通，而增强型MOS管必须使得VGSVGS（th）（栅极阈值电压）才行。由于耗尽型N沟道MOS管在SiO2绝缘层中掺有大量的Na+或K+正离子（制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子），当VGS=0时，这些正离子产生的电场能在P型衬底中感应出足够的电子，形成N型导电沟道；当VGS0时，将产生较

说到电容器，应该是全民皆知的器件了。它在电子技术领域有着许多重要的应用，无论是“超级电容”还是“固态电容”，本职工作依然离不开充电、放电以及存储电量。但当它与电阻器或者电感器搭配使用时，又会衍生出许多新功能，其中一种就是我们熟知的RC延时电路。先来看看下面的电路：原理分析该电路中，我添加了TP3、TP4和TP5作为测试点，方便用示波器来测量数据验证结论。这是一个上电延时电路，元件Q1（MOSFET）控制着24V电源的开关状态；电阻器R19与R20组成的分压电路限制着Q1的栅极（G）电..

转载：是什么原因引起MOS管电路在工作状态造成损坏？MOS管，MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上氧化硅和金属，形成栅极。MOS管作为开关元件，同样可以工作在截止和导通状态，由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅极和源极间的电压来决定导通与否。Vgs用来控制沟道的导电性’从而控制漏极电流ID。（原理类似电流控制元件三极管）。关于MOS管的基本原理和结构本文不..

主题：理解功率MOSFET管的电流及mos管的作用！通常，在功率MOSFET的数据表中的第一页，列出了连续漏极电流ID，脉冲漏极电流IDM，雪崩电流IAV的额定值，然后对于许多电子工程师来说，他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中，它们如何影响系统以及如何选取这些电流值，常常感到困惑不解，本文将系统的阐述这些问题。1.连续漏极电流连续漏极电流在功率MOSFET的数据表中标示为ID。对于功率MOSFET来说，通常连续漏极电流ID是一个计算值。当器件的封装和芯片的大小一定时，如对于底部有裸露铜皮

随着电子技术及其应用领域的迅速发展， 所用的元器件种类日益增多，学习和掌握 常用元器件的性能、用途、质量判别方法， 对提高电气设备的装配质量及可靠性将起重要的保证作用。那么，常用电子元器件有哪些?你认识几个呢?对于从事电子行业的工程师来说，电子元器件是每天都需要去接触的一项工作，每天都需要用到的，但其实里面的门门道道很多工程师未必了解。今天，深圳泰德兰电子网编在这里列举出工程师门常用的十大电子元器件，及相关的基础概念和知识。主要介绍：电阻、电容、电感、晶体二极管、稳压二极管、变容二极管、晶体三极管、

如何区分三极管、IGBT、MOS管之间的关系？好文推荐！PN结：从PN结说起PN结是半导体的基础，掺杂是半导体的灵魂，先明确几点： 1、P型和N型半导体： 本征半导体掺杂三价元素，根据高中学的化学键稳定性原理，会有 “空穴”容易导电，因此，这里空穴是“多子”即多数载流子，掺杂类型为P（positive）型；同理，掺杂五价元素，电子为“多子”，掺杂类型为N（negative）型。 2、载流子：导电介质，分为多子和少子，概念很重要，后边会引用 3...

转载出处：汽车电子中的MOS管应用及电路区别！干货分享！　　一种用于汽车LED照明电路中的MOS管驱动电路,属于电子技术领域.所述用于汽车LED照明电路中的MOS管驱动电路,包括MOS管Q2,电源输入端Vin和电源输出端Vout,分压电阻R1,R2,续流二极管D1,自举电容C1,三极管Q1和上拉电阻R3;所述驱动方法主要是利用自举电容C1两端电压不能突变的原理,设计了自举升压电路,利用三极管Q1与续流二极管D1的性能。　　在汽车电子领域，MOS管的应用非常广泛。其中大部分是用作开关管的，从电源.

俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，元器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。今天分享本文原主题：MOSFET选型难吗？注意这十点一切不再难选！功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件选型的10步法则，相信看完你会大有收获。1、功率MOS

P型MOS管常用型号表，如果不清楚如何对P型MOS管选型，可以联系泰德兰电子，在线销售工程师一对一技术支持服务专业MOS管代理商，长期代理美国aos万代MOS管、重庆万国MOS管，日本松木MOS管等品牌，免费在线分享提供P型MOS管选型，P型MOS管报价，P型MOS管替代方案，P型MOS管产品规格书免费下载服务。如果您需要下载P型MOS管型号的规格书，请在本站搜索框内搜索型号关键词即可。P型MOS管产品规格书里面的内容包括P型MOS管原理图介绍，P型MOS管电压介绍，P型MOS管应用领域介绍，P型MOS

mos管选型注重的必备参数表P型/N型 VGS VDS Rdson 电流 封表 ESD（电池） IDM（电池） CISS(电机) EAS(电机) 　　一、MOS管选型注重的参数　　1、负载电流IL --它直接决定于MOSFET的输出能力；　　2、输入-输出电压–它受MOSFET负载占空比能力限制；　　3、开关频率FS–参数影响M...