反激式开关电源芯片是什么?如何对反激开关电源mos管选型?

本文介绍了反激式开关电源芯片的工作原理及其在不同模式下的特性。通过双环路反馈控制系统实现稳定输出,适用于小功率电路应用。文章还探讨了连续、非连续及临界三种工作模式的特点。

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1.反激式开关电源芯片--简介

反激式开关电源是指使用反激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源。“反激”指的是在开关管接通的情况下,当输入为高电平时输出线路中串联的电感为放电状态;相反,在开关管断开的情况下,当输入为高电平时输出线路中的串联的电感为充电状态。与之相对的是“正激”式开关电源,当输入为高电平时输出线路中串联的电感为充电状态,相反当输入为高电平时输出线路中的串联的电感为放电状态,以此驱动负载。

2.反激式开关电源芯片原理

单端反激开关电源采用的是稳定性很好的双环路反馈的控制系统,所以它可以通过开关电源的PWM迅速调整脉冲占空比,从而在每一个周期内对前一个周期的输出电压和低级线圈充磁峰值电流进行有效调节,达到稳定输出电压的目的。这种反馈控制电路的最.大特点是:在输进电压和负载电流变化较大时,具有更快的动态响应速度,自动限制负载电流,补偿电路简单。

3.反激式开关电源芯片--工作模式

反激式开关电源的电路结构比较简单,在小功率电路中应用非常广泛,在15kw光伏逆变器中用到的两个电源都是这种结构。反激式开关电源有三种工作模式:连续模式、非连续模式以及临界模式。在非连续工作模式中,功率管零电流开通,开通损耗小,而副边二极管零电流关断,可以不考虑反向恢复问题,对EMC会有一些好处。

 

 

 

### 反激式开关电源MOS管的作用、原理与选型 #### MOS管在反激式开关电源中的作用 在反激式开关电源的设计中,MOS管作为核心元件之一,主要起到开关的功能。通过快速切换导通和截止状态,它能够实现能量的传递和转换过程。具体而言,在初级侧电路中,当MOS管处于导通状态时,输入电能被储存在变压器磁芯中;而当其进入截止状态时,储存的能量则释放到次级侧,从而完成电压变换的任务[^1]。 #### 工作原理概述 工作过程中涉及到两个重要阶段——储能期与放能期。在储能期内,由于栅源极间施加正向偏置使得MOSFET开启,此时电流流经线圈并在线圈内部建立磁场来存储能量;随后进入放能期,关闭MOSFET后切断了原边回路,之前积累起来的电磁场便会促使副边上感应电动势形成输出电压供给负载使用[^3]。 #### 关键参数考量因素及其影响分析 对于实际应用场合下的MOS器件选取应当综合评估以下几个方面: - **耐压等级(Vds)** 需要确保所选用型号的最大漏源击穿电压高于预期峰值电压水平至少20%-50%的安全裕度范围内。考虑到交流电网波动以及可能存在的浪涌冲击等因素的影响,通常建议按照最高输入电压有效值乘以根号二再增加额外余量来进行初步估算[^2]。 - **导通电阻(Rdson)** 较低的RDS(on)可以减少传导损耗提高效率,但在高频操作条件下也可能引起更大的动态损失因此需要权衡利弊做出最佳决策。另外值得注意的是温度变化会对该特性造成显著改变所以必须查阅数据手册获取完整的曲线图以便更精确地预测性能表现。 - **最大允许功耗(PDmax)** 这是由封装形式决定的一个极限指标如果超过这个数值可能会导致过热损坏甚至失效事故的发生故而在布局散热措施的同时也要严格监控运行状况防止异常情况发生. - **开关速度(fsw)** 更高的频率意味着体积重量减小成本降低但同时也带来了更多挑战比如EMI辐射增强寄生效应加剧等问题所以在设计初期就要明确目标范围进而挑选合适的产品满足需求. #### 设计实例说明 基于上述理论指导原则下面给出一个具体的例子用于阐述如何合理配置相关组件规格假设我们正在构建一款额定功率为10W的小型适配器产品其输入条件设定为全球通用标准即90~264Vac全波整流后的直流母线约等于127Vdc至374Vdc之间那么针对主控晶体管部分我们可以这样规划: - Vds >= sqrt(2)*Vin_max * (1+margin_ratio), margin_ratio取值一般介于0.2 ~ 0.5; - Rdson尽量寻找市场主流系列里最低者兼顾性价比考虑; - PDmax应大于预计总消耗加上适当冗余比例; - fsw依据整体架构约束选定典型区间如65kHz或者更高. 最终经过筛选得出如下候选列表供进一步验证测试确认最优化方案即可实施投产流程: | 参数 | 推荐值 | |------------|----------------| | Vds | ≥600V | | Id | ≥5A | | Rds(on) | ≤0.5Ω @Tj=25°C | | Qg_total | ≤50nC | ```python # Python伪代码示例展示简单计算逻辑 import math def calculate_mosfet_spec(vin_min, vin_max): vds_margin = 1.5 # Safety factor of 1.5 times max voltage vds_required = round(math.sqrt(2) * vin_max * vds_margin) id_current = 5 # Example current rating based on application needs rds_on_target = 0.5 # Target value for low conduction loss q_gate = 50e-9 # Total gate charge limit in nC units spec_dict = { 'vds': vds_required, 'id': id_current, 'rds_on': rds_on_target, 'q_gate': q_gate } return spec_dict specs = calculate_mosfet_spec(90*sqrt(2), 264*sqrt(2)) print(specs) ```
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