松木ME6980ED（替代）NCE8205B 双N沟道20V(D-S)增强模式Mosfet，ESD保护方案

        ME6980ED一般描述

　　ME6980ED是双N沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些电路需要在非常小的外形表面贴装封装中进行高侧开关和低在线功耗。

　　ME6980ED特征

　　RDS(ON)≤14.5mΩ@VGS=4.5V

　　RDS(ON)≤15 mΩ@VGS=4.0V

　　RDS(ON)≤17 MΩ@VGS=3.1V

　　RDS(ON)≤20 mΩ@VGS=2.5V

　　极低RDS的超高密度电池设计，出色的导通电阻和最大直流电流能力

　　ME6980ED应用程序

　　笔记本中的电源管理

　　便携式设备

　　电池供电系统

　　负载开关

　　NCE8205B描述

　　NCE8205B 采用先进的沟槽技术提供，出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和带栅极的操作，电压低至 2.5V。 该设备适合用作，电池保护或其他开关应用。

　　NCE8205B一般特征

　　VDS = 20V,ID = 6.5A

　　RDS(ON) < 27mΩ @ VGS=2.5V

　　RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=4.5V

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面贴装封装

　　NCE8205B应用

　　电池保护

　　负载开关

　　电源管理

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