WINCE FAL+FMD nand flash驱动

以下是本人对 FAL+FMD的一点点理解，记录下来防止以后忘掉：）

FAL层会管理nand 地址影射。FAL层以sector为单位写一个sector（不会超过一个，虽然有长度的参数），在擦除sector所在块之前，一般会有下面三步写操作：

 

1) prepare to write （只写sectorinfo）:   这个时候写这个sector的spare区，把这个sector标志为可写sector。

2) write main area + sectorinfo : 这个时候会向这个块中写数据，同时将sectorinfo写入，标志这个块已经有有效数据，同时FMD层也应该将ECC code 存入spare区。

3) 置dirty （只写sectorinfo）:把这个sector数据标志为无效，待擦除。

 

这样对每个sector来说，会有3次的编程操作，因此对NOP=1的MLC nand来说，这样的构架肯定是不行的。因此可以认为FAL+FMD构架只能支持SLC nand．

 

spare区的layout ,举一个例子， 2K page SLC HW 1bit ECC 每512byte 可以矫正1bit 的错误,使用2K 为一个sector：

 

1 byte -------------------bad block       ------------------------------------------------------------------

1 byte-------------------OEM reserved             |-->SECC checked                                          |

4 bytes------------------dwReseverd  -----------                                                                     |--> Sectorinfo Structure

2 bytes------------------reseverd2      ------------------------------------------------------------------

4 bytes------------------MECC(1st 512)

4 bytes------------------MECC(2st 512)

4 bytes------------------MECC(3st 512)

4 bytes------------------MECC(4st 512)

2 bytes------------------SECC(checked first 6 bytes)

 

 SECC一开始当步骤1）的时候就已经被写入了，因为之后的步骤2） 步骤3）还会改变reseverd2 (prepare dirty bit and etc)  以及 MECC，因此SECC 只能做到check前6个字节。

 

在第一步的时候spare区还不确定的部分都是写 FF的。 之后需要置0的时候再写0。 因为一旦写成0 就只能通过擦除整个块再重新对sector编程。

 

MECC由于是每512byte产生一次ECC parity code. 因此写的时候每512保存一次,最后一起写入spare区。读的时候先把spare中读出，然后在读main的时候作ECC check.