存储器
1. 按存储器类型分类
- 随机存储器(Random Access Memory,RAM):是一种易失性存储器。RAM 可以被多次写入和读取,但一旦断电,RAM 中的数据就会消失。
- 只读存储器(ROM):存储程序代码和不经常改变的数据。但是现在技术的进步,EEROM可以进行修改数据,只是沿用了以前的叫法。
- 闪存存储器(Flash Memory):类似于 ROM,但可以被多次写入和读取,和ROM的区别在于内部存储电路结构不一样(好比一个用电容电压存储,一个用锁存器)。
- 磁盘存储器(Disk Storage):存储大量数据,如操作系统、应用程序、用户文件等。
- 缓存存储器(Cache Memory):存储最近访问的数据和指令,提高计算机的运行速度。
- 寄存器(Register):用于保存 CPU 中的数据和指令,速度非常快。
2. 按照掉电丢失/不丢失分类
3. DRAM、SRAM、SDRAM、SSRAM
-
RAM是“Random Access Memory”的缩写,被译为随机存储器。所谓“随机存取”,指的是当存储器中的消息被读取或写入时,所需要的时间与这段信息所在的位置无关。这个词的由来是因为早期计算机曾使用磁鼓作为存储器,磁鼓是顺序读写设备,而RAM可随读取其内部任意地址的数据,时间都是相同的,因此得名。
-
DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一种动态随机存储器,它的存储单元由电容构成,需要周期性地刷新来维持数据的存储,否则电容放电电压下降。DRAM 的存取速度相对较慢,但是存储密度较高,成本相对较低。
-
SRAM(Static Random Access Memory)是一种静态随机存储器,它的存储单元由触发器构成,不需要周期性的刷新。SRAM 的存取速度相对较快,但是存储密度较低,成本相对较高。
-
SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)是一种同步动态随机存储器,它使用了与主板时钟同步的技术来提高存取速度。SDRAM 是 DRAM 的改进版本,具有更高的存取速度和更大的带宽。SDRAM 也有不同的种类,如 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 等,它们之间的差异主要在于存储速度和能耗方面的改进。SDRAM是同步动态随机存储器,一般都是下降沿读取数据,但是升级的方式无非就是上升下降沿都读取或加高频率,采用上升下降沿的提升就是DDR和DDR2的升级。现在已经有了DDR5内存,他们频率升级如下:
存储器类型 | 数据传输方式 | 默认最高频率 | 是否可超频 |
---|---|---|---|
SDRAM | 上升沿同步 | 133MHz | 是 |
DDR | 上升沿同步 | 400MHz | 是 |
DDR2 | 上升沿和下降沿同步 | 800MHz | 是 |
DDR3 | 上升沿和下降沿同步 | 1600MHz | 是 |
DDR4 | 上升沿和下降沿同步 | 3200MHz | 是 |
DDR5 | 上升沿和下降沿同步 | 6400MHz | 是 |
-
SSRAM(Synchronous Static Random Access Memory)是一种同步静态随机存储器,结合了SRAM和SDRAM的优点,既有SRAM快速读写的特点,又有SDRAM高速度、高带宽的特点,主要用于高性能应用中,如网络交换机、路由器等。
-
同步异步存储器
4. ROM
- MASK ROM和PROM都是一种只读存储器(ROM),它们都可以用于存储固定的程序或数据。它们的主要区别在于制作方法和可编程性。
- MASK ROM是一种在制造过程中被编程的ROM,具有固定的存储内容,无法被修改或重编程。在制造过程中,制造商会使用光刻技术将存储器芯片上的导线连接或断开,从而存储特定的二进制数据。因此,MASK ROM的存储内容是不可更改的。
- PROM是一种可编程ROM,它的存储内容可以被编程员在使用前编程,并且编程后不能再次修改。编程过程使用的是一种叫做“烧录”的技术,其本质就是熔断内部的电路。但是现在已经有OTPROM和EPROM和EEPROM,可以进行修改和擦除了。
存储器类型 | 数据传输方式 | 存储模式 | 读写特点 | 是否可擦写 |
---|---|---|---|---|
OTPROM | 无 | 单向写入 | 只可写入一次 | 不可擦写 |
EPROM | 无 | 外加紫外线 | 可写入多次 | 可擦写 |
EEPROM | 无 | 外加电场 | 可写入多次 | 可擦写 |
5. FLASH
- FLASH存储器又称为闪存,它也是可重复擦写的储器,部分书籍会把FLASH存储器称为FLASH ROM,但它的容量一般比EEPROM大得多,因为使用的技术和颗粒不同,且在擦除时,一般以多个字节为单位。根据存储单元电路的不同,FLASH存储器又分为NOR FLASH和NAND FLASH。
[外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-WrJ0DTX4-1688477087345)(D:\All\essential-knowledge\md\assets\df75757246b86510de84abdb7a74351a.png)] - 擦除、读取、写入:NOR FLASH写入和读取都可直接一个字节一个字节的读写,但是擦除要以删去为单位。NAND FLASH读写必须以块为单位,且写入时要先擦除,就是一个块/扇区要写入一个小数据,但是得把整个块都先擦除。
6. 光盘、软盘、机械硬盘
- 这些东西都是老东西了,简单了解即可
存储设备 | 存储介质 | 工作原理 |
---|---|---|
光盘 | 光盘片 | 通过激光读取光盘片上的数据信息,以实现读写数据 |
软盘 | 磁盘片 | 通过磁头读取软盘上的磁性信息,以实现读写数据 |
机械硬盘 | 磁盘片 | 通过磁头读取硬盘上的磁性信息,以实现读写数据 |