非易失性存储器控制器NVMC原理:
芯片选用的是NRF52810--QFAA,其片内的FLASH的分布模式如下:
FLASH的地址范围为0x0000 0000~0x0003 0000,可擦除的地址范围为0x00020000~0x0002FFFF,FLASH一共分为48页,一页有4K的字节,一页包含8块,一块有512字节,注意:该芯片只能按页擦除,不可以按字节擦除。如果在写之前没有擦除的话,将可能出现写入的数据不是你想要的数据。
擦写FLASH的步骤:
- 规划写入数据的FLASH空间
- 擦写FLASH页面
- 写FLASH
- 读FLASH
写入数据前,需要提前算好需要给数据多少存储空间,(这个要根据代码的实际情况来执行)。
擦写FLASH页面用到的函数为:nrf_nvmc_earse();如下图:
例:nrf_nvmc_earse(0x0002F000); 此时则把2F页面的数据擦写为FF(FLASH页面中的数据只有为FF时,才能往里写入数据)。
写数据的函数为:nrf_nvmc_write_word();如下图:
该函数的形参 address指地址,value指的则是数据。例:
nrf_nvmc_write_word(0x0002F000,0x56)则此时最低位为56,其他的位补0
读FLASH则利用指针进行读FLASH:
例如:首先定义指针变量
char * p;
uint8_t n;
p = *(uint32_t *) 0x0002FFF;
n = *p;
此时则把0x0002F000中的数据读出来赋值给了n。之后如果需要再次在0x0002F000中写入数据的话,就需要先把0x0002F000中的数据擦除之后再写。
参考艾克姆科技的NRF52810的开发板。