2SJ203-T2B-A-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

产品型号：2SJ203-T2B-A-VB

丝印：VB264K

品牌：VBsemi

参数：
- 封装类型：SOT23
- 极性：P—Channel沟道
- 额定电压：-60V
- 额定电流：-0.5A
- RDS(ON)：3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- 阈值电压：Vth=-1.87V

封装：SOT23

详细参数说明：
该器件采用SOT23封装，为P—Channel沟道MOSFET，具有-60V额定电压和-0.5A额定电流。在VGS分别为10V和20V时，RDS(ON)为3000mΩ，阈值电压为-1.87V。

应用简介：
由于其特性，该产品适用于以下领域和模块：
1. 低功耗电子设备
2. 电源管理模块
3. 信号放大器
4. 电流控制模块

举例说明：
在便携式电子设备中，如智能手机或平板电脑的电源管理模块中，2SJ203-T2B-A-VB可用于实现高效的电源开关和电流控制。其低阈值电压和低RDS(ON)特性使其在要求低功耗和高效能的应用中具有优势。