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MOSFET
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05N50P-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
该器件具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS,正负值)、3.5V的阈值电压(Vth)、1070mΩ@VGS=4.5V和780mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及8A的漏极电流(ID)。- 汽车电子:在汽车电子领域,由于其高电压和适中的导通电阻,05N50P-VB常被应用于汽车电源管理模块、点火系统和照明系统等模块中,确保车辆的高性能和可靠性。- VDS(漏极-源极电压):600V。- VGS(栅极-源极电压):±30V。- 阈值电压(Vth):3.5V。原创 2024-07-09 11:59:26 · 62 阅读 · 0 评论 -
05N50I-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
05N50I-VB是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Plannar技术制造,适用于各种领域和模块的电路设计。其主要特点包括650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)、1100mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及7A的漏极电流(ID)。- 电源管理:适用于中低功率的开关电源和稳压器。- 漏极-源极电压(VDS):650V。- 栅极-源极电压(VGS):±30V。- 型号:05N50I-VB。原创 2024-07-09 11:57:45 · 73 阅读 · 0 评论 -
05N50H-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**电源:** 该MOSFET可用于中等功率和高电压的开关模式电源中,以稳定和调节电压。- **DC-DC转换器:** 用于DC-DC转换器电路中,以实现不同电压级之间的转换。- **电机控制:** 可用于中等功率电机控制电路,以调节和控制电机的转速。- **门源电压(VGS):** 30V(±)- **技术:** SJ_Multi-EPI。- **漏源电压(VDS):** 650V。- **型号:** 05N50H-VB。- **封装:** TO252。- **配置:** 单N沟道。原创 2024-07-09 11:55:43 · 59 阅读 · 0 评论 -
05N50E-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
5. **高压电源管理:** 由于具有较高的漏极-源极电压,05N50E-VB适用于需要处理中高压的电源管理应用,如开关电源和DC-DC变换器。1. **电源逆变器:** 05N50E-VB适用于中高压的电源逆变器,如工业用逆变器和太阳能逆变器等,用于将直流电转换为交流电。3. **电动汽车充电桩:** 由于具有较高的漏极-源极电压和适度的漏极电流,05N50E-VB适用于电动汽车充电桩的电源开关。- **栅极-源极电压(VGS):** 30V(±V)- **漏极-源极电压(VDS):** 650V。原创 2024-07-09 11:52:40 · 111 阅读 · 0 评论 -
05N40T-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
它具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS,±V),3.5V的阈值电压(Vth),以及在VGS=10V时为2560mΩ的导通电阻(RDS(ON)),并且能够承受4A的漏极电流(ID)。2. **电源逆变器**:在逆变器中,它可以作为开关管,将直流电转换为交流电,用于太阳能发电系统或其他需要交流电的场合。1. **电源模块**:05N40T-VB可用于开关电源中的功率开关,用于转换和调节电源电压。4. **工业电子**:用于工业设备和机器人的功率开关,确保设备的稳定运行。原创 2024-07-09 11:51:26 · 66 阅读 · 0 评论 -
05N10-VB一款N-Channel沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **低压开关电源模块**:由于其适中的漏极电压和较低的导通电阻,05N10-VB适用于低压开关电源模块,如各种类型的逆变器和开关电源,提供高效的电源控制。2. **工业自动化模块**:在工业自动化系统中,这款MOSFET可用于控制各种电机和装置,提供高效的电能管理和控制,如工业电机控制和传感器接口。4. **LED照明模块**:在LED照明应用中,05N10-VB可用于开关电源,控制LED的亮度和电流,实现节能和可调光效果。- **VDS(漏极-源极电压)**:100V。- **工艺**:沟道。原创 2024-07-09 11:49:59 · 127 阅读 · 0 评论 -
05N03L-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**电源管理模块**:05N03L-VB适用于低压、高电流的电源管理模块。- **车载电子**:这款MOSFET也适用于车载电子领域,如汽车电子系统、电动汽车控制器等,以实现高功率密度和高效率的电路设计,提升车辆的性能和效能。- **电动工具**:在需要控制高功率电动工具的应用中,这款MOSFET可以用于电机驱动器,实现高效能和高电流承载能力,提升工具的性能。- **导通电阻**:2.7mΩ @ VGS=4.5V, 2.4mΩ @ VGS=10V。- **阈值电压**:1.7V。原创 2024-07-09 11:48:55 · 107 阅读 · 0 评论 -
05N03L-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
RDS(ON):在VGS=4.5V时为4mΩ,在VGS=10V时为3mΩ,这表示在不同栅极电压下,MOSFET的静态漏极-源极电阻不同。- 电源模块:由于05N03L-VB具有较低的漏极-源极电阻和较高的漏极电流能力,适用于高性能电源模块,如服务器电源和通信设备电源。- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):在VGS=4.5V时为4mΩ,在VGS=10V时为3mΩ。- VGS:20V(±)是该MOSFET的最大栅极-源极电压范围,超过这个范围可能导致器件损坏。- 额定漏极-源极电压(VDS):30V。原创 2024-07-09 11:46:22 · 161 阅读 · 0 评论 -
05N03LB-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
它具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V(±V)的门极-源极电压(VGS)、1.7V的阈值电压(Vth)、在VGS=4.5V时的3mΩ的导通电阻(RDS(ON))、在VGS=10V时的2mΩ的导通电阻(RDS(ON))、以及100A的漏极电流(ID)。5. **LED照明**:在LED照明系统中,05N03LB-VB可用作LED驱动器,提供高效率的电能转换和稳定的电流输出。3. **工业控制**:在工业控制领域,05N03LB-VB适用于各种类型的电机控制器和功率逆变器,提供高效率和可靠性。原创 2024-07-09 11:45:12 · 188 阅读 · 0 评论 -
05N03LB-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **汽车电子**:在汽车和其他车辆的电子系统中,这种MOSFET可用于各种功率控制和管理应用,如电动门窗控制和电动座椅调节。4. **电池管理**:在便携式设备和电池管理系统中,这种MOSFET可用作电池充放电控制器,确保高效能量管理和充电控制。5. **工业控制**:在工业自动化和控制系统中,这种MOSFET可用于各种高性能应用,如电机驱动和变频器。- **导通电阻(RDS(ON))**:2.7mΩ @ VGS=4.5V;- **最大允许门源电压(VGS)**:20V(绝对值)原创 2024-07-09 11:44:06 · 108 阅读 · 0 评论 -
05N03LB-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
该器件具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS,正负值)、1.7V的阈值电压(Vth)、4mΩ@VGS=4.5V和3mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及120A的漏极电流(ID)。- 电源模块:由于其低导通电阻和高漏极电流,05N03LB-VB适用于电源模块,如电源开关和开关稳压器。- 照明控制:对于需要高效率和高亮度的LED照明系统,05N03LB-VB也是一个理想的选择。- VGS(栅极-源极电压):±20V。- VDS(漏极-源极电压):30V。原创 2024-07-09 11:42:48 · 134 阅读 · 0 评论 -
05N03LA-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
05N03LA-VB是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术制造,适用于各种领域和模块的电路设计。其主要特点包括30V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS)、1.7V的阈值电压(Vth)、2.7mΩ@VGS=4.5V和2.4mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及98A的漏极电流(ID)。- 导通电阻(RDS(ON)):2.7mΩ@VGS=4.5V、2.4mΩ@VGS=10V。- 栅极-源极电压(VGS):±20V。原创 2024-07-09 11:41:25 · 92 阅读 · 0 评论 -
05N03LA-VB TO252一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**DC-DC转换器:** 用于DC-DC转换器电路中,以实现不同电压级之间的高效转换。- **电源:** 该MOSFET可用于高效率的开关模式电源中,以稳定和调节电压。- **LED照明:** 适用于LED照明应用中,可用于调节和控制LED灯的亮度。- **电机控制:** 可用于电机控制电路,以调节和控制电机的转速。- **门源电压(VGS):** 20V(±)- **型号:** 05N03LA-VB。- **封装:** TO252。- **配置:** 单N沟道。- **技术:** 槽沟技术。原创 2024-07-09 11:32:09 · 48 阅读 · 0 评论 -
05N03LA-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
05N03LA-VB是一款单通道N沟道MOSFET,采用TO220封装,具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS,±V)、1.7V的阈值电压(Vth)、4mΩ@VGS=4.5V和3mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及120A的漏极电流(ID)。1. **电源管理:** 05N03LA-VB适用于中低压高电流的电源管理应用,如开关电源和DC-DC变换器,可提供高效的电源开关功能。- **栅极-源极电压(VGS):** 20V(±V)- **结构:** 单N沟道。原创 2024-07-09 11:30:49 · 201 阅读 · 0 评论 -
05FN50I-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
它具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS,±V),3.5V的阈值电压(Vth),以及在VGS=10V时为2560mΩ的导通电阻(RDS(ON)),并且能够承受4A的漏极电流(ID)。2. **电源逆变器**:在逆变器中,它可以作为开关管,将直流电转换为交流电,用于太阳能发电系统或其他需要交流电的场合。1. **电源模块**:05FN50I-VB可用于开关电源中的功率开关,用于转换和调节电源电压。4. **工业电子**:用于工业设备和机器人的功率开关,确保设备的稳定运行。原创 2024-07-09 11:29:22 · 218 阅读 · 0 评论 -
052N06L-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
该器件具有60V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS,正负值)、3V的阈值电压(Vth)、9mΩ@VGS=4.5V和3mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及210A的漏极电流(ID)。- 汽车电子:在汽车电子领域,由于其耐高温、高电压和高电流的特性,052N06L-VB常被应用于汽车引擎控制单元(ECU)、照明系统和电动机控制器等模块中,确保车辆的高性能和可靠性。- 电机控制模块:在需要高电流输出的电机控制模块中,该器件可以提供可靠的功率开关控制。原创 2024-07-08 11:24:39 · 214 阅读 · 0 评论 -
052N04N-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
052N04N-VB是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术制造,适用于各种领域和模块的电路设计。其主要特点包括40V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS)、2.5V的阈值电压(Vth)、6mΩ@VGS=4.5V和5mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及100A的漏极电流(ID)。- 电源管理:适用于低电压和高电流的电源开关和稳压器,特别是在高效DC-DC转换器中。- 栅极-源极电压(VGS):±20V。原创 2024-07-08 11:22:15 · 156 阅读 · 0 评论 -
052N03S-VB SOP8一款N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**DC-DC转换器:** 用于DC-DC转换器电路中,以实现不同电压级之间的高效转换。- **电源:** 该MOSFET可用于高效率的开关模式电源中,以稳定和调节电压。- **LED照明:** 适用于LED照明应用中,可用于调节和控制LED灯的亮度。- **电机控制:** 可用于电机控制电路,以调节和控制电机的转速。- **门源电压(VGS):** 20V(±)- **型号:** 052N03S-VB。- **封装:** SOP8。- **配置:** 单N沟道。- **技术:** 槽沟技术。原创 2024-07-08 11:20:52 · 72 阅读 · 0 评论 -
052N03S-VB QFN8(5X6)一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
它具有30V的漏极-源极电压(VDS),20V的门-源电压(VGS,±V),1.7V的阈值电压(Vth),以及在VGS=4.5V时为5mΩ,在VGS=10V时为3mΩ的导通电阻(RDS(ON)),并且能够承受120A的漏极电流(ID)。1. **电源模块**:052N03S-VB可用作开关电源中的功率开关管,用于转换和调节电源电压。4. **电动汽车控制**:用于电动汽车中的电机控制和电池管理系统,提供高效的功率开关。5. **工业自动化**:可用于工业设备和机器人的功率开关,确保设备的稳定运行。原创 2024-07-08 11:19:27 · 224 阅读 · 0 评论 -
052N03LS-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块**:由于其低导通电阻和高漏极电流,052N03LS-VB适用于电源管理模块,如开关电源和直流-直流转换器,可提供高效的电源控制。4. **LED照明模块**:在LED照明应用中,052N03LS-VB可用于开关电源,控制LED的亮度和电流,实现节能和可调光效果。3. **电机驱动模块**:在电机控制方面,这款MOSFET可用于驱动直流电机,如无刷直流电机,提供高效的电能转换和电机控制。- **VGS(栅极-源极电压)**:±20V。- **VDS(漏极-源极电压)**:30V。原创 2024-07-08 11:17:44 · 217 阅读 · 0 评论 -
051NE8N-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**电源管理模块**:051NE8N-VB适用于需要高功率密度和高效能的电源管理模块。- **电动汽车驱动器**:在需要控制电动汽车电机的应用中,051NE8N-VB可以作为电机驱动器的一部分,实现高效能和高电流承载能力。- **工业自动化**:这款MOSFET也适用于工业自动化领域,如电机驱动器、工控设备等,以实现高功率密度和高效率的控制方案。- **导通电阻**:10mΩ @ VGS=4.5V, 6mΩ @ VGS=10V。- **封装**:TO263。- **阈值电压**:3V。原创 2024-07-08 11:16:26 · 66 阅读 · 0 评论 -
051N03MS-VB一款N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
RDS(ON):在VGS=4.5V时为5mΩ,在VGS=10V时为4mΩ,这表示在不同栅极电压下,MOSFET的静态漏极-源极电阻不同。- 电源管理模块:由于051N03MS-VB具有较低的漏极-源极电阻和较高的漏极电流能力,适用于高性能电源管理模块,如笔记本电脑和工业电源。- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):在VGS=4.5V时为5mΩ,在VGS=10V时为4mΩ。- VGS:20V(±)是该MOSFET的最大栅极-源极电压范围,超过这个范围可能导致器件损坏。- 型号:051N03MS-VB。原创 2024-07-08 11:14:48 · 151 阅读 · 0 评论 -
050NE2LS-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
它具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V(±V)的门极-源极电压(VGS)、1.7V的阈值电压(Vth)、在VGS=4.5V时的5mΩ的导通电阻(RDS(ON))、在VGS=10V时的3mΩ的导通电阻(RDS(ON))、以及120A的漏极电流(ID)。5. **LED照明**:在LED照明系统中,050NE2LS-VB可用作LED驱动器,提供高效率的电能转换和稳定的电流输出。3. **工业控制**:在工业控制领域,050NE2LS-VB适用于各种类型的电机控制器和功率逆变器,提供高效率和可靠性。原创 2024-07-08 11:12:44 · 219 阅读 · 0 评论 -
050N06N-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **电动车辆**:在电动汽车和电动自行车等电动车辆中,050N06N-VB可以作为电池管理系统中的关键部件,确保高效能量转换和高性能。2. **电动工具**:由于其高漏极电流和低导通电阻,这种MOSFET也适用于电动工具,如电动钻和电动螺丝刀,能够提供高效的电力输出。4. **工业控制**:在工业控制领域,这种MOSFET可用于各种需要高性能和高可靠性的应用,如变频器,机器人控制等。5. **照明**:在LED照明和其他高功率照明系统中,这种MOSFET可以用作电源开关,提供高效的电力控制。原创 2024-07-08 11:10:46 · 177 阅读 · 0 评论 -
050N06L-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
该器件具有60V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS,正负值)、3V的阈值电压(Vth)、4mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及150A的漏极电流(ID)。- 汽车电子:在汽车电子领域,由于其耐高温、高电压和高电流的特性,050N06L-VB常被应用于汽车引擎控制单元(ECU)、照明系统和电动机控制器等模块中。- 电源模块:由于其低导通电阻和高漏极电流,050N06L-VB适用于电源模块,如电源开关和开关稳压器。- VDS(漏极-源极电压):60V。原创 2024-07-08 11:09:27 · 127 阅读 · 0 评论 -
050N04LS-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
050N04LS-VB是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术制造,适用于各种领域和模块的电路设计。其主要特点包括40V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS)、2.5V的阈值电压(Vth)、6mΩ@VGS=4.5V和4.7mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及70A的漏极电流(ID)。- 导通电阻(RDS(ON)):6mΩ@VGS=4.5V、4.7mΩ@VGS=10V。- 栅极-源极电压(VGS):±20V。原创 2024-07-08 11:07:58 · 164 阅读 · 0 评论 -
050N03M-VB一款N-Channel沟道DFN8(3X3)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**DC-DC转换器:** 用于DC-DC转换器电路中,以实现不同电压级之间的高效转换。- **电源:** 该MOSFET可用于高效率的开关模式电源中,以稳定和调节电压。- **LED照明:** 适用于LED照明应用中,可用于调节和控制LED灯的亮度。- **电机控制:** 可用于电机控制电路,以调节和控制电机的转速。- **门源电压(VGS):** 20V(±)- **型号:** 050N03M-VB。- **漏源电压(VDS):** 30V。- **技术:** 槽沟技术。**详细参数说明:**原创 2024-07-08 11:06:27 · 84 阅读 · 0 评论 -
050N03MS-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
050N03MS-VB是一款单通道N沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装,具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS,±V)、1.7V的阈值电压(Vth)、5mΩ@VGS=4.5V和3mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及120A的漏极电流(ID)。3. **DC-DC变换器:** 050N03MS-VB适用于低压高电流的DC-DC变换器,用于各种电子设备的电源管理。- **栅极-源极电压(VGS):** 20V(±V)- **技术:** Trench。原创 2024-07-08 11:00:47 · 127 阅读 · 0 评论 -
050N03L-VB一款N-Channel沟道DFN8(3X3)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
它具有30V的漏极-源极电压(VDS),20V的门-源电压(VGS,±V),1.7V的阈值电压(Vth),以及在VGS=4.5V时为5mΩ,在VGS=10V时为3.9mΩ的导通电阻(RDS(ON)),并且能够承受60A的漏极电流(ID)。1. **电源模块**:050N03L-VB可用作开关电源中的功率开关管,用于转换和调节电源电压。4. **电动汽车控制**:用于电动汽车中的电机控制和电池管理系统,提供高效的功率开关。5. **工业自动化**:可用于工业设备和机器人的功率开关,确保设备的稳定运行。原创 2024-07-08 10:59:47 · 211 阅读 · 0 评论 -
050N03LS-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块**:由于其低导通电阻和高漏极电流,050N03LS-VB适用于电源管理模块,如开关电源和直流-直流转换器,可提供高效的电源控制。4. **LED照明模块**:在LED照明应用中,050N03LS-VB可用于开关电源,控制LED的亮度和电流,实现节能和可调光效果。3. **电机驱动模块**:在电机控制方面,这款MOSFET可用于驱动直流电机,如无刷直流电机,提供高效的电能转换和电机控制。- **VGS(栅极-源极电压)**:±20V。- **VDS(漏极-源极电压)**:30V。原创 2024-07-08 10:58:20 · 134 阅读 · 0 评论 -
048N04N-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
048N04N-VB是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术制造,适用于各种领域和模块的电路设计。其主要特点包括40V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS)、2.5V的阈值电压(Vth)、低至7mΩ@VGS=4.5V和6mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及110A的漏极电流(ID)。- 导通电阻(RDS(ON)):7mΩ@VGS=4.5V、6mΩ@VGS=10V。- 栅极-源极电压(VGS):±20V。原创 2024-07-06 14:08:58 · 208 阅读 · 0 评论 -
048N025S-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**DC-DC转换器:** 用于DC-DC转换器电路中,以实现不同电压级之间的高效转换。- **电源:** 该MOSFET可用于高效率的开关模式电源中,以稳定和调节电压。- **LED照明:** 适用于LED照明应用中,可用于调节和控制LED灯的亮度。- **电机控制:** 可用于电机控制电路,以调节和控制电机的转速。- **门源电压(VGS):** 20V(±)- **型号:** 048N025S-VB。- **阈值电压(Vth):** 1.7V。- **技术:** 槽沟技术。**详细参数说明:**原创 2024-07-06 14:07:37 · 90 阅读 · 0 评论 -
047N08NS3-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
047N08NS3-VB是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术制造,适用于各种领域和模块的电路设计。其主要特点包括高达80V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS)、3V的阈值电压(Vth)、低至7mΩ@VGS=4.5V和5mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及60A的漏极电流(ID)。- 导通电阻(RDS(ON)):7mΩ@VGS=4.5V、5mΩ@VGS=10V。- 栅极-源极电压(VGS):±20V。原创 2024-07-06 14:04:58 · 246 阅读 · 0 评论 -
046N02KS-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**DC-DC转换器:** 用于DC-DC转换器电路中,以实现不同电压级之间的高效转换。- **电源:** 该MOSFET可用于高效率的开关模式电源中,以稳定和调节电压。- **LED照明:** 适用于LED照明应用中,可用于调节和控制LED灯的亮度。- **电机控制:** 可用于电机控制电路,以调节和控制电机的转速。- **门源电压(VGS):** 20V(±)- **型号:** 046N02KS-VB。- **阈值电压(Vth):** 1.7V。- **技术:** 槽沟技术。**详细参数说明:**原创 2024-07-06 14:02:36 · 191 阅读 · 0 评论 -
045N10N-VB TO262一款N-Channel沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块**: 由于其低导通电阻和高电流处理能力,`045N10N-VB TO262` 非常适合用于高效电源管理系统,如DC-DC转换器和AC-DC电源模块。2. **电动汽车**: 在电动汽车的电池管理系统中,该MOSFET可以用于高效能量转换和电池保护,提升整车的续航能力和安全性。3. **通信设备**: 在通信设备的电源供应单元(PSU)中,`045N10N-VB TO262` 可用于高效的电能传输,确保设备在高性能条件下稳定运行。- **封装**: TO262。### 详细参数说明。原创 2024-07-06 14:01:03 · 138 阅读 · 0 评论 -
045N10N-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **通信设备**: 在通信设备的电源供应单元(PSU)中,`045N10N-VB TO220F` 可用于高效的电能传输,确保设备在高性能条件下稳定运行。1. **电源管理模块**: 由于其低导通电阻和高电流处理能力,`045N10N-VB TO220F` 非常适合用于高效电源管理系统,如DC-DC转换器和AC-DC电源模块。2. **电动汽车**: 在电动汽车的电池管理系统中,该MOSFET可以用于高效能量转换和电池保护,提升整车的续航能力和安全性。- **封装**: TO220F。原创 2024-07-06 13:59:28 · 184 阅读 · 0 评论 -
045N10N-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块**: 由于其低导通电阻和高电流处理能力,`045N10N-VB TO220` 非常适合用于高效电源管理系统,如DC-DC转换器和AC-DC电源模块。3. **通信设备**: 在通信设备的电源供应单元(PSU)中,`045N10N-VB TO220` 可用于高效的电能传输,确保设备在高性能条件下稳定运行。2. **电动汽车**: 在电动汽车的电池管理系统中,该MOSFET可以用于高效能量转换和电池保护,提升整车的续航能力和安全性。- **封装**: TO220。### 详细参数说明。原创 2024-07-06 11:56:44 · 110 阅读 · 0 评论 -
042P03L-VB TO252一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块**: 由于其低导通电阻和高电流处理能力,`042P03L-VB TO252` 非常适合用于高效电源管理系统,如DC-DC转换器和AC-DC电源模块。3. **通信设备**: 在通信设备的电源供应单元(PSU)中,`042P03L-VB TO252` 可用于高效的电能传输,确保设备在高性能条件下稳定运行。- **替代型号**: 042P03L-VB TO252。- **阈值电压 (Vth)**: -2.5V。- **耐压 (VDS)**: -30V。- **封装**: TO252。原创 2024-07-06 11:54:38 · 292 阅读 · 0 评论 -
042NE7NS3-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块**: 由于其低导通电阻和高电流处理能力,`042NE7NS3-VB` 非常适合用于高效电源管理系统,如DC-DC转换器和AC-DC电源模块。3. **通信设备**: 在通信设备的电源供应单元(PSU)中,`042NE7NS3-VB` 可用于高效的电能传输,确保设备在高性能条件下稳定运行。2. **电动汽车**: 在电动汽车的电池管理系统中,该MOSFET可以用于高效能量转换和电池保护,提升整车的续航能力和安全性。- **替代型号**: 042NE7NS3-VB。原创 2024-07-06 11:51:38 · 133 阅读 · 0 评论 -
042N10N-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块**: 由于其低导通电阻和高电流处理能力,`042N10N-VB` 非常适合用于高效电源管理系统,如DC-DC转换器和AC-DC电源模块。3. **通信设备**: 在通信设备的电源供应单元(PSU)中,`042N10N-VB` 可用于高效的电能传输,确保设备在高性能条件下稳定运行。2. **电动汽车**: 在电动汽车的电池管理系统中,该MOSFET可以用于高效能量转换和电池保护,提升整车的续航能力和安全性。- **替代型号**: 042N10N-VB。- **封装**: TO263。原创 2024-07-06 11:50:01 · 274 阅读 · 0 评论