AO4801H-VB一款2个P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemiAO4801H-VB是一款高性能双P沟道场效应管,以其低导通电阻和优良的温度稳定性,适用于电源管理、电池保护、DC-DC转换、LED照明和电机控制等多种功率电子应用。
摘要由CSDN通过智能技术生成

VBsemi AO4801H-VB是一款双P沟道场效应管,具备卓越的电性能和稳定性,适用于多种功率电子应用。

**性能参数:**
- 额定电压:-30V
- 额定电流:-7A
- 导通电阻:35mΩ @ VGS=10V;35mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压:-1.5V

**封装:**
- SOP8
- 丝印标识:VBA4338
- 品牌:VBsemi

**详细参数说明:**
AO4801H-VB采用先进工艺制造,具有低导通电阻和卓越的温度稳定性。其设计旨在提供高效的功率开关和可靠的性能,适用于各种功率电子设计。

**应用简介:**
1. **电源管理:** 适用于电源管理系统,作为功率开关元件,用于电源开关和逆变器。
2. **电池保护:** 在电池管理系统(BMS)中,可用作电池保护开关,确保电池的安全和稳定性。
3. **DC-DC转换器:** 用于DC-DC转换器模块,实现高效的电能转换,适用于各种电源供应需求。
4. **LED照明:** 在LED照明领域,可实现高效的LED驱动设计,提供稳定的电流输出。
5. **电机控制:** 适用于小功率电机控制,提供可靠的功率控制。

AO4801H-VB通过其卓越的性能和可靠性,为多个领域的功率电子设计提供了高性能的解决方案。其先进的工艺技术和精湛的设计使其成为工程师在设计中的首选。

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